1. 中国新材料行业概览
新材料的定义与分类新材料指新出现或传统材料改进后，性能优异、有特殊功能的材料。新材料产业具技术、研发、附加值三高，国际性强、应用广等特点，是衡量国家国力与科技水平的重要指标。新材料分先进基础材料、关键战略材料和前沿新材料三类，具体如下：
先进基础材料：作为传统基础材料高性能迭代品类，是工业体系核心支撑。通过工艺优化、成分改性升级性能，涵盖先进钢铁及轮胎用酚醛树脂橡胶助剂。技术成熟、应用广，适配制造业升级。
关键战略材料：是支撑新兴产业与重大装备的核心材料，技术壁垒高、战略价值突出。聚焦高性能结构与功能材料，涵盖高性能纤维及光刻胶。决定下游高端制造自主可控能力。
前沿新材料：是处于技术突破或产业化初期的创新材料，代表未来方向，有颠覆性与高成长潜力。
2. 电子材料行业概览
电子材料包括半导体材料、显示材料等。半导体材料包括光刻用光刻胶、CMP抛光垫、EBR等。显示材料包括显示面板光刻胶、发光材料等。
3. 半导体材料行业概览
3.1 半导体行业综述与发展现状
中国已成为全球最大的半导体消费市场之一，下游应用涵盖消费电子、通信、汽车电子及人工智能等多个领域，在需求拉动和政策支持下，国内芯片制造业正处于快速发展阶段。从中国内地集成电路行业的市场规模来看，集成电路行业市场规模从2020年的人民币0.9万亿元增长至2024年的人民币1.3万亿元，期间复合年增长率为10.6%。未来，中国内地集成电路行业的市场规模有望继续保持高速增长，预计到2029年将达到人民币2.0万亿元，2024到2029年期间复合年增长率为8.5%。
3.2 半导体光刻胶行业概览
3.2.1 半导体光刻胶产品定义、分类与产业重要性
半导体光刻胶是芯片制造关键材料，能将掩模版电路图形精确转移到硅片表面。其性能决定芯片集成度，影响运算速度、功耗及成本，是延续摩尔定律、实现芯片制程微缩的关键。半导体光刻胶按感光波长分为G线(436nm)、I线(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)及EUV(13.5nm)等类别，是支撑半导体产业制造的核心材料。
G/I线光刻胶：作为半导体光刻胶基础品类，对应436nm和365nm曝光波长，用于功率器件等基础半导体部件制造。其核心价值是保障基础器件可靠性与稳定性，满足下游领域对功率半导体和基础芯片的规模化需求。
KrF/ArF/EUV光刻胶：作为高端半导体光刻胶核心品类，满足不同先进制程需求。KrF光刻胶对应248nm波长，用于逻辑、存储芯片中高端环节；ArF光刻胶对应193nm波长，是高端终端核心器件制造关键材料；EUV光刻胶对应13.5nm波长，支撑芯片性能突破。三者产业价值在于推动半导体产业升级，决定高端芯片国产化能力。技术突破可打破国外垄断、降低成本，保障战略新兴产业核心器件供应，是衡量国家半导体产业核心竞争力的重要标志。
3.2.2 半导体光刻胶的市场规模
从中国半导体光刻胶市场的销售金额来看，ArF光刻胶销售金额从2020年的人民币10.0亿元增长至2024年的人民币26.0亿元，复合年增长率为26.6%，预计2029年将达到人民币64.0亿元，期间复合年增长率为20.2%；KrF光刻胶销售金额从2020年的人民币10.0亿元增长至2024年的人民币21.0亿元，复合年增长率为21.7%，预计2029年将达人民币40.0亿元，期间复合年增长率为13.6%；G/I线及其他光刻胶销售金额从2020年的人民币5.0亿元增长至2024年的人民币9.0亿元，复合年增长率为17.4%，预计2029年将达到人民币11.0亿元，期间复合年增长率为3.3%。
3.2.3 半导体光刻胶行业的市场驱动因素及未来趋势分析
以人工智能为代表的终端需求扩大，重塑半导体产业结构。大模型训练与推理对算力要求提升，拉动高性能计算等芯片出货，抬升光刻环节技术要求及高性能光刻胶用量与门槛。
中国晶圆产能扩张。中国内地推进晶圆厂建设与产能爬坡，成为新增产能集中区域。国内晶圆厂投产使产能提升，拉动光刻胶需求增长。
技术路线持续升级，高端化成为长期主线：随着晶圆制造工艺向更小制程演进，光刻环节对分辨率、稳定性要求提升，推动光刻胶技术升级。
国产化进程加速，竞争焦点向综合能力演进：在中国内地晶圆产能扩张、供应链安全诉求强化背景下，光刻胶国产化进程提速。国产光刻胶从早期实验、小批量验证，向多产线导入和规模化使用演进，应用范围从单一制程节点扩展到多节点。
3.2.4 原材料成本分析
半导体光刻胶的原材料包括树脂、光引发剂、溶剂、助剂等多种类型，每个类别都包含多个具体品种，价格区间较大。
