二、引言

自2024Q4以来，全球存储行业迎来历史性拐点，库存去化完成叠加AI需求爆发，推动存储芯片价格触底反弹，正式开启新一轮超级周期。与以往由消费电子驱动的周期性复苏不同，本轮超级周期核心驱动力源自AI服务器带来的海量存力需求，HBM等高端存储成为行业核心增长引擎，同时国产替代加速推进，长鑫、长江存储等龙头逐步突破技术壁垒，份额持续提升。2026年作为超级周期的关键一年，价格高位运行与国产产能扩张形成共振，行业投资价值凸显。本报告将详细拆解周期演进、投资机会及国产龙头上市带来的产业链红利，助力投资者把握行业核心机遇、规避潜在风险。

三、存储超级周期：当前阶段与演进路径

3.1 周期演进全景复盘与当前阶段判断

全球存储行业呈现典型的周期性波动特征，结合供需格局、价格走势及厂商行为，本轮超级周期可清晰划分为五大阶段，当前正处于最具弹性的超级牛市期：

• 下行筑底期（2022-2024Q3）：行业库存高企，DRAM、NAND价格持续下行，主流厂商纷纷启动大规模减产与资本开支收缩，美光、三星等全球巨头资本开支同比下滑40%-60%，行业逐步出清过剩产能，为周期反转奠定基础。

• 拐点显现期（2024Q4-2025Q3）：全球存储库存去化完成，AI大模型训练与推理需求爆发，带动HBM、高端DRAM需求激增，存储芯片价格触底反弹，2025Q3 DRAM、NAND价格环比涨幅分别达20%-30%，行业正式进入复苏通道。

• 超级牛市期（2025Q4至今）：供需缺口持续扩大，存储芯片价格涨幅突破历史极值，2025Q4整体价格涨幅超40%。据Counterpoint Research预测，2026Q1价格将再涨40%-50%，Q2继续上涨约20%，涨势强度已超越2018年历史高点，当前正处于这一核心阶段，行业景气度持续攀升。一个标志性信号是，2025年四季度三星、SK海力士、美光三大内存供应商已宣布，其2026年面向AI服务器的存储芯片相关产品产能全部售罄。

• 价格顶峰期（2026年下半年）：机构预测，价格顶点大概率出现在2026年Q3-Q4，届时供需缺口逐步收窄，价格涨幅放缓但仍维持高位运行，行业盈利水平保持峰值状态。

• 结构调整期（2027-2028年）：全球主要厂商新增产能集中释放，行业供需逐步趋于平衡，价格进入平稳调整阶段，但HBM等高端赛道仍将维持高景气，行业竞争焦点转向技术迭代与产品结构升级。

3.2 超级周期核心驱动因素

本轮存储超级周期的爆发并非单一因素驱动，而是供需失衡、AI革命与国产替代三大力量共振的结果，其中AI需求成为核心催化剂：

• 供需失衡持续加剧：2026年全球DRAM单季供给缺口最高达10%，NAND供给缺口约6%，供给端收缩叠加需求端爆发，形成供需错配格局，支撑价格持续上涨。同时，主流厂商优先将稀缺产能切换到HBM与高阶DDR5/DDR6，进一步压缩消费端普通内存供应，抬高整体存储芯片平均售价。

• AI革命重构需求格局：AI服务器对存储芯片的需求远超传统服务器，单套AI服务器的内存和闪存配置大幅提升，其中HBM作为AI加速器的核心配套产品，需求呈爆发式增长。据测算，2026年HBM市场规模将达550-980亿美元，同比增长58%，美光预测未来几年HBM潜在市场规模将从35亿美元增长至1000亿美元，有望超越2024年整个DRAM市场规模；SK海力士HBM业务利润率高达60%以上，成为行业盈利核心引擎。

• 国产替代加速赋能：国内政策持续支持存储芯片产业发展，长鑫、长江存储产能快速扩张，当前两者合计产能占全球市场份额达10%，2026年目标市占率分别提升至8%（长鑫DRAM）和15%（长江NAND），预计2026年国产存储芯片全球市场份额将从不足10%提升至20%以上，国产化率目标达25%。同时，设备、材料等上下游环节国产化率快速提升，带动整个国产存储产业链崛起。

四、2026年存储行业投资机会：三重共振下的布局策略

4.1 三大核心投资主线（按优先级排序）

结合行业景气度、业绩弹性及成长空间，2026年存储行业投资主线明确，重点聚焦高端存储、国产替代及模组封测三大领域，具体如下表所示：

4.2 分季度投资节奏建议

结合2026年存储行业价格走势、产能扩张节奏及产业链需求释放节点，分季度布局建议如下，兼顾短期业绩弹性与长期成长空间：

• 2026H1：设备先行，封测跟涨：重点布局国产存储设备龙头，受益于长鑫二期、长江存储扩产计划落地，设备采购订单集中释放，核心标的为北方华创、中微公司、拓荆科技；同时布局封测板块，随着存储芯片价格上涨，封测企业低价库存红利兑现，业绩快速增长，重点关注长电科技、深科技。

