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铟行业分析:AI需求爆发下的战略小金属重估

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PART 01

核心摘要

1.1 行业核心结论

铟是一种典型的稀散金属，具备极强的可塑性、延展性和低熔点特征，主要以伴生形式存在于锌、铅、铜、锡等矿石中，其中闪锌矿是当前最具经济性的原生铟来源。由于铟并非独立开采矿种，其供给高度依赖锌冶炼及相关有色金属冶炼体系，因此天然具备供给弹性偏弱、扩产周期长、价格波动大的特点。

从产业发展阶段看，铟行业正在经历一次重要的需求结构切换。过去十余年，铟的核心需求来自ITO靶材，主要服务于LCD、OLED、触控面板等显示产业链。显示领域需求规模大、稳定性强，是铟消费的基本盘。当前，随着AI算力建设进入高景气周期，800G、1.6T及后续3.2T高速光模块快速放量，磷化铟衬底成为高端光通信器件的重要材料，高纯铟也随之从传统小金属深加工材料升级为AI基础设施关键上游材料。

因此，铟行业的核心矛盾正在从过去的"显示需求周期波动"转向"传统需求稳定 + 新兴需求快速增长 + 高端材料供给不足"。铟不再只是面板产业链中的透明导电材料金属，而是逐步与AI算力、数据中心高速互联、化合物半导体国产替代、战略小金属安全等主题深度绑定。

1.2关键数据概览

根据资料口径，2025年全球精铟消费量约为2316吨，2026年和2027年预计分别达到2510吨和2813吨，同比增长约8.38%和12.07%。其中，ITO靶材仍是最大应用领域，占全球铟消费量接近80%。该部分需求虽然增速不高，但产业链成熟、应用稳定，是铟市场需求的基本盘。

供给端方面，2022年至2025年全球精铟产量分别为2280吨、2342吨、2530吨和2682吨，其中原生铟产量分别为1041吨、1069吨、1116吨和1150吨。2026年和2027年全球精铟产量预计分别为2785吨和2880吨，中国精铟产量预计分别为1960吨和2050吨，占全球比重超过70%。

AI光模块领域方面，测算显示，2030年光模块领域对高纯铟需求量有望达到440.69吨，对应折算精铟需求约550.86吨，占精铟总需求比例有望由2026年的7.58%提升至2030年的15.41%。该数据表明，光模块虽然短期不是最大需求来源，但其边际增量已经足以改变铟行业供需平衡和价格预期。

1.3 行业判断

未来三至五年，铟行业有望呈现"供给紧、需求稳、增量强、结构分化"的格局。供给端，原生铟受制于锌冶炼体系，再生铟增量受到回收体系、环保处理和提纯技术约束。需求端，传统显示需求维持稳定，新兴AI光模块需求快速增长。结构上，普通精铟仍具备资源品属性，但高纯铟和磷化铟衬底将更具成长属性。

从投资角度看，铟产业链机会不应仅理解为铟价上涨，而应理解为一轮由AI基础设施带动的上游关键材料再定价。具备铟资源储量、原生铟产能、高纯铟加工能力、磷化铟衬底量产能力和核心客户验证能力的企业，将是未来产业链价值重估的主要受益者。

PART 02

行业概览

2.1 铟的定义与基本性质

铟，元素符号In，原子序数49，位于元素周期表第五周期IIIA族，是一种银白色略带淡蓝色调的软质金属。铟质地柔软，可用指甲划出痕迹，具备优异的可塑性、延展性和低熔点特征，能够被压制成极薄片材，也能够与其他金属形成特殊合金。

铟在自然界中含量较低，且很少形成独立矿物。其主要以微量伴生形式存在于闪锌矿、方铅矿、黄铜矿、锡矿等矿石中。由于其地质赋存状态分散、含量低、提取依赖其他主金属冶炼，铟长期被归类为稀散金属。所谓稀散，并不只是指绝对储量稀少，更强调其难以形成独立矿床、提取链条复杂、供应与主金属行业高度绑定。

铟的物理化学特性使其在多个领域具有不可替代性。其氧化物可以形成透明导电薄膜，用于显示面板；其低熔点和良好浸润性使其可用于焊料和低熔点合金；其与磷、砷、锑等元素形成的化合物半导体材料，具备优异光电性能，可用于光通信、红外探测、激光器、传感器和射频器件。

2.2 铟产业链结构

铟产业链可以分为上游资源与冶炼、中游精炼与高纯化、深加工材料制造、下游终端应用四个环节。

上游环节为矿产开采与冶炼回收。铟通常不以独立矿床形式存在，而是作为伴生元素存在于多种有色金属矿石中。当前最主要来源是锌冶炼过程中的副产回收。锌精矿经过破碎、浮选、焙烧、浸出、净化、电解等流程后，铟可在烟尘、浸出渣、冶炼渣等中间物料中富集，再经过萃取、置换、电解等工艺提取粗铟。这一环节的关键不在于铟本身矿山开发，而在于主金属冶炼企业是否具备完善的综合回收体系。具备大型锌冶炼能力、伴生铟资源、回收技术和环保处理能力的企业，在铟资源供给中占据更有利位置。

中游环节涵盖精铟、高纯铟与氧化铟。粗铟经进一步精炼后形成精铟，通常纯度在4N至4N5水平。精铟可用于制备ITO靶材、合金、焊料及部分化工材料。若要进入化合物半导体材料体系，还需要进一步高纯化处理，形成5N、6N、7N甚至更高纯度的高纯铟。高纯铟是磷化铟衬底的关键原料。对于低端或中低端应用，6N纯度高纯铟可满足一定要求；而对于6英寸以上磷化铟衬底和高端光通信器件，往往需要7N甚至更高纯度高纯铟。高纯铟的技术门槛远高于普通精铟，核心在于杂质元素控制、批次稳定性、检测能力和客户认证。

