AI与数据扩张推动存储行业进入新周期，供需紧张致价格上涨，HBM等新技术需求旺盛，国产存储加速发展。
数据扩张+AI扩散，存储新周期加速到来
数据生成与存储需求：IDC预计2025年全球数据量213.56ZB，2029年达527.47ZB，中国2025年51.78ZB，2029年136.12ZB，CAGR 26.9%；云端数据生成占比从2019年13%升至2029年43%，CAGR 40.9%。谷歌2025年10月月均处理Tokens达1.3千万亿，OpenAI、字节跳动、百度等日均万亿Tokens。
资本支出与存储成本占比：2025年全球八大CSP资本支出年增率65%，2026年预计超6000亿美元，同比增40%；典型数据中心资本支出中存储占比约12%，随AI基础设施投入增加有望提升。
现货价格与产业链：2025Q4 512Gb及以上NAND资源价格环比涨幅超一倍，Flash Wafer 1Tb TLC、DDR4 16Gb 3200、OEM SSD 1TB PCIe 4.0、DDR4 SODIMM 8GB 3200等现货价格均大幅上涨。存储产业链分上游（存储晶圆、主控芯片）、中游（设计、封装测试）、下游（AI终端、消费电子等），本轮周期或呈自下而上景气循环。
下游应用增长：2020-2024年全球存储市场规模CAGR 6.5%，2025-2029年预计CAGR 11.5%，从2633亿美元增至4071亿美元。AI端侧存储2020-2024年CAGR 99.5%，2024年规模179亿美元，2025-2029年CAGR 36.4%；服务器存储2020-2024年CAGR 22.0%，2024年594亿美元，2029年预计1458亿美元。
供给端：结构性供给受限持续，原厂竞逐新技术蓝海来
资本支出与产能：2026年DRAM和NAND Flash资本支出转向制程升级、高层数堆栈等，而非规模扩产。DRAM方面，美光2026年资本支出135亿美元（+23%），投1gamma制程及TSV设备；SK海力士205亿美元（+17%），扩M15x厂区HBM4产能；三星200亿美元（+11%），推进HBM相关1C制程及P4L晶圆产能。NAND Flash方面，铠侠/闪迪45亿美元（+41%），加速BiCS8量产及BiCS9研发；美光资本支出+63%，聚焦G9制程及企业级SSD；三星与SK海力士/Solidigm缩减或限制NAND支出。2026年无尘室资源紧张，DRAM仅三星、SK海力士可小幅扩产，美光需待2027年新厂投产，NAND位元供给增长有限，供不应求或持续全年。
HBM与HBF技术：2025年全球DRAM供应同比+24%，HBM同比+88.1%；2026年DRAM供应同比+20%，HBM同比+38.2%。HBM4每堆栈容量288GB增至348GB，HBM8达6144GB，2026-2038年带宽从2TB/s增至64TB/s，传输速率从8GT/s提至32GT/s，I/O位宽从1024bit增至16384bit。HBF为高带宽闪存，堆叠NAND制成，2026年下半年出样品，2027年初或有搭载HBF的AI推理设备，GPU和服务器厂商或率先采用。
需求端：AI产业链健康度打开远期需求空间
HDD替代与NAND需求：AI推理需求使Nearline HDD交期延长至52周以上，每GB售价从0.012-0.013美元升至0.015-0.016美元；QLC SSD交付周期8周，每GB售价0.05-0.06美元，性能、能效优于HDD，2026年出货或显著增长，NAND Flash结构性需求旺盛。
高端DRAM与LPDDR5X：英伟达NVL576单机柜预计搭载365TB HBM4e，谷歌第七代TPU配备192GB HBM，带宽7.4TB/s。2025年LPDDR5X需求同比+558%，2026年+169%，2025-2030年CAGR 51%，英伟达AI/服务器需求占比高。2025年智能手机LPDDR5(X) Gb当量占比52%，2026年升至66%，配备LPDDR5(X)的智能手机占比从37%提至51%。
KV Cache与存储架构：AI推理需大量KV Cache，传统依赖HBM显存成本高，英伟达基于BlueField-4 DPU构建推理上下文内存存储平台，为每个GPU额外增加16TB“思考空间”，带宽200Gb/s。
终端需求预测：通用服务器DRAM需求2025年+19%、2026年+20%，NAND需求2025年+30%、2026年+19%；AI服务器LPDDR需求2025年+67%、2026年+15%，RDIMM需求2025年+31%、2026年+21%，NAND需求2025年+60%、2026年+70%。存储芯片涨价或抑制PC、智能手机需求，2025年笔记本DRAM需求+14%、NAND+3%，2026年DRAM+10%、NAND+6%；2025年智能手机DRAM需求+9%、NAND+11%，2026年DRAM+8%、NAND+8%。
国产侧：原厂端奔赴全球标准+产业链自主，产品端锚定平台化+品类升级
国产高端产品与产能：长鑫存储推出LPDDR5X，速率10667Mbps，单颗粒容量12Gb和16Gb，较LPDDR5提升66%，功耗降30%，2024年DDR4全球市占约5%，2025年底预计升至8%，2025年DRAM晶圆产量预计增长68%。长江存储三期建设目标100%设备国产化，2024年设备国产化率约45%，2023年推出232层TLC芯片X4-9070，接口速度3600MT/s，三期工厂2026年投产后总产能达30万片/月，全球市占有望从12%增至15%。
CBA+4F2技术：长鑫存储采用基于垂直沟道晶体管的4F²布局方案开发18纳米节点DRAM。CBA架构将DRAM芯片分离为存储单元阵列和外围线路晶圆，通过混合键合连接，主要DRAM供应商2026年开始CBA-DRAM风险生产，2027年大规模生产，国产供应链有望受益。
利基市场与定制化存储：2025年12月台股利基存储厂商合计营收244.20亿新台币（+134.94% YoY，+14.96% QoQ），南亚科技2025Q4营收300.94亿新台币（+60.3% QoQ），毛利率49.0%（+30.5pct QoQ）。NOR Flash 25Q4报价或双位数增长，利基DRAM价格持续上涨，兆易创新预期2025下半年利基型DRAM营收显著增长，目标5年内在国内利基型DRAM市场取得约三分之一份额。紫光国芯SeDRAM®技术通过3D堆叠实现高带宽和容量，已支持近40款芯片研发与量产。
经销商及模组制造商：香农芯创、江波龙、佰维存储、德明利、开普云。
利基市场及配套芯片IC设计公司：利基存储（兆易创新、东芯股份、普冉股份、聚辰股份、北京君正）；配套芯片（澜起科技、联芸科技）。
国产半导体存储器供应链：设备（北方华创、中微公司、拓荆科技、迈为股份、精智达、微导纳米、长川科技）；材料（华海诚科、联瑞新材、深南电路、兴森科技、广钢气体、雅克科技、兴福电子）；CBA DRAM（晶合集成、汇成股份）；封装（深科技）。
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