这篇由TechInsights发布的报告，核心观点是：长江存储（YMTC）推出的232层3D NAND闪存（Xtacking 3.0架构）是一次从地缘政治和技术层面都具有“颠覆性”的突破。具体总结如下：技术领先性与速度：长江存储作为一家2016年成立的中国公司，其创新速度超过了竞争对手，率先在全球市场推出了超过200层的3D NAND闪存（232层）。报告认为，按照当前速度，长江存储有望在2030年前成为全球无可争议的NAND闪存技术领导者。地缘政治意义：在众多中国半导体公司遭受西方限制的背景下，这一进展提升了中国在不受西方技术影响下独立运作的能力。尽管面临制裁挑战，长江存储依然取得了领先。技术特点：其核心是“Xtacking 3.0”架构，即将存储阵列翻转后与CMOS键合。该技术据称可将产品开发时间缩短至少3个月，制造周期缩短20%。具体参数：该232层TLC die（型号EETIA，来自海思半导体CC700 2TB SSD）的裸片面积为68.15 mm²，存储容量为1024 Gb，比特密度达到15.03 Gb/mm²，相比其128层产品（8.54 Gb/mm²）有显著提升。竞争格局：主要竞争对手（三星、SK海力士、美光）也都在开发200层以上的解决方案，但截至报告发布时，长江存储率先实现了可供市场使用的产品。美光于2022年7月宣布232层NAND量产，SK海力士计划2023年上半年量产238层。 总之，报告认为，尽管面临制裁等挑战，长江存储凭借Xtacking 3.0技术在232层NAND闪存上实现了对全球巨头的赶超，展现了中国半导体自主创新的重要进展。
