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2020年， ROHM 宣布了其第四代碳化硅MOSFET。与上一代相比，新一代展示了全新的沟槽结构，其沟槽深度任何其他碳化硅MOSFET设计中从未见过的。在此背景下，对 ROHM 的第四代750V碳化硅MOSFET器件进行了完整的逆向成本研究。
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通过完整的器件拆解，报告揭示了 ROHM 对其第四代碳化硅芯片的技术选择，以及该芯片在分立封装中的组装过程。本报告还深入解析了该组件的技术参数、制造成本及售价，并估算出所有零部件的制造成本。同时对比了 ROHM 第2代、第3代和第4代产品的物理特性，还特别展示了750V与1200V Gen4芯片的物理对比。最后，针对两种 ROHM 沟槽器件（第3代与第4代），提供了晶圆与芯片成本的对比分析。
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