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引

言

长鑫科技作为中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM（动态随机存取存储器）研发设计制造一体化（IDM）企业，正乘全球存储行业“超级周期”与AI算力需求爆发的东风，实现业绩的史诗级反转与跃升。2025年成功扭亏为盈，实现营收617.99亿元，同比增长约155%；归母净利润18.75亿元（2024年亏损71.45亿元）。2026年一季度业绩呈现“炸裂式”增长，单季营收508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，相当于“日赚近4亿元”。公司预计2026年上半年营收达1100-1200亿元，归母净利润500-570亿元。业绩爆发的核心驱动力在于全球DRAM市场供不应求带来的价格大幅上涨、公司产能规模提升以及产品结构向高附加值DDR5/LPDDR5X优化。公司核心竞争力在于IDM全产业链自主可控模式、国内领先的工艺技术（已完成四代技术平台迭代，DDR5/LPDDR5X性能达国际主流水平）以及中国第一、全球第四的市场地位（2025Q4全球份额7.67%）。此次科创板IPO拟募资295亿元，将用于产能升级与技术研发，有望进一步巩固其国产存储龙头地位并缩小与国际巨头的差距。主要风险在于存储行业强周期性、技术迭代风险、国际竞争加剧及客户集中度风险。这是一家正处于行业景气高点、凭借技术突破实现国产替代、业绩弹性巨大的半导体核心资产。

一、公司概况：肩负国家使命的国产DRAM IDM龙头

长鑫科技集团股份有限公司成立于2016年，总部位于安徽合肥，是一家专注于DRAM芯片设计、研发、生产和销售的一体化存储器制造公司。公司采用IDM（垂直整合制造）模式，实现了从芯片设计、晶圆制造到封装测试的全产业链自主可控。作为中国DRAM产业的破局者，公司成功打破了海外巨头在该领域长达数十年的垄断，被誉为“国产存储第一股”。

发展使命：以先进技术赋能智能社会，改善人类生活，实现中国DRAM产业的自主可控。

行业地位：根据Omdia数据，按照产能和出货量统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。2025年第四季度，其全球市场份额已提升至7.67%。

产能布局：公司在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，产能规模位居国内首位。

股东阵容：公司股东背景显赫，包括国家集成电路产业投资基金二期（大基金二期）、安徽省投、阿里巴巴、腾讯、招银国际、人保资本、建信金融、国调基金、君联资本、小米产投等，体现了国家战略资本与市场资本对其产业价值的高度共识。

IPO进程：公司科创板IPO申请于2025年12月30日获受理，并于2026年5月17日更新财务资料后恢复审核。本次拟募资295亿元，创科创板最大融资规模纪录，资金将用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM技术升级及前瞻技术研发等项目。

二、财务表现：从巨额亏损到盈利爆发，上演“史诗级”反转

1. 2025年年度业绩：成功扭亏为盈，营收高速增长

• 营收跨越式增长：实现营业收入617.99亿元，较2024年的241.78亿元增长约155%。

• 历史性扭亏为盈：归母净利润为18.75亿元，相较2024年亏损71.45亿元，实现根本性逆转；扣非归母净利润为53.16亿元。

• 毛利率大幅改善：综合毛利率从2023年的-2.19%、2024年的5.00%，跃升至2025年的41.02%，已超越三星电子半导体业务同期毛利率（39.38%），反映其强大的成本控制与产品溢价能力。

• 营收逐季加速：2025年分季度营收分别为61亿元、91亿元、165亿元、296亿元，第四季度单季营收接近前三季度总和，增长动能强劲。

2. 2026年一季度业绩：盈利呈指数级增长，创历史纪录

• 营收利润“炸裂”：实现营业收入508亿元，同比暴增719.13%，相当于2025年全年的82%；归母净利润247.62亿元，同比增长超16倍；扣非归母净利润263.41亿元。

• 盈利能力登峰：以净利润计算，相当于日赚近4亿元。经营性现金流量净额高达425.7亿元，盈利质量极高。

• 增长预期强劲：公司预计2026年上半年营业收入将达到1100亿至1200亿元，同比增长612.53%至677.31%；归母净利润500亿至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%。

