NAND Flash，AI，3D NAND，HBF
AI时代，需要什么样的NANDFlash：数据中心NAND Flash正逐步成为NAND Flash产业的核心增长极。该类NAND Flash主要存在于eSSD中，即服务器eSSD和存储eSSD。其中，服务器eSSD主要应用于普通服务器及AI服务器中，而存储eSSD则主要应用于存储服务器中。根据YOLE数据显示，单机存储服务器中的eSSD容量显著高于AI服务器和普通服务器。
AI时代，NAND Flash需求如何变化：服务器eSSD与存储eSSD共同推动整体容量需求规模提升，其中存储eSSD的增长动能更为强劲。容量上，一方面，AI训练、AI推理、数据存储三个阶段持续拉动数据中心对NAND Flash的需求；另一方面，HDD供应短缺下，SSD有望凭借下降的成本与更高的效能，实现对部分HDD的替代。根据YOLE预测显示，全球数据中心NAND Flash容量需求将从2026年的约385.0EB增长至2030年的约975.0EB，其中，存储eSSD的增速相对服务器eSSD明显更快。市场规模上，NAND Flash产业当前正处于AI驱动的价格上行通道。“量价共振”之下，结合YOLE预测，2026年全球数据中心NAND Flash市场规模预计将达到308.0亿美元。
AI时代，NANDFlash有何技术趋势：趋势一、高深宽比刻蚀、薄膜沉积与CBA架构。容量密度至上决定了3D架构是NAND Flash的必然发展路径，增加堆叠层数和提升单元存储位数是实现密度提升的两种方式，而高深宽比刻蚀、薄膜沉积以及CBA架构则是推动堆叠层数不断攀升的关键技术基础。趋势二、HBF。HBF的核心价值在于它能在超高速但容量受限的HBM与大容量但带宽性能不足的SSD之间，构建一个全新的中间存储层级。我们认为，随着AI推理需求的增长，HBF或将成为解决大存储容量与高带宽难以两全这一核心矛盾的关键所在。
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