Navitas Semiconductor（NVTS）2025 年第四季度财报电话会于 2026 年 2 月 25 日召开。本季度收入 730 万美元，达指引上限；更关键的是，高功率市场收入在公司历史上首次占季度总收入多数，移动及低端消费业务占比降至 25% 以下。
这不是一个营收亮眼的季度，但它标志着 Navitas 战略转型的结构性拐点。
近期市场、客户及技术进展
• 宣布与 GlobalFoundries 建立长期战略技术与制造合作关系，加速 GaN 技术在美国的制造布局，面向高功率市场提供高效、安全且可扩展的解决方案，预计 2026 年底实现供货。 • 加速面向 AI 数据中心 800V 高压直流（HVDC）架构及 48V IBC HV Buck 架构的 100V 与全新 650V GaN 产品客户送样。 • 发布突破性全 GaN 10 kW 800V–50V DC-DC 平台，采用先进的 650V 与 100V GaNFast FET，实现行业领先的 98.5% 峰值效率。 • 加速新款 2300V 与 3300V 超高压 SiC 产品送样，采用沟槽辅助平面（Trench-Assisted Planar）技术与创新封装，实现同类最佳性能与可靠性。 • 近期推出第五代 GeneSiC™ 技术平台，在 AI 数据中心、电网与能源基础设施及工业电气化领域提供行业领先的性能、可靠性与稳健性。 • 与 Cyient Semiconductors 建立战略合作伙伴关系，共同开发 GaN 产品并在印度构建本地生态体系，旨在借助“印度制造（Make in India）”倡议加速工业电气化进程。 • 整合亚洲分销渠道，并与 WT Microelectronics 及 Avnet 建立全球战略分销合作，加速 GaN 与高压 SiC 在 AI 数据中心、高性能计算及其他目标终端市场的全球应用。
一、"Navitas 2.0"：四大高功率市场重新定义公司边界
CEO Chris Allexandre 在电话会中明确，公司将全部资源对准四个终端市场：
• AI 数据中心 • 能源与电网基础设施 • 高性能计算（HPC） • 工业电气化
管理层给出的市场规模预测：上述四个方向到 2030 年合计构成约 35 亿美元可服务市场（SAM），GaN 与高压 SiC 各占约一半，整体 CAGR 超过 60%。
驱动这一预测的底层逻辑并不难理解。以 AI 数据中心为例：算力密度持续上升带动机架功率从 10kW 级迈向 100kW 级，电源架构正从传统 12V 总线向 48V → 800V 高压直流演进。这一架构迁移对高效率、高功率密度的 GaN 和高压 SiC 器件需求是结构性的，而非周期性的。
二、本季度发布：10kW DC-DC 平台与超高压 SiC 模块
与财报同步，Navitas 公布了两项产品进展：
① 10kW DC-DC 设计平台（面向 AI 数据中心）
针对机架级电源转换场景，支持 48V 总线至负载点的高效转换。管理层将其定位为数据中心电源架构迁移的核心使能器件平台，具体参数尚未完整披露，但已在客户端进入设计导入阶段。
② 超高压 SiC 模块（面向电网应用）
面向储能与输配电场景，补充公司在高压侧的 SiC 产品线。在 Q&A 环节，分析师询问 800V 架构中 GaN 与 SiC 的定位，Allexandre 回应：
"我们同时提供 SiC 与 GaN。如果需要，SiC 可用于一次侧；如果需要，GaN 也可用于一次侧。"
这一表态印证了 Navitas 的双材料战略——并非"GaN 对抗 SiC"，而是视拓扑需求灵活组合。
三、财务数据汇总
2025 Q4 单季度：
2025 全年：
• 收入：$45.9M • 毛利率：38.4%（Non-GAAP） • 运营费用：$63.6M（Non-GAAP） • 年末现金：$237M（含私募融资净额约 $96M）
收入下降是主动为之——公司在战略上退出中国低功率移动/消费业务，代价是短期营收缩水。但 $237M 的现金储备提供了充足的执行缓冲。