3. 近三年财务数据对比及趋势

数据来源：公司招股说明书（2026年5月更新版）及公开市场信息。

财务趋势解读：公司业绩在2023-2024年承受巨额亏损（累计亏损超300亿元），主要源于DRAM行业下行周期及高昂的研发与折旧摊销。2025年下半年起，伴随行业景气度反转，公司凭借产能释放与产品升级，迅速实现盈利，并在2026年一季度展现出惊人的盈利弹性，标志着其已跨越盈亏平衡点，进入规模化盈利新阶段。

三、业务与技术分析：全栈IDM能力，产品力比肩国际

1. 核心业务：DRAM全系列产品覆盖

公司专注于DRAM产品的研发、设计与制造，产品线完整覆盖两大主流系列：

• DDR系列：应用于服务器、PC、工作站等领域。2025年DDR系列产品收入同比大增515%。

• LPDDR系列：应用于智能手机、平板电脑、物联网等移动及低功耗场景。

2. 技术实力：完成“跳代研发”，达到国际先进水平

• 工艺平台：采取“跳代研发”策略，已完成从第一代到第四代工艺技术平台的量产。

• 产品迭代：实现了从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品全覆盖与迭代。

• 性能指标：

• DDR5：最高速率突破8000Mbps，最高颗粒容量达24Gb，并推出七大模组类型。

• LPDDR5X：最高速率达10667Mbps，最高颗粒容量16Gb，性能较上一代提升66%，功耗降低30%。

• 技术成果：核心产品及工艺技术已达到国际先进水平，是国内唯一实现此类产品大规模量产的企业。

3. 商业模式：IDM模式构筑核心壁垒

采用IDM模式，集芯片设计、制造、封测于一体。该模式使公司能够：

• 自主可控：完全掌握产能规划与技术发展节奏，不受外部代工产能制约。

• 快速协同：实现从设计到制造的全流程优化，加快产品迭代速度。

• 成本优势：在规模效应下，有效降低单位成本。

四、行业趋势与市场机遇：AI驱动“存储超级周期”

1. AI算力需求引爆存储市场

生成式AI的爆发式增长，推动AI服务器对高带宽内存（如HBM）及高性能DDR5的需求激增。同时，AI向PC、手机等边缘端渗透，也拉动了对LPDDR5X的需求。这改变了存储行业由传统消费电子驱动的强周期特性，带来了更具确定性的结构性增长。

2. 供给侧格局优化，国产替代窗口打开

国际存储巨头（如美光）逐步退出部分成熟制程市场，将产能转向利润更高的HBM等领域。这为长鑫科技在DDR4、DDR5等主流市场填补供应缺口、提升市场份额提供了战略机遇。

3. 市场规模持续扩张

据Omdia预测，全球DRAM市场规模有望从2025年的1505亿美元增至2030年的5710亿美元，年均复合增长率达30.56%。巨大的市场空间为龙头公司成长提供了舞台。

4. 国家战略支持与供应链安全需求

在复杂的国际环境下，存储芯片作为信息产业的“粮食”，其自主可控关乎国家安全。长鑫科技作为国产DRAM龙头，是保障国内信息产业供应链安全的核心力量，将持续获得政策与资本的大力支持。

五、核心竞争力与护城河分析

1. 全产业链自主可控的IDM模式

在中国半导体产业中，具备DRAM IDM能力的企业凤毛麟角。该模式是公司应对供应链波动、保障产能供给、实现技术快速迭代的最深护城河。

2. 领先的技术与产品实力

公司已完成多代技术跨越，DDR5/LPDDR5X产品性能参数比肩国际一线厂商，打破了海外技术垄断，证明了其强大的研发与工程化能力。

3. 规模化的产能与中国第一的市场地位

3座12英寸晶圆厂构成了庞大的产能基础，规模效应带来的成本优势日益显著。中国第一、全球第四的市场地位带来了客户认可度和品牌效应。

4. 顶尖的股东与产业资源

汇聚了国家级产业基金、地方政府、互联网巨头及顶级财务投资人的股东阵容，为公司提供了雄厚的资本支持、产业协同与战略资源。

5. 精准的战略卡位与行业周期驾驭能力

公司成立于行业上一轮低谷期（2016年），通过逆周期投入完成技术和产能积累，并在本轮AI驱动的上行周期中精准释放产能，最大化享受行业红利，展现了卓越的战略定力与周期驾驭能力。