深加工环节主要包括ITO靶材、特种合金、化合物半导体材料。铟深加工产品主要包括ITO靶材、特种焊料与合金、铟系化工品、精密电气元件、磷化铟、锑化铟、砷化铟等化合物半导体材料。其中，ITO靶材是传统最大需求来源，主要应用于液晶显示、OLED、触控屏、车载显示等领域。磷化铟则是最具成长性的高端应用方向，其作为化合物半导体衬底，可用于制备高速激光器、探测器、调制器和光子集成芯片，直接受益于高速光通信、数据中心互联和AI算力基础设施建设。

下游终端应用呈现多元化趋势。显示领域使用ITO薄膜实现透明导电功能；光伏异质结电池可使用含铟透明导电材料；光通信领域使用磷化铟衬底制造高速激光器、探测器和光子集成芯片；红外探测领域使用锑化铟、砷化铟等材料；军工和航天领域则利用铟基合金和化合物半导体材料的特殊性能。

2.3 铟行业的战略属性

铟兼具资源属性、材料属性和战略属性。

从资源属性看，铟供应高度依赖锌冶炼副产，且全球有效供给集中在少数国家和地区。供给一旦受到主金属冶炼开工、环保政策、贸易限制或库存扰动影响，价格便可能出现较大波动。

从材料属性看，铟是透明导电薄膜和化合物半导体的重要基础材料。其在显示、光通信、红外探测和高端制造中的作用难以被完全替代。

从战略属性看，铟与AI算力基础设施、数据中心高速互联、先进半导体材料及供应链自主可控高度相关。未来随着各国对关键矿产和半导体材料安全的重视提升，铟的战略意义有望进一步增强。

PART 03

供给分析：资源稀缺性与副产属性决定供给弹性偏弱

3.1 铟供给来源：原生铟与再生铟

铟供给主要由原生铟和再生铟构成。原生铟来自铅、锌、铜、锡等金属冶炼过程中的副产回收，其中锌冶炼是最重要来源。再生铟主要来自废ITO靶材、液晶面板拆解废料、含铟废液、靶材边角料等二次资源。

从全球供给结构看，再生铟已经成为精铟供给的重要来源。2022年至2025年，全球精铟产量由2280吨提升至2682吨，整体保持增长；同期原生铟产量由1041吨提升至1150吨，增幅相对有限。该组数据反映出两个特点：一是铟总供给仍可通过再生回收实现温和增长；二是原生铟增量较慢，供给弹性不足。

中国是全球最重要的原生铟生产国。资料显示，中国2023年至2025年原生铟产量分别为646吨、426吨和441吨。2024年国内原生铟产量出现明显下滑，主要与锌精矿供应紧张、锌冶炼亏损、环保能耗管控、伴生矿铟品位下降等因素有关。

3.2 原生铟：锌冶炼决定供给上限

原生铟并不是独立扩产逻辑，而是依附于锌冶炼体系。大多数原生铟来自铅、锌、铜、锡等矿石冶炼过程，其中闪锌矿中铟富集程度相对较高，具备较好的提炼经济性。

铟作为锌冶炼副产品，其产量取决于三个因素：锌矿原料中铟含量、锌冶炼开工率和冶炼企业综合回收能力。若锌精矿供应偏紧、冶炼利润下降或环保限产加强，即使铟价格上涨，铟产量也难以快速增长。

从中长期看，锌冶炼行业缺乏明显扩产动力。首先，锌冶炼属于高耗能行业，国内新增产能受到能耗、环保与产业政策约束。其次，吨锌冶炼利润长期承压，企业通常依靠副产品硫酸、铟等改善盈利，但在冶炼成本上行背景下，即便考虑副产品收益，冶炼环节仍可能接近盈亏平衡。最后，铟作为副产品，对锌冶炼企业总收入贡献有限，企业不会单纯因为铟价上涨而大规模扩张锌冶炼产能。

这决定了原生铟供给具有明显"被动供给"特征。当需求快速增长时，供给无法像独立矿种那样迅速响应，价格弹性往往较大。

3.3 再生铟：供给增量存在但技术门槛较高

再生铟是当前精铟供给的重要补充来源。其原料包括废ITO靶材、液晶面板拆解废料、含铟废液、靶材边角料和部分电子废弃物。常见提纯方法包括溶剂萃取法、离子交换法、电解法等。

再生铟的优势在于能够提高资源循环利用率，缓解原生资源供给压力。显示面板行业长期使用ITO靶材，靶材使用过程中会产生边角料和残靶，若回收体系完善，可以形成较稳定的二次资源供应。随着环保政策趋严和资源循环利用体系完善，再生铟占比有望继续提升。

但再生铟也存在多重约束。第一，原料来源分散，回收体系建设需要依托下游面板厂、靶材厂和专业回收企业协同。第二，废料成分复杂，提纯过程难度较大，容易面临能耗高、回收率低、废水污泥处理复杂等问题。第三，高端应用对纯度要求提升，普通再生铟并不能直接进入高纯铟或磷化铟衬底供应链。

海外企业在铟回收和深加工方面具有先发优势。日本等国家在ITO靶材使用、废料回收、高纯材料制备方面形成较成熟产业闭环，铟回收率处于较高水平。相比之下，中国再生铟回收能力虽持续提升，但在高纯化、规模化和环保处理方面仍有提升空间。