Navitas财务指标总览（三代半食堂制图）
Q1 2026 指引：
• 收入：8.5M（环比增长，战略转型后首次） • 毛利率：38.7% ±25bps（Non-GAAP） • 运营费用：约 $15.0M（Non-GAAP）
四、渠道重构：从覆盖型到深度绑定型
本季度另一个值得关注的结构性调整：Navitas 将分销渠道合作伙伴从约 40 家收缩至不足 10 家。
这一动作与高功率市场的客户特征高度匹配。高功率应用场景（数据中心、电网、工业）的客户决策链长、技术壁垒高，更需要深度技术支持型渠道，而非覆盖型铺货渠道。渠道收缩短期可能影响触达广度，但有助于资源集中、提升核心客户的设计导入效率。
在客户层级上，Allexandre 披露架构变革的推动力来自多个节点：
"实际上是多方合作。架构变革的推动力来自美国及超大规模云厂商，但中国台湾、中国大陆以及美国的 OEM 和 ODM 也在推动这一进程。"
这意味着 Navitas 的潜在客户触点并不局限于北美超大规模云厂商，亚太 ODM 生态同样是重要的导入入口。
五、Infineon 关系：合作与竞争并存
分析师关注 Navitas 与 Infineon 的关系。Allexandre 的回应具有参考价值：
"我们与 Infineon 保持合作关系，双方存在交叉许可协议……但我们并不依赖他们。"
交叉许可（Cross-license）协议意味着双方在专利层面有相互授权，但商业竞争关系独立存在。Navitas 的核心 IP 在 GaN-on-Si 工艺和 GaNFast 驱动集成技术上；Infineon 在 CoolGaN 和 CoolSiC 系列有成熟产品线。两者在特定应用插槽（socket）上存在重叠，但在高压 SiC 和 GaN 驱动集成度上各有侧重。
六、执行风险：值得持续观察的三个变量
① 客户导入节奏
10kW DC-DC 平台已进入设计阶段，但"最终确认为时尚早"——这意味着 2026 年 H1 能否落地量产订单仍有不确定性。
② 毛利率扩张路径
CFO Glickman 表示毛利率提升将来自产品结构优化、工艺良率改善和封装成本下降的组合，但具体时间线未给出明确指引。
③ 管理层交接
Glickman 即将离任，CFO 交接窗口期内的财务执行连续性需要观察。
小结
Navitas 这一季度的财报，数字本身不是重点——收入下降是战略预期内的代价。真正的信号是结构：高功率收入首次过半，渠道完成精简，新产品完成发布，组织重组基本落定。
2026 年 H1 的核心看点在于高功率客户导入的落地速度，以及毛利率能否在业务结构改善的驱动下出现可见的向上拐点。$237M 的现金储备给了足够的观察窗口，但执行压力也随之从"战略方向"转向了"节奏与规模"。
数据来源：Navitas Semiconductor 2025 年第四季度财报电话会（2026 年 2 月 25 日）。本文仅为行业信息梳理，不构成投资建议。
以下为Navitas Semiconductor Corporation（NVTS）2025 年第四季度业绩电话会议逐字稿
SA Transcripts（来源：Seeking Alpha ）
Q4：2026-02-24 业绩摘要
• 每股收益（EPS）-0.05 美元，超预期 0.00 美元 | 营收 730 万美元（同比 -59.42%），超预期 35.027 万美元 • Navitas Semiconductor Corporation（NVTS）2025 年第四季度业绩电话会议 会议时间：2026 年 2 月 24 日 美东时间 17:00
公司参会人员（Company Participants）
• Chris Allexandre —— 首席执行官（CEO）、总裁兼董事 • Todd Glickman —— 首席财务官（CFO）
参会分析师（Conference Call Participants）