六、风险因素与挑战

1. 存储行业强周期性风险

DRAM行业具有显著的周期性，价格波动剧烈。当前的高景气度可能随着产能大规模释放而转向，公司业绩可能随之大幅波动。

2. 激烈的国际竞争与技术迭代风险

公司直接面对三星、SK海力士、美光等国际巨头的竞争。后者在资本、技术、专利和生态上仍有巨大优势。存储技术迭代迅速，公司需持续投入巨资研发以保持竞争力。

3. 客户集中度风险

作为上游核心元器件供应商，可能存在客户相对集中的情况。主要客户的需求变动或订单调整将对公司经营产生较大影响。

4. 巨额资本开支与折旧压力

IDM模式是资本密集型行业，公司未来仍需持续投入巨额资金进行技术升级和产能扩张，产生大量的折旧摊销，在行业下行期将对利润构成压力。

5. 知识产权风险

DRAM行业专利壁垒极高，公司在发展过程中需妥善处理与国际巨头的知识产权关系，避免潜在纠纷。

七、募投项目与未来展望

IPO募资用途（拟募资295亿元）：

1. 存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目：提升现有产线的工艺水平和生产效率。

2. DRAM存储器技术升级项目：研发更先进的制程工艺和下一代产品。

3. 动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目：布局HBM（高带宽内存）等前沿存储技术。

发展前景：

• 短期（1-2年）：充分受益于当前存储超级周期，业绩持续释放。IPO成功将极大缓解财务压力，助力产能扩张与技术研发。

• 中期（3-5年）：通过募投项目完成技术升级，进一步缩小与国际领先水平的技术代差。提升在DDR5、LPDDR5X等高端市场的份额，并尝试切入HBM等更前沿领域。

• 长期：致力于成为全球领先的存储器解决方案提供商，深度参与全球存储产业格局重塑，成为保障全球半导体供应链多元化和稳定性的关键力量。

八、投资建议与估值分析

投资亮点

1. 国产替代核心标的：中国DRAM产业自主化的绝对龙头，承载国家战略，成长确定性高。

2. 行业周期与成长共振：恰逢AI驱动的存储超级周期，公司产能与技术准备充分，业绩爆发力极强。

3. 盈利拐点确认，弹性巨大：2025年扭亏为盈，2026年一季度盈利呈数量级增长，验证了其盈利模型和周期反转逻辑。

4. 技术突破构筑壁垒：IDM模式及DDR5/LPDDR5X等高端产品的量产，证明了其硬科技实力，护城河深厚。

5. 市场空间广阔：全球DRAM市场数千亿美元规模，公司目前份额仅约7%，成长天花板极高。

风险提示

1. 行业周期性下行风险。

2. 技术研发不及预期或迭代风险。

3. 国际政治与贸易摩擦带来的供应链风险。

估值探讨

对于长鑫科技这类处于强周期成长阶段的半导体IDM巨头，传统的PE估值方法可能暂时失效，需结合行业景气度、市场份额、技术地位及长期成长空间进行综合评估。

• 周期视角：公司正处于行业景气度与自身盈利能力的双重高点。

• 成长视角：作为国产替代的旗帜，其长期市场份额提升逻辑清晰。

• 稀缺性视角：A股市场稀缺的DRAM IDM龙头，具备独特的配置价值。

投资建议：长鑫科技是中国半导体产业攻坚克难的典范，其上市将是资本市场的一件大事。当前时点，公司同时具备强周期弹性与长成长逻辑。对于能够承受半导体行业高波动、看好国产替代大趋势及AI算力长期需求的投资者而言，长鑫科技是值得重点关注的战略性标的。考虑到其龙头地位、业绩爆发性及长期成长空间，给予“积极关注”评级。建议投资者密切关注其IPO进程、后续季度业绩兑现情况以及存储芯片价格走势。

数据来源：长鑫科技集团股份有限公司科创板招股说明书（申报稿，2026年5月更新）。

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免责声明：本报告基于公开信息分析，仅供参考，不构成任何投资建议。投资者应结合自身风险承受能力谨慎决策，并密切关注公司动态和行业变化。