3.4 供给约束的本质

铟供给约束并不是单一的资源不足，而是由四个层面共同造成。

第一是矿产赋存约束。铟主要伴生在其他矿物中，独立开发难度大，资源可获得性取决于主金属矿产开采。

第二是冶炼开工约束。原生铟产量依赖锌冶炼等主金属冶炼产量，而锌冶炼开工受到利润、原料、能耗、环保等因素影响。

第三是综合回收约束。即便矿石中含铟，如果冶炼企业缺乏回收工艺和环保处理能力，也无法有效转化为铟产品。

第四是高纯化约束。普通精铟供给与高纯铟供给并不等同。高端磷化铟衬底所需6N、7N高纯铟扩产更依赖技术、设备、良率和认证。

因此，未来行业紧缺可能首先体现为高纯铟和磷化铟材料紧缺，然后逐步向精铟价格和资源端传导。

3.5 供给格局判断

未来铟供给预计呈现"缓慢增长、结构分化、局部紧张"的特征。全球精铟产量仍有增长空间，2026年和2027年预计分别达到2785吨和2880吨；但增量主要来自再生铟回收改善与部分中国企业产量恢复，而非大规模原生供给扩张。

随着AI光模块、高纯铟、磷化铟衬底需求快速增长，供给压力将从普通精铟进一步传导至高纯铟环节。普通4N级精铟并不能直接满足6英寸以上磷化铟衬底要求，因此高纯铟可能比精铟本身更早出现结构性短缺。

PART 04

需求分析：ITO基本盘稳固，AI光模块打开成长空间

4.1 精铟需求稳步增长

全球精铟消费量近年来保持增长。资料显示，2025年全球精铟消费量为2316吨，2022年至2025年复合增长率约为7.31%。未来，全球精铟消费量预计继续增长，2026年和2027年分别达到2510吨和2813吨，同比增长8.38%和12.07%。

铟需求结构正在从单一显示主导演示、光伏、半导体、光通信多元驱动切换。短期看，ITO靶材仍是绝对核心需求；中长期看，AI光模块、磷化铟、异质结光伏等新兴应用将贡献更多增量。

4.2 ITO靶材：传统需求基本盘

ITO靶材是铟最主要的消费应用，主要用于LCD、OLED、触控面板等显示产业链。ITO薄膜具备透明导电特性，是显示面板和触控终端不可或缺的关键材料。

从需求结构看，ITO靶材占全球铟消费的近80%，消费区域高度集中于东亚，包括中国大陆、韩国、日本和中国台湾地区，其中中国大陆是全球最大的实际消费市场。

尽管LCD面板行业已进入成熟阶段，但OLED、触控显示、车载显示、商显及可穿戴设备等新应用仍可维持ITO需求稳定。同时，国产ITO靶材替代率提升也会带动中国铟深加工能力提升。显示产业链对铟的需求具有较强基础盘意义，其增长不会像AI光模块一样陡峭，但需求规模大、客户结构稳定、回收体系成熟，是铟市场长期稳定的重要支撑。

4.3 光伏异质结电池：潜在增量方向

光伏异质结电池中透明导电薄膜材料可能使用含铟体系，因此HJT电池放量一度带动市场对铟需求的预期。HJT电池需要透明导电氧化物薄膜来实现导电和透光功能，传统方案中ITO是重要材料之一。

但从现实产业化看，HJT路线仍面临银浆成本、设备投资、与TOPCon等路线竞争等因素影响，含铟材料用量和替代路径存在不确定性。部分厂商也在探索低铟、无铟或替代透明导电材料方案，以降低成本并缓解铟资源约束。

因此，光伏方向更适合作为铟需求的中期弹性变量，而非当前最确定的主线。若未来HJT路线在效率、成本和产能扩张方面取得突破，铟需求将获得额外上行空间；反之，其需求贡献可能低于市场早期预期。

4.4 AI光模块：铟需求的新增长极

AI算力基础设施建设快速扩张，带动高速光模块需求爆发。AI训练和推理集群需要大量GPU、交换机和高速互连系统。随着GPU集群规模扩大，芯片之间需要每秒TB级数据交换，传统铜线互连在带宽、距离、功耗和散热方面面临瓶颈，光模块成为数据中心高速互连的关键组件。

磷化铟是高端光模块中的核心半导体材料。其具备优异的电学、光学和热学性能，适用于1310nm和1550nm光纤通信黄金波段，可用于制造高速激光器、调制器、探测器和光子集成芯片。

在800G、1.6T乃至3.2T高速光模块中，磷化铟的重要性显著提升。资料显示，800G/1.6T光模块的发射端大量采用磷化铟基EML激光器，硅光方案中也需要磷化铟CW泵浦芯片；接收端由PIN探测器升级至磷化铟基APD探测器。由此，磷化铟成为高端光模块的核心底材。

AI光模块需求的特殊之处在于其对铟需求的拉动并非线性。随着传输速率从400G升级至800G、1.6T和3.2T，单模块所需光芯片数量、芯片面积、良率损耗、材料消耗均可能提升。尤其在高端硅光方案中，虽然部分功能由硅基平台承担，但磷化铟仍是高性能激光源和探测器的重要材料。因此，硅光并不必然减少磷化铟需求，在部分架构下反而会带来新的磷化铟芯片用量。

4.5 光模块对铟需求的测算逻辑

根据资料测算，单颗800G光模块通常需要8至17颗磷化铟芯片衬底。1.6T光模块单位数量与800G硅光方案相近，但芯片面积更大、良率更低，单位带宽磷化铟衬底消耗约为800G的2.7至2.8倍。3.2T光模块对磷化铟衬底的消耗量进一步提升。