• Brett Perry —— Shelton Group • Kevin Garrigan —— Jefferies LLC，研究部门 • Kevin Cassidy —— Rosenblatt Securities Inc.，研究部门 • Quinn Bolton —— Needham & Company, LLC，研究部门 • Jonathan Tanwanteng —— CJS Securities, Inc. • Jack Egan —— Charter Equity Research • Richard Shannon —— Craig-Hallum Capital Group LLC，研究部门
正式发言（Presentation）
主持人（Operator）
下午好，欢迎参加 Navitas Semiconductor 2025 年第四季度财务业绩电话会议。[主持人提示] 提醒各位，本次电话会议将于 2026 年 2 月 24 日（星期二）录音存档。
下面我将把电话交给 Shelton Group 投资者关系部的 Brett Perry。Brett，请开始。
Brett Perry（Shelton Group）
谢谢主持人。下午好，欢迎参加 Navitas Semiconductor 2025 年第四季度财务业绩电话会议。今天参会的公司管理层包括 Navitas 总裁兼 CEO Chris Allexandre 以及 CFO Todd Glickman。
我想提醒各位听众，今天公布的结果为初步结果，公司仍在完成期末结账流程，并将接受公司独立注册会计师事务所的惯例季度审阅。因此，这些结果未经审计，直至公司提交截至 2025 年 12 月 31 日止年度的 Form 10-K 之前，仍可能会被修订。
此外，管理层的预先准备发言包含前瞻性声明，存在风险与不确定性；管理层也可能在回答提问时作出额外的前瞻性声明。因此，公司主张适用《1995 年私人证券诉讼改革法案》（Private Securities Litigation Reform Act of 1995）中有关前瞻性声明的“安全港”（safe harbor）保护条款。
实际结果可能与今天讨论内容存在差异，敬请各位查阅公司向美国证券交易委员会（SEC）提交的文件（包括 Form 10-K 与 Form 10-Q）中关于风险与不确定性的更详细讨论。此外，有关公司未来业绩的任何预测均为管理层截至 2026 年 2 月 24 日的估计。除非适用法律要求，否则 Navitas 不承担未来更新这些预测的义务，无论市场状况是否发生变化。
另外，公司新闻稿以及本次电话会议中管理层的陈述将讨论若干 GAAP 与非 GAAP 口径的指标和财务信息。公司新闻稿中包含 GAAP 到非 GAAP 的定义与调节表，以提供更多细节。
对于现在无法完整收听会议的听众，会议录音将以网络直播形式在 Navitas 官网投资者关系页面提供 90 天回放：www.navitassemi.com。
下面我很荣幸把电话交给 Navitas 总裁兼 CEO Chris Allexandre。Chris，请开始。
Chris Allexandre（CEO、总裁兼董事）
下午好，感谢各位今天加入我们。我很高兴主持我担任 Navitas CEO 以来的第二次季度业绩电话会议。我们以富有成效的第四季度为全年收官，并持续加速向 Navitas 2.0 的战略转型，将整个组织对齐并聚焦高功率市场。事实上，自我加入公司以来的 5 个月令人振奋；我对我们行业领先的 GaN 与高压 SiC 解决方案的信心愈发坚定，也更加确信我们的战略转型正走在正确道路上，有望把公司成功规模化提升至新的层级。
在针对本季度的评论与更新之前，我想简要重申此前已沟通的战略转型的若干关键要素，以及我们称之为 Navitas 2.0 的愿景。第一，我们正在加速从公司历史上的移动与低端消费业务转型，聚焦高功率市场；在这些市场中，我们的 GaN 与高压 SiC 产品能够通过更高功率密度、更高效率与更高可靠性，实现真正的差异化与价值。