• 2026全年：持续持有HBM相关标的：HBM作为AI需求核心赛道，2026年价格高位运行、产能供不应求，相关企业业绩高弹性持续兑现，持续关注澜起科技（接口芯片）、通富微电（HBM封测）、SK海力士（HBM龙头），把握全年投资主线。

• 2026H2：布局材料后程：随着长鑫、长存产能逐步爬坡，存储芯片制造环节对靶材、光刻胶、CMP材料等需求持续释放，材料板块迎来需求旺季，重点布局江丰电子（超高纯溅射靶材）、鼎龙股份（CMP材料）、雅克科技（前驱体材料）。

4.3 重点标的核心逻辑梳理

• 澜起科技：全球内存接口芯片龙头，DDR5接口芯片市占率超50%，深度绑定美光、SK海力士等HBM龙头企业，受益于HBM需求爆发，业绩持续高增，2026年盈利弹性显著。

• 北方华创：国产半导体设备龙头，存储领域刻蚀设备市占率35%，覆盖长鑫、长存核心供应商名单，2026年长鑫二期扩产将带来大额设备采购订单，预计2026年净利润增幅超80%。

• 长电科技：国内封测龙头，承接长鑫70%的晶圆级封测业务，同时布局HBM封测领域，随着存储价格上涨及国产存储产能爬坡，封测订单持续增长，业绩兑现确定性高。

• 兆易创新：国内存储芯片设计龙头，与长鑫存储深度合作，代销长鑫DRAM产品并持有其1.88%股权，受益于DRAM价格上涨及国产替代加速，业务协同效应持续增强，股权增值空间广阔。

五、长鑫存储&长江存储：上市进度全解析

5.1 长鑫存储（长鑫科技集团股份有限公司）

长鑫存储作为国内DRAM领域龙头企业，专注于DRAM芯片研发、生产与销售，目前已实现DDR4、DDR5芯片量产，技术水平逐步接近国际主流，是国产DRAM替代的核心力量，其上市进度如下：

• 当前状态：2025年12月30日正式获得上交所科创板受理，成为科创板“预先审阅机制”首单企业，受理前已完成两轮问询，审核效率大幅提升。

• 审核进度：目前已正式答复两轮问询，按照审核节奏，计划2026年2月底前结束全部审核工作，3月中旬召开上市委会议，审核重点聚焦产能扩张、技术研发及盈利可持续性。

• 预计上市时间：结合科创板审核周期（受理到过会约80-90天），预计2026年6月初正式挂牌上市，成为国内DRAM领域首家上市龙头企业。

• 募资规模与用途：拟募资295亿元，为科创板历史第二大募资规模（仅次于中芯国际463亿元），募资主要投向DRAM二期项目（产能从12万片/月扩至24万片/月）、先进制程研发（重点布局DDR5、LPDDR5X高端产品）及补充流动资金，其中DRAM二期项目将进一步提升公司全球市占率。

• 估值水平：IPO前估值约1500亿元，拟发行不超过106.22亿股，发行后总股本预计超500亿股，估值对应2026年PE约35-40倍，处于行业合理区间。

• 核心优势：已实现DDR5、LPDDR5X高端芯片量产，成本较国际竞品低10%，功耗优势明显，当前DRAM全球份额约5%，2026年目标提升至8%-12%。

5.2 长江存储（长存集团）

长江存储是国内3D NAND领域龙头，专注于3D NAND闪存芯片研发、生产与销售，已突破294层3D NAND技术，良率达到国际先进水平，国产替代进程加速，其上市进度如下：

• 当前状态：2025年9月完成股份制改革，正式启动科创板上市辅导备案，聘请中金公司、中信证券等知名中介机构担任辅导机构，2025年10月已完成上市辅导验收，具备申报条件。

• 申报与审核进度：市场预计2026年一季度提交科创板IPO申请，审核重点聚焦3D NAND技术研发、产能扩张及国产化率提升，审核周期预计与长鑫存储持平（约6-8个月）。

• 预计上市时间：结合申报进度，预计2026年四季度至2027年一季度正式挂牌上市，成为国内3D NAND领域首家上市企业，估值约1600亿元。

• 募资规模与用途：预计募资300-400亿元，募资主要投向3D NAND扩产项目（月产能从13万片提升至15万片）、技术升级（重点布局300+层3D NAND及HBM3研发）及设备采购，进一步提升高端产品占比。

• 估值水平：目标估值约2000亿元，对应2026年PE约40-45倍，考虑到3D NAND行业景气度及国产替代空间，估值具备合理性。

• 核心优势：294层3D NAND良率超90%，单芯片容量1.6Tb，成本较国际竞品低10%-15%，当前全球NAND市占率约8.1%，2026年目标提升至10%，设备国产化率已达45%，2026年目标提升至100%。