考虑高纯铟到磷化铟各环节良率，2030年光模块领域对高纯铟需求量有望达到440.69吨，对应精铟需求约550.86吨。光模块对应精铟需求占总需求比例预计由2026年的7.58%提升至2030年的15.41%。

这意味着，AI光模块虽然短期仍不是铟需求最大场景，但其增速和边际贡献显著高于传统显示领域，是铟价格和产业链估值重估的重要变量。对于一个年消费量仅数千吨级别的小金属品种而言，数百吨级别的新增高纯铟需求足以显著影响供需平衡。

4.6 需求结构变化的行业意义

铟需求结构变化对行业影响深远。过去，铟需求主要跟随显示面板周期波动，投资者更关注面板产能、LCD价格和ITO靶材需求。未来，铟需求将更多受到AI资本开支、数据中心交换架构、光模块速率升级、磷化铟衬底产能、光芯片技术路线等因素影响。

这意味着铟行业的研究框架需要从传统有色小金属框架，升级为"有色资源 + 半导体材料 + AI算力基础设施"的复合框架。价格研究不仅要看库存和冶炼产量，也要跟踪云厂商资本开支、光模块订单、InP衬底良率和高纯铟认证进度。

PART 05

技术分析：磷化铟与高纯铟构成关键壁垒

5.1 磷化铟产业链流程

磷化铟作为化合物半导体衬底平台，可承载InGaAsP、InAlGaAs等外延材料，并进一步制成连续波激光器、DFB激光器、EML、探测器和光子集成芯片。

磷化铟产业链通常包括四个关键环节：高纯材料制备、多晶合成、单晶生长和晶圆加工。

高纯材料制备环节要求原料铟和红磷达到较高纯度。对于光通信级低阻磷化铟单晶片，通常需要6N及以上高纯铟；对于6英寸以上高端衬底，往往需要7N以上高纯铟。

多晶合成环节需要将高纯铟和磷在高温、高压环境下反应。由于高温下磷蒸气压较高，磷容易挥发，可能导致材料中铟富集、In:P比例失衡，进而影响后续晶体缺陷、电学均匀性和夹杂控制。

单晶生长环节是在坩埚中熔化多晶料，并通过籽晶拉制单晶晶棒。晶棒形成后还需经过X射线定向、切片、研磨、抛光等步骤，最终形成磷化铟衬底片。目前磷化铟衬底常见尺寸以3英寸和4英寸为主，6英寸仍处于高端突破和规模化推进阶段。

晶圆加工与外延环节是在磷化铟衬底上通过MOCVD或MBE等技术生长单晶薄膜，形成InP外延片。外延片质量直接影响后续光芯片性能，是整个产业链中技术含量极高的环节。

5.2 高纯铟：磷化铟制造的关键基础材料

高纯铟是磷化铟制造中的关键原料。普通4N级精铟难以满足高端光通信器件对杂质控制、载流子浓度、迁移率和晶体缺陷的要求。因此，高纯铟不是简单的精铟延伸，而是具有独立技术壁垒、设备壁垒、客户认证壁垒和良率壁垒的高端材料环节。

高纯铟的质量会影响磷化铟多晶料合成、单晶生长和最终衬底性能。若杂质元素控制不佳，可能导致晶体缺陷、位错密度上升、电学参数不稳定、外延质量下降，最终影响激光器、探测器等器件性能。

5.3 6N以上高纯铟扩产难点

电解法是较常见的铟精炼方法，技术成熟、设备成本相对较低，通常能够制备4N至5N精铟。但6N以上高纯铟对杂质控制标准显著提升，需要严格控制硫、硅、砷、锌、锂、镁、铁、锡、铜、铅、锑、铋等杂质元素。

7N及以上高纯铟通常需要采用真空蒸馏法、区域熔炼法等多种提纯工艺组合，并经过多次循环提纯。该过程设备高度定制，工艺参数复杂，良率控制难度高，同时还需要通过下游衬底企业和光芯片企业认证。

高纯铟扩产难点主要体现在三方面。首先是设备和工艺壁垒。高纯化设备往往需要定制，工艺参数高度依赖企业经验。其次是检测壁垒。ppb级杂质控制需要高精度检测体系，否则难以形成稳定质量管理。最后是认证壁垒。下游客户尤其是半导体和光通信客户，对材料稳定性要求极高，认证周期较长，一旦进入供应链也具备较强客户黏性。

5.4 技术路线比较

从技术路线看，高纯铟制备通常并非单一工艺，而是多种工艺组合。电解法适合大规模基础精炼，成本较低，但纯度提升空间有限。真空蒸馏法适合去除部分挥发性杂质，但对设备真空度、温度控制和材料损耗要求较高。区域熔炼法可进一步提升纯度，但效率相对较低，适合高端小批量材料制备。

磷化铟单晶生长方面，常见方法包括VB法和VGF法等。不同方法在晶体质量、成本、尺寸放大和良率方面各有优劣。海外企业凭借多年积累，在4英寸和6英寸高端衬底方面具有明显优势。国内企业若要实现真正替代，需要同时突破大尺寸、低缺陷、高一致性和批量稳定供货。