我们高度聚焦四个高增长、高价值细分市场：AI 数据中心、能源与电网基础设施、高性能计算以及工业电气化。合计来看，这些细分市场到 2030 年构成 35 亿美元的可服务可及市场（SAM），GaN 与高压 SiC 大致各占 50%，合计复合年增长率（CAGR）超过 60%。尽管这 35 亿美元 SAM 的最大份额主要来自 AI 数据中心以及电网与能源基础设施，但我想强调：AI 是我们四大目标市场共享的底层催化剂，正推动基础设施重构、客户预期变化以及新型高压技术采用的快速加速。
我们将依托 10 年规模化 GaN 先行者的成熟履历（累计出货超过 3 亿颗 GaN 器件），结合深厚的系统与应用专长，以及通过 GeneSiC 技术在高压 SiC 领域的领导力。Navitas 2.0 战略转型的终极目标非常直接：快速渗透市场、获得更深入的客户参与并实现规模化，从而为 Navitas 带来更可持续、更一致、并最终实现盈利增长的未来。
接下来简要回顾第四季度业绩。作为向 Navitas 2.0 转型的初步进展，我们已经完成全组织的再对齐——无论在技能结构还是地域布局上——以聚焦高功率市场，并相应完成组织资源、产品路线图与工作重心的全面重部署。第四季度营收为 730 万美元，位于指引区间上限；同时，第四季度也是公司历史上首次高功率市场收入占总营收多数的季度。我们仍然确信第四季度是营收的底部。
值得注意的是，我们的移动业务收入占比环比显著下降：从第三季度占多数，降至第四季度不足总营收的 25%。我们预计移动业务占比将继续下降，并在 2026 年末变得无关紧要。同时，正如上季度所述，我们对第一季度给出环比增长指引，并预计 2026 年全年将保持持续环比增长，增长动力来自高功率市场销售牵引力的不断增强。
过去几个月，在我与客户和合作伙伴更深入交流的过程中，我看到大量“新技术采用正在加速”的有力印证。AI 是一个催化剂，正在重塑各个市场。现有技术与架构已不再足够。行业在技术采用方面的速度前所未有，客户正清晰地转向并利用 GaN 与高压 SiC 技术的优势。
如前所述，AI 是推动动能并扩大高功率解决方案在我们四大目标高功率市场普及的核心催化剂。每一次与客户的互动都验证了市场正在经历结构性变化，AI 正是我们聚焦的这场“火花式革命”的引爆点。架构、设计与技术采用的关键拐点对 GaN 与高压 SiC 极为有利，也使 Navitas 2.0 处在这场变革的中心。
正如我们上次电话会议所阐述，Navitas 2.0 向高功率公司的转型以果断行动为支撑，并以四大支柱为基础：市场聚焦、技术领导力、运营效率与财务纪律。下面我将逐一回顾自上次电话会议以来我们在各方面取得的主要进展。
• *第一支柱：市场聚焦。我们如前所述，明确聚焦 AI 数据中心、电网与能源基础设施、高性能计算与工业电气化四大高功率市场。
在 AI 数据中心方面，Navitas 作为 GaN 与高压 SiC 的领导者之一，具备独特优势，可支持所有主流 AI 数据中心架构。计算功率密度的提升将需要更高效率与更高功率密度，推动下一代数据中心加速采用 GaN。本季度我们加速交付 100V GaN 与 650V GaN 的产品与解决方案送样，面向 AI 数据中心 800V 高压直流（HVDC）以及 48V IBC HV buck 架构。样品已以不同封装形式提供，正在被十余家客户评估。
更近期的 2 月 9 日，我们宣布突破性的 10kW DC-DC 设计平台：一套全 GaN 的 10kW 800V-to-50V DC-DC 平台，采用先进的 650V 与 100V GaNFast FET，在三级半桥架构中实现同步整流。该平台实现了 98.5% 的峰值效率，我们认为这是迄今为止行业内最优水平之一。该全砖（full-brick）封装设计平台实现了领先的功率密度，并支持 AI 数据中心 ±400V VDC 标准。这是 Navitas 如何利用 10 年 GaN 与系统专长的一个典型例证。
