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181-调研报告:《电动汽车——从动力域集成(x-in-1)到功率半导体混合》

   日期:2026-03-08 16:42:53     来源:网络整理    作者:本站编辑    评论:0    
181-调研报告:《电动汽车——从动力域集成(x-in-1)到功率半导体混合》

本报告共23页:报告版权归作者所有,本公众号仅做技术分享

该报告主要围绕全球电动化趋势、动力域控制器(x-in-1)以及功率半导体(SiC与Si)混合应用等电动化关键技术进展展开分析。

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主要内容介绍

全球电动化趋势

  • BEV adoption特点
    :BEV的采用并非线性发展,在早期采用者和早期多数用户之间存在鸿沟,尤其对于大型汽车市场而言具有挑战性。不同市场情况各异,如挪威2023年BEV在LDV中的占比约80%,2022年EV与公共充电器比例为34:1,表明即使是滞后客户也在转向BEV;而有的市场BEV在LDV中占比约23%,EV与公共充电器比例为7:1。
  • 全球xEV市场预测
    :PHEV在未来几年增长领先,BEV增长放缓。xEV包含BEV(含FCEV)、PHEV(含REEV)、HEV、MHEV,2023-2029年CAGR数据中,不同类型xEV有不同增长幅度。
  • 中国xEV市场预测
    :中国将保持在EV领域的领先地位,PHEV(包括REEV)增长强劲,2023-2029年各类xEV也有相应的CAGR增长数据。
  • 关键技术趋势
    :包括高压系统集成、800V支持快速充电、SiC采用随800V增加、ESG和供应链弹性成为日益关注的问题,以及48V系统的初步探索等。

动力域控制器(x-in-1)

  • 集成级别
    :分为“One box”“One board”“One chip”三个级别。“One box”是将OBC和DC/DC等子系统放入一个外壳,共享外壳、冷却和连接器以节省成本,子系统基本独立运行;“One board”基于功能对先前子系统重新分区,节省板间电缆和连接器,以及部分PMIC、CAN收发器、隔离和无源元件;“One chip”是将当前各种MCU中的所有控制功能进一步集成到一个功能安全等级更高的更强大MCU芯片中,处于向动力域“中央计算平台”发展的初始阶段。
  • 超越动力域
    :涉及软件定义车辆和E/E架构,构建软件定义车辆所需的构建块,包括智能控制、机械接口、标准化接口、E/E接口、软件接口等;滑板底盘具有集成动力总成和底盘功能、高度可扩展适用于各种车辆细分市场、硬件模块化方法、电池组中央化、成本竞争力等特点;上车身以用户界面(UX)为基础、高度定制化、计算密集、数据中央化且与云连接,具有未来 revenue 生成潜力;对于多电机车辆,存在使用集中式双电机/逆变器的趋势,分布式eCorner系统作为电动传动系统的终极解决方案显示出长期潜力。

功率半导体混合:SiC与Si的融合

  • 特斯拉SiC减少策略
    :特斯拉在2023年3月投资者日宣称将减少75%的碳化硅,其策略包括车队策略(低价车型使用Si基功率器件,其他车型保留SiC)、Si/SiC混合(在器件、模块、拓扑等不同级别混合)、模块策略(将OBC的SiC模块改进扩展到逆变器)、器件策略(平面SiC MOSFET转向沟槽器件及其他先进器件如GaN等)、成本策略(多源采购SiC器件和衬底,通过规模扩大降低成本)。
  • 车辆级混合应用
    :4WD BEV常采用SiC MOSFET基逆变器与Si IGBT基逆变器的简单混合,而非一些“全SiC”解决方案,如现代Ioniq 5的动力总成。
  • 半导体器件级混合方法
    :包括混合裸片(将裸片并联封装在一个功率模块中,模块性能受Si IGBT限制,如结温)和混合分立器件(将封装的分立器件并联,具有高供应链灵活性,但掌握多分立器件并联的技术难度大)。
  • 各类功率半导体发展
    :Si IGBT向12英寸发展,中国企业加入竞争,封装起关键作用;SiC MOSFET需要专用解决方案,全供应链成本降低,晶锭生长仍是瓶颈;GaN HEMT首次进入汽车领域,需要更多创新,在成本竞争解决方案方面有潜力。

总结

  • 电动化发展态势
    :电动化发展速度放缓,预计2026年将出现更高增长,之后渗透率缓慢增长。
  • 集成趋势
    :集成是电动传动系统的关键趋势,并且正在跨领域发展。
  • 功率半导体混合应用
    :SiC MOSFET和Si IGBT的混合应用日益普及,可在不同级别实施。
  • 功率电子共存
    :各种功率电子将共存,共同为电动化做出贡献。

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