5.5 技术进步方向

未来技术进步主要集中在四个方向。

第一，高纯铟制备能力提升。提高6N、7N及以上高纯铟的稳定批量供应能力，降低杂质含量并提升批次一致性。

第二，磷化铟衬底尺寸扩大。由2至4英寸向6英寸推进，并探索更大尺寸外延技术，以提高单片芯片产出量、降低单位成本。

第三，良率提升。高纯材料、多晶合成、单晶生长、切磨抛、外延片加工各环节良率提升，是降低成本和扩大有效供给的核心。

第四，国产设备和供应链自主化。磷化铟扩产周期长、设备依赖度高，若核心设备和耗材实现国产替代，将提升产业链安全性并降低扩产约束。

PART 06

磷化铟市场分析：高度垄断与国产替代并行

6.1 磷化铟需求结构

磷化铟需求呈多点开花趋势，其中光通信与数据中心仍是最核心需求载体。根据资料，光通信和数据中心领域需求占比约68.3%。

除光通信外，磷化铟还可应用于车载激光雷达、5G/6G通信、航空航天、国防军工、光传感器、射频器件等领域。随着高速光通信、智能驾驶和新一代通信技术发展，磷化铟的战略价值持续提升。

6.2 市场规模与出货预测

根据资料援引Yole数据，2027年全球磷化铟衬底出货量预计达到128.45万片，市场规模预计达到2.67亿美元。2025年至2027年出货量和市场规模复合增长率分别约为18.72%和16.7%。

按应用方向看，2027年光模块器件、传感器件和射频器件对应磷化铟衬底市场规模预计分别为2.02亿美元、0.72亿美元和0.17亿美元，占比分别约为69%、25%和6%。

尽管磷化铟衬底市场绝对规模相较硅片、碳化硅、氮化镓等材料仍较小，但其战略价值和增长速度较高。对于铟行业而言，磷化铟市场规模不必达到硅片量级，只要其对高纯铟形成数百吨级增量需求，就足以影响铟供需平衡。

6.3 全球竞争格局：海外巨头垄断

全球磷化铟市场高度集中。日本住友电工、北京通美/AXT等企业占据主要市场份额。资料显示，日本住友电工市占率约60%，AXT通过北京通美占据约35%份额，二者合计占据全球绝大部分市场。法国II-VI、日本JX金属等企业也在高端外延片和特定应用领域具备竞争力。

行业呈现高壁垒、高集中度、高客户认证难度特征。磷化铟衬底不仅需要晶体生长技术，还需要较高良率、稳定批次一致性、缺陷控制能力及长期客户验证。

这种竞争格局意味着，短期内新增需求很难被大量新进入者快速满足。即便企业宣布扩产，也需要经历设备安装、工艺调试、良率爬坡和客户认证多个环节，实际有效供给释放往往明显滞后。

6.4 供需缺口与景气周期

资料显示，2025年全球磷化铟衬底需求约200至210万片，全球有效合规产能约60至70万片，供需缺口接近70%。由于磷化铟扩产周期通常长达18至36个月，核心设备依赖进口，良率爬坡也需要较长时间，行业供需紧张可能延续至2028年。

在需求快速增长、供给释放缓慢的背景下，磷化铟衬底价格和相关上游高纯铟材料价格有望维持较强支撑。更重要的是，供需缺口将加速下游客户对国产供应商的验证意愿，为中国企业突破高端客户供应链提供窗口期。

6.5 国产替代进展

国内企业正在加速突破磷化铟衬底及外延技术，代表企业和主体包括云南锗业旗下鑫耀半导体、三安光电、云南鑫耀、九峰山实验室、中科光芯、博杰股份投资的鼎泰芯源、陕西铟杰半导体、华芯晶电等。

云南锗业子公司鑫耀半导体已实现4英寸磷化铟衬底批量供货，6英寸产品通过重要客户验证，资料显示其产能达到15万片/年。公司还计划实施高品质磷化铟单晶片建设项目，在现有基础上扩建年产30万片高品质磷化铟单晶片产线，最终达到年产45万片产能。

三安光电募资扩产，武汉基地布局6英寸衬底产能，并切入核心客户供应链。九峰山实验室联合云南鑫耀成功开发6英寸磷化铟基外延生长工艺，并计划进一步攻克8英寸外延技术。

整体看，国产企业已从实验室验证和小批量供货进入客户验证、产能建设和规模化突破阶段。若后续6英寸衬底良率和客户认证持续推进，中国企业有望在磷化铟衬底环节实现从"追赶"到"局部替代"的跨越。

6.6 国产替代的核心难点

国产替代并非简单依靠价格优势即可完成。磷化铟衬底下游客户包括光芯片、激光器、探测器和高速光模块企业，对材料一致性和可靠性要求极高。材料端微小缺陷可能在器件端放大，影响性能、寿命和良率。

因此，国产替代需要解决四个问题：一是产品性能达到国际水平；二是批量稳定供货；三是通过头部客户长期认证；四是在成本、交期和供应链安全上体现综合优势。当前国内企业已开始突破第一阶段和第二阶段，未来能否完成头部客户大规模导入，将决定国产替代速度。

PART 07

铟价格分析：供需紧平衡与主题催化共同驱动

7.1 铟价历史波动特征

铟价具有典型小金属特征：供给弹性弱、需求边际变化影响大、库存和情绪扰动明显、价格波动幅度较高。

历史上，铟价曾受到智能手机、平板、LCD面板放量带动，ITO靶材需求快速增长推动价格上涨；也曾因泛亚事件导致库存抛售和市场信心受挫，出现价格下行。近年来，环保限产、面板需求回暖、光伏HJT需求预期以及出口管制等因素共同影响铟价。

小金属价格往往不完全由当期供需决定，还会受到库存结构、贸易流向、政策预期和金融属性影响。当市场预期某种小金属进入战略材料目录或下游需求爆发时，价格可能提前反映未来紧缺预期。