我们正在为可规模化的高性能 AI 基础设施设立标杆。我们的产品组合实现前所未有的功率密度，既支持 AI 数据中心快速大规模扩张，也帮助超大规模云服务商（hyperscalers）与 OEM 最大化计算密度、减少能量损耗，从而支撑下一代 AI 工作负载部署。
在 SiC 方面，我们也在积极支持客户：针对当前 AI 数据中心架构的 AC-DC PSU 设计，导入我们最新的 1.2kV SiC 器件，并利用本月初发布的第五代 GeneSiC 技术。该产品在关键性能指标（figures of merit）与同类最佳热性能方面实现改进，其顶面散热（topside cooling）的 Q-DPAK 封装也受到客户欢迎。
在 电网与能源基础设施方面，能源电网正在经历重大转型与现代化升级，以支撑 AI 催化带来的需求，同时也满足整体能源需求增长。这不是短周期，而是一种跨数十年的结构性、可持续趋势，将重塑电网与能源基础设施。因此，我们也看到该领域设计周期正在加速。我们以新一代超高压 2.3kV 与 3.3kV SiC 模块以及更高电压路线图引领该进程。当前我们已与全球 15 家以上 OEM 进入评估阶段，多数位于美国与欧洲，并且在美国的推进速度尤为明显。
在 高性能计算方面，我们持续看到 GaN 在高功率充电器与电源单元中的采用增加，用于高端计算与 AI 笔记本，替代硅方案。我们已有 15 个以上项目进入量产，另有约两倍数量处于设计导入阶段，覆盖 170W、200W、250W、240W 直至 360W 等功率段，并与多家全球领先计算厂商合作。我们预计 2026 年在该市场将持续增强动能。
最后，在 工业电气化方面，我们开始看到 GaN 与高压 SiC 在多类高性能应用中的需求，包括工业泵与重型设备电气化（例如 DC-DC 转换器、兆瓦级充电器）。
• *第二支柱：技术领导力。**我们持续优先推进 GaN 与高压 SiC 的创新，包括产品与解决方案层面的创新，并通过扩大客户参与与联合开发项目来支撑。刚才提到的突破性 10kW DC-DC 平台就是系统创新与专长的一个例子。
另一个亮点是，我们在上季度宣布的 2,300V 与 3,300V 超高压 SiC 模块产品组合，目前已加速向更多客户送样。这些模块采用专有的沟槽辅助平面（Trench-Assisted Planar）技术，面向 AI 可扩展性（scalability）、在电网并网基础设施、储能与兆瓦级快充等关键任务应用中提供增强的稳健性与性能。产品形态包括 SiCPAK G-plus 功率模块、分立器件封装，以及已知良品裸片（Known Good Die, KGD）格式，并配套扩展的 AEC-plus 可靠性测试。
如前所述，我们上周宣布了第五代（Gen 5）技术以及即将推出的新款 1.2kV SiC Q-DPAK 产品，面向 AI 数据中心 PSU 的 AC-DC 应用。新的 Gen 5 SiC 技术继续提升 GeneSiC 的关键性能指标，采用 Trench-Assisted Planar（TAAP）架构，具备同类最佳热性能，并在 Q-DPAK 上实现顶面散热。目前，我们已向多家设计高功率 PSU 与 AI 数据中心 AC-DC 的 OEM 与 ODM 送样首款新 1.2kV Gen 5 SiC 产品。
• *第三支柱：运营效率。**我们采取了切实行动，打造更精简、更均衡、并在地理上优化部署的组织架构。我们获得了员工的强力支持，并看到这些举措带来的可量化收益。另在 11 月 20 日，我们宣布与 GlobalFoundries 建立长期战略技术与制造合作伙伴关系，以加速 GaN 技术在美国的设计与制造。
该合作将为我们目标高功率市场提供安全、可扩展的解决方案，并确保 Navitas 能够交付客户所需的性能、效率与规模；同时也使 Navitas 有机会在美国为关键及国家安全相关应用制造解决方案。双方在数周前已启动开发，并在深度协作下，预计今年稍晚开始投产，并在 2027 年加速爬坡。