3.2.5 半导体光刻胶行业的关键成功因素与竞争格局分析
关键成功因素包括：
强大的研发与持续创新能力：半导体光刻胶供应商实现商业成功，核心驱动力是技术创新能力。随半导体制程发展，光刻胶要求提高，先进制程节点需其在分辨率等方面取得突破。供应商需持续投入研发，探索新材料与工艺，解决技术瓶颈。
通过下游晶圆厂严格认证的能力：光刻胶属强认证属性材料，产品导入需长周期、多轮次工艺验证与良率评估，涵盖实验线验证、试产线导入及量产线稳定性测试等阶段。通过头部晶圆厂认证，意味着产品在缺陷控制等核心指标达量产级要求。同时，认证成功利于形成高黏性客户合作关系，进入主流材料体系后替换成本高，供应关系稳定。
上游关键材料的自主可控能力：光刻胶性能高度依赖上游单体、树脂及助剂的质量与稳定性。实现「单体—树脂—光刻胶」纵向一体化布局的企业，能够在源头端对分子结构和纯化工艺进行深度优化，减少对外部供应的依赖。
稳定的规模化生产能力：光刻胶从实验室配方到量产产品有放大效应风险，对生产线洁净度、工艺一致性和批次稳定性要求高。具备规模化生产能力的企业，通常有高标准生产设施、完善质量控制体系和成熟工艺放大经验。
3.2.6 中国半导体光刻胶竞争格局分析
半导体光刻胶市场的市场份额主要由日本头部供应商占据。在中国市场，彤程新材于2025年1-9月的半导体光刻胶销售额排名第七。
2025年1–9月，中国半导体光刻胶市场前五名本土企业销售金额合计约为人民币5.2亿元，按2025年1–9月在中国市场半导体光刻胶销售金额计，彤程新材为中国市场半导体光刻胶销售金额第一的本土公司。
3.3 CMP抛光垫行业概览分析
CMP抛光垫是化学机械抛光(CMP)核心耗材，用于半导体晶圆制造，对硅片晶圆及表面薄膜如氧化硅等进行高精度平坦化处理。它与抛光液及抛光头协同，在一定压力和转速下，实现化学与机械协同去除，将晶圆表面微观形貌控制在纳米级，满足先进制程平坦度要求。受益于中国晶圆制造产能扩张和成熟制程芯片需求上升，2020–2024年国内CMP抛光垫市场规模快速增长，销售金额从人民币10.0亿元增至人民币23.0亿元，复合年增长率22.8%。未来，因先进制程芯片技术迭代使单晶圆抛光工序增加，预计到2029年，中国CMP抛光垫销售金额将达人民币58.0亿元，复合年增长率20.7%。
3.4 高纯溶剂与EBR行业概览分析
EBR是半导体光刻工艺高纯学溶剂。它能溶解并去除晶圆边缘及基片背面多余的光刻胶残留物。随着中国半导体晶圆制造产能扩张，2020–2024年中国EBR市场规模快速增长，销售金额从人民币1.0亿元增至人民币6.0亿元，复合年增长率42.0%。未来，半导体行业追求良率提升与成本控制，推动晶圆厂强化边缘缺陷管控，增加高性能EBR采购需求。预计到2029年，中国EBR销售金额将达人民币16亿元，复合年增长率22.9%。
4. 显示材料行业概览分析
4.1 显示光刻胶行业概览
4.1.1 显示光刻胶的产品定义与分类
显示光刻胶是显示面板制造关键材料，通过光刻工艺在基板上形成精细图案，实现显示器件高性能和高分辨率。作为显示产业核心材料，其质量和性能直接影响显示面板良率、分辨率和色彩表现。随着全球显示技术革新不断，尤其是OLED、Micro LED等技术的成熟落地，其重要性凸显，支撑传统LCD面板升级，为下一代显示技术发展提供根本物料保障。
TFT阵列光刻胶：用于薄膜晶体管背板阵列段基板层面电子线路图案化，有高分辨率和高感光度。
彩色光刻胶：分红绿蓝(RGB)和黑色(BM)光刻胶，用于LCD面板CF工序制造彩色滤光片。
透明光刻胶：分PS隔垫物光刻胶和OC平台化层光刻胶。PS隔垫物光刻胶制作弹性图案支撑玻璃形成液晶盒空间，需良好弹性和光刻特性；OC平坦化层光刻胶抹平像素间段差，优化显示器对比度，平坦性是关键。
有机绝缘膜：有机绝缘膜通常具有隔离导电层、防止漏电、使表面平整化以及缓冲应力等关键功能。在高端显示领域，有机绝缘膜可用于LCD、OLED、MicroLED及其他显示技术的背板中，例如作为钝化层、层间介电材料及像素定义层。相较于无机绝缘膜，有机绝缘膜在柔性、低介电常数及工艺兼容性方面优势明显，是实现高清、轻薄、柔性及高度集成器件的重要基础材料。
4.1.2 显示光刻胶的市场规模与发展驱动因素分析