7.2 当前价格上涨驱动因素

当前铟价走强主要来自三方面因素。

第一，供给端收缩。原生铟受锌冶炼开工、原料供应和环保约束影响，增量有限；再生铟虽然增长，但回收技术和原料来源限制了短期释放速度。

第二，需求端重估。ITO靶材需求稳定，AI光模块带动高纯铟和磷化铟需求快速增长，市场开始重新评估铟在AI产业链中的战略价值。

第三，政策与地缘因素。小金属通常与出口管制、关键矿产安全、供应链自主可控相关，政策预期容易放大价格弹性。

7.3 铟价传导机制

铟价上涨的传导路径通常表现为：下游新兴需求增长或政策催化引发市场预期变化，现货成交活跃度提升，贸易商和下游企业补库，价格快速上行；随后高价刺激再生铟回收增加和部分库存释放，价格进入震荡阶段；若需求真实兑现且供给无法跟上，价格中枢继续上移。

在本轮周期中，关键在于AI光模块需求是否从预期转化为真实材料消耗。如果高速光模块订单持续增长，磷化铟衬底厂扩产并消耗更多高纯铟，则铟价上涨将具备更坚实的基本面基础。反之，如果只是主题驱动而需求未及时兑现，价格可能出现阶段性回调。

7.4 价格趋势判断

中期看，铟价有望维持高位震荡。若AI光模块放量节奏持续兑现，高纯铟和磷化铟衬底环节可能出现结构性紧缺，从而支撑精铟价格中枢上移。

但铟价也存在明显波动风险。若光模块需求低于预期、库存释放、再生铟供给超预期、替代材料或技术路线出现突破，价格可能出现阶段性回调。

因此，对铟价的判断不能只看价格本身，还应跟踪供需验证指标，包括锌冶炼开工、原生铟产量、再生铟回收量、ITO靶材订单、高纯铟成交价格、磷化铟衬底扩产进度和AI光模块出货预期。

PART 08

产业链竞争格局

8.1 全球竞争格局

全球铟产业链呈现"资源分布集中、加工能力分化、高端材料海外领先"的格局。

在资源和冶炼端，中国具备全球领先地位，是最大的原生铟生产国和精铟供应国。2026年至2027年中国精铟产量预计占全球比重超过70%。这一地位使中国在铟资源安全和基础供应方面具有较强话语权。

在高纯铟和磷化铟衬底端，海外企业技术领先。高纯铟领域主要企业包括Dowa、Rasa、Indium Corporation、5N Plus、ALB Materials等；磷化铟衬底领域则由住友电工、AXT/北京通美等占据主导。

8.2 中国竞争优势与短板

中国在铟产业链中的优势主要包括资源储量、冶炼产能、精铟供应、下游显示产业链规模及国产替代政策支持。中国拥有完整的有色金属冶炼体系和庞大的显示面板制造能力，为铟的生产、消费和回收提供了产业基础。

短板主要集中于高端材料环节，包括6N至7N以上高纯铟稳定批量制备、6英寸磷化铟衬底良率、外延片一致性、国际头部客户认证等。

未来中国企业竞争力提升的关键不在于单纯扩大普通精铟产能，而在于向高纯铟、磷化铟衬底、外延片和光芯片材料延伸。资源企业如果能够通过技术研发和产业合作向高端材料延伸，将获得更高估值弹性。

8.3 行业集中度判断

铟资源和原生铟生产具备较强集中性，国内锡业股份、株冶集团、中金岭南等企业具备资源或冶炼优势。磷化铟衬底则更加集中，海外头部企业占据绝对主导。高纯铟环节由于技术难度和认证壁垒较高，未来也可能呈现较高集中度。

在普通精铟市场，价格更多由供需、库存和贸易结构决定；在高纯铟市场，价格和利润率更多由技术能力、客户认证和供应稳定性决定。因此，产业链不同环节的竞争逻辑存在明显差异。

8.4 利润分布趋势

从产业链利润分布看，上游资源企业受益于铟价上涨，但盈利弹性受到产量和主金属业务影响。中游高纯铟企业受益于材料纯度提升和客户认证，具备更高附加值。磷化铟衬底企业则处于供需缺口较大的环节，若能够稳定量产并进入主流客户供应链，盈利能力有望显著提升。

长期看，行业利润将向具备技术壁垒和客户壁垒的环节集中。仅拥有普通精铟产能的企业受益于价格周期，而具备高纯铟、磷化铟衬底、外延片能力的企业则更可能获得成长型估值。

PART 09

市场空间测算框架：基于精铟、AI光模块与磷化铟的定量测算

本章在原有测算框架基础上，补充具体数据、测算公式和数据出处。整体思路是先测算全球精铟需求总盘，再拆分ITO靶材基本盘和AI光模块新增需求，最后进一步延伸至磷化铟衬底与高纯铟市场空间。需要说明的是，铟行业市场规模较小，且价格波动较大，因此市场空间测算更适合用于判断趋势和弹性，而不宜机械理解为精确预测。

10.1 全球精铟需求总量测算

援引的安泰科数据，2025年全球精铟消费量为2316吨，2022年至2025年复合增长率约为7.31%；安泰科预测2026年和2027年全球精铟消费量分别达到2510吨和2813吨，同比增长8.38%和12.07%。资料中进一步假设2028年至2030年全球精铟需求分别为3094.30吨、3403.73吨和3573.92吨。

从总量看，全球精铟需求预计由2025年的2316吨增长至2030年的3573.92吨，五年增量约1257.92吨。若以2025年至2030年计算，对应复合增速约9.1%。这一增速明显高于传统成熟小金属需求增速，主要原因在于AI光模块、高纯铟和磷化铟材料需求开始形成新的增量来源。