六、上市相关投资机会：直接+间接双布局

长鑫存储、长江存储作为国产存储领域的核心龙头，其上市不仅将直接带来打新、战略配售等投资机会，更将带动产业链上下游相关企业业绩增长，形成“直接受益+间接赋能”的投资格局，具体机会如下：

6.1 直接投资机会

• 打新参与：长鑫存储预计2026年6月上市，长江存储预计2026年四季度申报、2027年上半年上市，两家企业均为科创板大盘股，打新收益确定性较高。普通投资者可通过科创板基金、券商打新通道参与，需注意打新后锁定期风险（首发股东锁定期1-3年），合理控制仓位。

• 战略配售：符合条件的机构投资者（如社保基金、保险资金、合格境外机构投资者等）可参与两家企业的战略配售，获取优先配售权，配售价格相对发行价有一定折扣，成本优势明显，但需遵守较长锁定期约定，适合长期布局的机构投资者。

6.2 间接投资机会（按关联度排序）

长鑫、长江存储上市后，产能扩张与技术升级将持续带动设备、材料、封测、设计等上下游环节需求爆发，间接投资机会更具持续性，具体如下表所示：

七、风险提示

本次投资报告基于当前行业供需格局、技术进展及政策环境做出分析，存在以下潜在风险，可能影响投资决策与收益，需重点关注：

• 产能释放超预期风险：全球主要存储厂商（三星、SK海力士、美光）及国内长鑫、长存均在推进扩产计划，若2027年下半年新增产能集中落地，可能导致行业供需格局逆转，存储芯片价格下跌，影响相关企业业绩。同时，行业可能出现盲目扩产现象，重蹈2018年周期反转覆辙。

• 需求疲软风险：全球经济衰退可能导致消费电子（手机、PC）需求下滑，进而影响通用存储芯片需求；同时，AI需求若不及预期，或出现需求波动，将直接影响HBM等高端存储产品价格，拖累相关企业盈利。此外，高端产能挤占消费端产能导致消费电子涨价，可能进一步抑制下游需求。

• 地缘政治风险：美国对华存储芯片产业的技术限制、设备出口管制可能升级，EUV光刻机受出口管制，DUV交付周期长达18个月，可能影响长鑫、长存的先进制程研发与产能扩张进度，同时影响上下游设备、材料企业的供应链稳定性。

• 技术迭代与壁垒风险：存储行业技术迭代速度快，HBM4、300+层3D NAND等先进技术若出现良率不达预期、研发进度滞后等问题，可能影响相关企业的市场竞争力；同时，国产企业在高端技术领域仍存在差距，长鑫DDR5颗粒良率约65%，低于三星的85%，HBM领域2027年前难打破三巨头垄断，技术突破不及预期可能影响国产替代进程。

• 设备材料瓶颈风险：光刻胶、ALD前驱体等材料国产化率不足30%，核心设备与材料仍依赖进口，若供应链出现中断或价格大幅上涨，可能增加企业生产成本，影响产能爬坡进度。

• 市场泡沫风险：超级周期带来的行业繁荣可能引发非理性炒作，资本扎堆短期热点、忽视底层技术可靠性，出现资源错配现象，若市场情绪反转，可能导致相关标的估值回调。

八、核心结论

1.  存储超级周期正处于价格快速上涨的超级牛市阶段，2026年Q1价格将继续大幅上涨，下半年大概率触及价格顶峰，整体周期预计持续至2028年，行业景气度贯穿2026全年，核心驱动因素为AI需求爆发、供需失衡及国产替代加速，行业盈利水平将维持高位。

2.  2026年存储行业投资机会明确，建议遵循“HBM优先、国产替代次之、模组封测为辅”的核心策略，按“设备先行→封测跟涨→材料后程”的分季度节奏布局，重点关注澜起科技、北方华创、长电科技、兆易创新等核心标的，兼顾业绩弹性与成长空间。

3.  长鑫存储、长江存储作为国产存储领域的核心龙头，上市进度明确：长鑫存储预计2026年6月登陆科创板，长江存储预计2026年四季度申报、2027年上半年上市，两家企业募资规模均超200亿元，聚焦产能扩张与技术升级，上市后将进一步加速国产存储替代进程，带动整个产业链升级。

4.  投资机会呈现“直接+间接”双重格局：直接机会聚焦两家企业打新与战略配售，适合不同类型投资者；间接机会集中在产业链上下游设备、材料、封测、股权关联环节，受益于产能扩张与国产替代，持续性更强，是2026年存储投资的核心方向。

5.  风险防控重点关注产能释放超预期、需求疲软、地缘政治限制及技术迭代不及预期四大核心风险，同时警惕市场非理性炒作带来的泡沫风险，建议投资者结合行业供需变化、标的基本面动态调整仓位，兼顾短期收益与长期布局。