从中国显示光刻胶市场的销售金额来看，TFT阵列光刻胶销售金额从2020年的人民币10亿元增长至2024年的人民币14亿元，预计2029年将达到人民币21亿元；RGB光刻胶销售金额从2020年的人民币28.0亿元增长至2024年的人民币39.0亿元，复合年增长率为8.4%，预计2029年将达到人民币63.0亿元，期间复合年增长率为9.8%；黑色光刻胶销售金额从2020年的人民币5.0亿元增长至2024年的人民币7.0亿元，复合年增长率为8.7%，预计2029年将达到人民币11.0亿元，期间复合年增长率为10.7%；其他显示光刻胶的销售金额从2020年的人民币10.0亿元增长至2024年的人民币13.0亿元，复合年增长率为5.3%，预计2029年将达到人民币17.0亿元，期间复合年增长率为6.3%。
4.1.3 中国显示光刻胶行业市场驱动力分析
下游面板产能持续扩张，形成稳定需求基础：全球LCD面板产能格局中，中国企业占主导，头部厂商在大尺寸LCD面板领域显著的有规模优势，OLED产能也在提升。面板产能扩张带动显示用光刻胶需求增长。
显示技术革新持续推动着行业进步：当前显示产业向更高分辨率、刷新率及更复杂结构演进，8K显示、柔性OLED、MiniLED等技术成熟落地。这类先进显示技术提高了高性能光刻胶技术门槛。
国产替代的需求加速释放：从市场结构看，TFT阵列、黑色和彩色光刻胶国产化率低，核心市场长期被日韩企业占据。因全球供应链不确定性上升，面板厂重视关键材料安全性和可控性，引入国产光刻胶意愿增强。一方面，国产产品可降低海外供应依赖，提升供应稳定性；另一方面，性能相近时，国产光刻胶在成本和交付响应上有优势。
4.1.4 原材料成本分析
光刻胶的原材料包括树脂、光引发剂等。每个类别均包含多种子类型，价格范围相当大。但随着国内生产进程的进一步加速，降本潜力也将随之扩大。
4.1.5 显示光刻胶行业的关键成功因素与竞争格局分析
关键成功因素分析：
具备持续的技术创新能力，以实现高端配方的突破：显示用光刻胶属于技术密集型材料，其性能提升高度依赖配方体系、树脂设计及工艺协同能力的持续创新。企业需要不断加大研发投入，引入具备化学合成、材料工程及工艺开发经验的复合型人才，构建覆盖基础研究、应用开发和量产商业化的完整研发体系。
拥有稳定的量产与质量控制能力，保障产品的高纯度和一致性：显示用光刻胶对纯度和批次一致性要求高，量产能力是规模化应用关键。企业要建立完善生产流程和严格质量监控体系，引入智能化与自动化技术提升效率、减少人为影响。
拥有通过头部面板厂商严格认证的能力，构建深度合作关系：显示用光刻胶属强认证属性材料，产品导入需长周期工艺验证和量产测试。企业若通过头部面板厂认证，须在产品性能稳定性、工艺适配性和长期供货能力等方面达量产级标准。为此，企业要深度参与客户研发和产线调试，提供定制化解决方案，建立快速响应机制，及时配合客户技术改进或工艺调整需求。
4.1.6 中国显示光刻胶行业竞争格局分析
2025年1–9月，全球显示光刻胶市场前五名企业中国市场TFT阵列光刻胶销售金额合计约人民币9.6亿元，按2025年1–9月中国市场TFT阵列光刻胶销售金额计，彤程新材为中国市场TFT阵列光刻胶销售金额第二的公司。
4.2 发光材料行业概览
4.2.1 发光材料的定义与发展
现状发光材料是在外部能量激发下，将电能等转化为电磁辐射及可见光的功能材料，广泛用于显示等领域。在显示与照明中，发光材料通过调控能级结构与化学组成控制光色和亮度，是决定器件显示性能与能效的关键基础材料之一。
因OLED面板等下游市场需求扩张，2020–2024年中国发光材料市场规模持续增长，销售金额从人民币31.0亿元增至人民币53亿元，复合年增长率14.2%。其中，红光材料市场规模从2020年的人民币11亿元增至2024年的人民币21亿元，复合年增长率16.5%。未来，随着新兴应用场景拓展，预计到2029年，中国发光材料销售金额将达人民币104亿元，复合年增长率14.6%。其中红光材料销售金额将达人民币46亿元，复合年增长率16.9%。
4.2.2 市场驱动因素分析
高端显示对色域与显示效果要求持续提升：随着显示终端向高分辨率、高亮度、高对比度、高效节能及广色域的方向发展，下游面板企业对发光材料性能要求逐渐提高。发光材料的效率、色纯度及长寿命等关键属性直接决定显示器件色彩还原和视觉效果。
国产替代与供应链安全需求显著增强：高端发光材料领域，部分核心产品长期被海外供应商主导，技术和工艺壁垒高。国际贸易环境不确定，加快发光材料国产化可降供应链风险、优化制造成本。在政策支持和下游验证推进下，国产发光材料逐步突破技术并加速导入，替代空间不断释放。
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