10.2 全球精铟市场规模测算

市场规模测算公式为：全球精铟市场规模等于全球精铟消费量乘以精铟价格。

按照4650元/公斤铟价计算，吨锌副产约0.15kg精铟可贡献副产品收益。考虑铟价波动较大，本报告设置三个价格情景：保守情景为3500元/公斤，中性情景为4650元/公斤，乐观情景为6000元/公斤。

在中性价格4650元/公斤假设下，全球精铟市场规模预计由2025年的约107.69亿元增长至2030年的约166.19亿元。若铟价在供需紧平衡和AI需求催化下上行至6000元/公斤，则2030年全球精铟市场规模可达到约214.44亿元。

该测算说明，铟行业虽然绝对市场规模不大，但价格弹性较强。对于拥有资源储量和产量的企业而言，铟价每上行1000元/公斤，若年产量为100吨，则理论收入弹性约1亿元；若成本相对稳定，利润弹性可能更为显著。

10.3 ITO靶材需求测算：传统基本盘

ITO靶材是铟最大消费应用，占全球铟消费总量接近80%。2025年全球精铟消费量为2316吨，以79%占比测算，ITO靶材对应精铟消费量约1829.64吨。ITO靶材用铟需求等于全球精铟消费量乘以ITO靶材消费占比。

需要注意的是，2026年至2030年ITO占比为本报告根据新兴应用占比提升趋势所作假设，不代表安泰科直接预测。即便ITO占比从2025年的约79%下降至2030年的70%，由于全球精铟总需求增长，ITO靶材对应铟需求量仍可能由1829.64吨增长至2501.74吨。也就是说，ITO需求并非萎缩，而是相对占比下降。

从市场空间看，若以4650元/公斤中性价格测算，2025年ITO靶材对应铟市场规模约85.08亿元，2030年约116.33亿元。ITO仍是铟消费最重要的基本盘。

10.4 AI光模块用高纯铟需求测算

AI光模块是铟需求新增量中最值得关注的方向。根据用户提供资料，800G、1.6T和3.2T光模块均会拉动磷化铟芯片和衬底需求。测算逻辑如下：光模块出货量乘以单模块磷化铟芯片用量，得出磷化铟芯片需求量；磷化铟芯片需求量除以单片衬底芯片产出，再除以芯片良率，得出磷化铟衬底消耗量；磷化铟衬底消耗量乘以单片铟消耗量，依次除以多晶合成良率、单晶生长良率和衬底加工良率，得出高纯铟需求量；高纯铟需求量除以高纯铟良率，得出折算精铟需求量。

2026年至2030年光模块领域对应高纯铟需求量和折算精铟需求如下：2026年光模块用高纯铟需求量为133.20吨，高纯铟良率70%，折算精铟需求190.29吨，占全球精铟总需求2510吨的7.58%；2027年高纯铟需求206.15吨，良率70%，折算精铟294.50吨，占比10.47%。

从测算结果看，光模块对应高纯铟需求量预计由2026年的133.20吨增长至2030年的440.69吨，四年增长约2.31倍；折算精铟需求由190.29吨增长至550.86吨，占全球精铟需求比例由7.58%提升至15.41%。

这一变化对铟行业意义重大。由于全球精铟消费总量仅数千吨，光模块新增需求在2030年达到550吨以上精铟当量，已经足以成为影响行业供需平衡的关键变量。更重要的是，光模块需求对应的是高纯铟和磷化铟衬底，而非普通低纯度精铟，因此可能引发高端铟材料先于普通精铟出现结构性紧缺。

10.5 AI光模块用铟市场规模测算

基于上述折算精铟需求，进一步测算AI光模块对应铟材料市场规模。仍采用3500元/公斤、4650元/公斤和6000元/公斤三个价格情景。

在中性价格4650元/公斤假设下，AI光模块对应精铟市场空间预计由2026年的约8.85亿元增长至2030年的约25.61亿元。若按6000元/公斤乐观价格测算，2030年可达到约33.05亿元。

该市场空间看似绝对规模不大，但其对产业链的影响远超金额本身。原因在于：第一，光模块需求增速高；第二，其需求集中于高纯铟和磷化铟材料，技术壁垒高；第三，相关材料处于AI算力基础设施核心供应链中，战略属性强；第四，新增需求相对于全球精铟供需平衡具有较大边际影响。

10.6 磷化铟衬底市场空间测算

援引Yole数据，2027年全球磷化铟衬底出货量预计达到128.45万片，市场规模预计达到2.67亿美元；2025年至2027年出货量和市场规模复合增速分别约为18.72%和16.7%。同时，2027年光模块器件、传感器件和射频器件对应磷化铟衬底市场规模预计分别为2.02亿美元、0.72亿美元和0.17亿美元，占比分别约为69%、25%和6%。

需要说明的是，用户提供资料中同时出现"2027年磷化铟衬底总市场规模2.67亿美元"和按应用拆分后"光模块2.02亿美元、传感器0.72亿美元、射频0.17亿美元，合计2.91亿美元"的口径差异。该差异可能来自统计口径不同，例如衬底口径、器件口径、预测版本差异或四舍五入处理。为保持审慎，本报告在总市场规模测算中采用2.67亿美元作为主口径，在应用结构分析中采用资料原文列示的应用拆分数据。

若按人民币兑美元7.2的汇率假设，则2027年全球磷化铟衬底市场规模约为19.22亿元人民币。若以应用拆分合计2.91亿美元口径测算，则对应约20.95亿元人民币。

10.7 磷化铟衬底供需缺口测算

援引Omdia、Yole 2026年3月报告，2025年全球磷化铟衬底需求约200至210万片，全球有效合规产能仅60至70万片，供需缺口接近70%。具体而言，以需求中值205万片、产能中值65万片计算，供需缺口约140万片，缺口比例相对需求约为68.3%，与资料中"供需缺口近70%"表述基本一致。

磷化铟衬底扩产周期通常长达18至36个月，且核心设备依赖进口、良率爬坡需要8至12个月，因此即便头部企业启动扩产，实际有效产能释放仍存在滞后。该供需缺口是支撑磷化铟衬底价格、高纯铟需求和国产替代机会的重要基础。

10.8 TAM / SAM / SOM测算

为了更清晰地理解铟行业市场空间，可从TAM、SAM、SOM三个层次展开。

TAM即全球精铟全部应用市场。以全球精铟消费量和铟价测算，在4650元/公斤中性价格假设下，2025年全球精铟TAM约107.69亿元，2030年约166.19亿元。

SAM可理解为AI光模块、磷化铟衬底、高纯铟相关的可服务市场。以光模块折算精铟需求测算，在4650元/公斤中性价格假设下，2026年SAM约8.85亿元，2030年约25.61亿元。同时，若以磷化铟衬底市场规模测算，2027年全球磷化铟衬底市场约2.67亿美元，折合约19.22亿元人民币。这两个口径分别代表上游铟材料价值量和中游磷化铟衬底价值量。

SOM即具体企业可获得市场份额，需要结合产能、良率、客户认证和产品价格测算。由于资料中未披露各企业实际订单和单价，本报告采用产能口径进行示意测算。

以云南锗业为例，资料显示其磷化铟晶片产能为15万片/年，且计划在现有基础上扩建年产30万片高品质磷化铟单晶片生产线，最终达到年产45万片产能。若以2027年全球磷化铟衬底出货量128.45万片为参照，则云南锗业现有15万片产能对应全球出货量约11.68%，远期45万片产能对应约35.03%。

需要强调，上述SOM仅为产能口径测算，并不等于实际市场份额。实际市场份额还取决于产品尺寸结构、良率、客户认证、订单获取、产品价格和产能利用率。尤其是6英寸高端磷化铟衬底，不能简单与2至4英寸产品按片数直接等价比较。

10.9 测算结论

综合上述测算，铟行业市场空间可得出四点结论。

第一，全球精铟总需求预计从2025年的2316吨增长至2030年的3573.92吨，在4650元/公斤中性价格下，对应市场规模由107.69亿元增长至166.19亿元。

第二，ITO靶材仍是最大应用领域。即使占比因新兴应用提升而下降，其对应需求量仍可能保持增长，是铟需求基本盘。

第三，AI光模块是未来最重要边际增量。光模块折算精铟需求预计从2026年的190.29吨增长至2030年的550.86吨，占总需求比例由7.58%提升至15.41%。在4650元/公斤中性价格下，对应市场空间由8.85亿元增长至25.61亿元。

第四，磷化铟衬底是高端铟材料价值重估的核心环节。2027年全球磷化铟衬底市场规模预计约2.67亿美元，供需缺口接近70%。在扩产周期长、客户认证严、良率爬坡慢的背景下，国产供应商若能突破6英寸产品、稳定良率和核心客户认证，将具备较大成长空间。

PART 10

结论

铟行业正处于基本面与产业叙事共同变化的阶段。供给端，铟副产属性决定其扩产弹性有限，锌冶炼亏损、环保能耗约束和伴生矿品位下降进一步强化供给紧平衡。需求端，ITO靶材构成稳定基本盘，AI算力建设带动高速光模块需求爆发，磷化铟衬底和高纯铟成为新的增长极。

从产业链价值看，普通精铟的资源价值正在被重新认识，高纯铟和磷化铟衬底的技术价值也在快速凸显。未来行业机会将从单纯价格上涨，逐步转向"资源端稀缺性 + 高纯材料突破 + 磷化铟国产替代"的复合逻辑。

在投资方向上，应重点关注具备资源储量、原生铟产能、锌冶炼综合回收能力、高纯铟深加工能力、磷化铟衬底技术和客户验证进展的企业。云南锗业、锡业股份、株冶集团、中金岭南分别代表磷化铟成长、铟资源龙头、锌冶炼副产回收和多金属资源平台等不同受益方向。

总体判断，铟有望从传统显示产业链小金属，逐步升级为AI算力基础设施中的关键战略材料，其资源属性、成长属性和安全属性均具备进一步重估空间。未来行业研究重点应从"铟价是否上涨"进一步深化为"铟价上涨能否转化为资源企业盈利、高纯铟能否形成结构性短缺、磷化铟国产替代能否兑现、AI光模块需求能否持续增长"。只有上述变量形成共振，铟行业才有望进入持续景气周期。

PART 13

附录一：术语说明

铟（Indium, In）：一种稀散金属，常作为锌、铅、铜、锡等矿石的伴生元素存在。

精铟：通常指经过精炼后的铟产品，纯度多在4N至4N5水平。

高纯铟：通常指5N及以上纯度的铟材料，6N至7N高纯铟可用于磷化铟衬底制造。

ITO靶材：氧化铟锡靶材，用于制备透明导电薄膜，广泛应用于显示和触控领域。

磷化铟（InP）：由铟和磷组成的化合物半导体材料，适用于高速光通信、激光器、探测器和光子集成芯片。

EML激光器：电吸收调制激光器，常用于高速光通信模块。

APD探测器：雪崩光电二极管，适用于高速高灵敏度光接收。

800G / 1.6T / 3.2T光模块：分别代表传输速率为800Gbps、1.6Tbps和3.2Tbps的高速光通信模块。

N纯度：金属纯度表达方式，如6N代表99.9999%，7N代表99.99999%。