从长期看，我们预计将过渡至 8 英寸（8-inch）以降低产品成本并扩大规模。此外，本季度我们执行了重组与优化市场进入（go-to-market）策略的行动，包括将分销渠道合作伙伴从约 40 家大幅整合至不足 10 家。我们具备规模化能力，更适合服务高功率市场，同时淘汰以移动业务为中心的分销商体系。
• *第四支柱：财务纪律。**财务纪律的核心是围绕高功率市场聚焦进行资源再对齐。本季度执行了高度针对性的 19% 裁员，主要涉及移动与消费业务，同时通过再对齐行动支持 Navitas 2.0 转型，包括在美国等关键地区补充更适配高功率市场的新员工。
从第四季度的收入结构可见，我们取得了显著进展。我们还引入了具备销售与市场、研发与运营能力的新管理者，以增强执行力。这些举措将全公司聚焦于高功率市场，并为后续高效执行奠定基础。
即便市场机会更大，通过资源再对齐，我们也能更高效地将季度支出聚焦在高功率市场。因此，我们的目标是在未来一年维持运营费用大体持平。同时，我们预计 2026 年将通过规模扩大与高功率业务占比提升推动毛利率逐步扩张。
最后，为进一步强化资产负债表并为未来运营提供资金支持，我们于 11 月完成普通股私募，募集净额约 9,600 万美元，使季度期末现金余额达到 2.37 亿美元。这些资金将进一步支持 Navitas 2.0 战略，加速转型，并为可规模化增长与长期价值创造提供营运资金支持。
总结来说，我对我们在相对短时间内取得的整体进展感到非常满意。“速度”是公司文化中的财务要素，而它显然正在发挥作用。我们正将 Navitas 2.0 定位为一家高功率公司，进一步强化执行聚焦以实现可规模化增长。展望未来，我们预计自第一季度起恢复收入环比增长，增长动力来自高功率市场收入提升。
结合优化后的成本结构、精简的 go-to-market 方法以及加速的产品路线图，我们也有望在未来一年实现毛利率与盈利表现的逐步改善。我为团队在向 Navitas 2.0 愿景转型过程中展现的投入、努力与敏捷性深感自豪。
我也感谢客户对我们新战略方向的支持，以及对双方互利协作与伙伴关系的持续贡献。
下面我把电话交给 Todd，请他回顾第四季度与 2025 全年结果，并给出第一季度指引。
Todd Glickman
谢谢你，Chris。接下来我将介绍 2025 年第四季度与全年财务结果，然后回顾若干重要的 Q4 成就与市场动态，并给出 2026 年第一季度展望。随后我会把电话交还 Chris 进行结束语，然后进入问答环节。
2025 年第四季度营收为 730 万美元，高于指引区间上限；而 2025 年第三季度为 1,010 万美元。正如预期，第四季度营收反映了我们战略性降低中国低功率、低利润率移动与消费业务优先级的决定，以及我们为与高功率市场聚焦对齐而精简分销网络的行动。
如 Chris 所述，高功率市场在公司历史上首次贡献季度营收多数，移动业务占比降至不足 25%。这是一个非常重要的里程碑，体现了我们的战略转向。
同样如前所述，我们认为第四季度是营收的底部；我们的战略行动将支持未来高功率业务贡献持续提升。在讨论毛利润与费用之前，我建议各位参考新闻稿中的 GAAP 与非 GAAP 调节表。在接下来的评论中，我将以非 GAAP 指标为主。
我还想指出，第四季度 GAAP 结果包含 1,660 万美元的重组与资产减值费用，其中约 1,000 万美元与分销合同终止相关，约 400 万美元为固定资产减值，约 200 万美元为裁员相关费用，均与全组织及分销渠道的再对齐、以聚焦高功率市场有关。在该季度 1,660 万美元费用中，有 380 万美元为非现金项目。
第四季度毛利率为 38.7%，环比持平，体现出尽管季度营收下降，我们仍能维持毛利率水平。在当前营收水平下，我们尚未获得足够的规模杠杆来覆盖固定成本，但我们预计随着高功率市场营收进一步增长，这一状况将改善。
正如上次业绩电话会议所述，我们预计将随着业务结构向更高功率市场转移、并逐步退出移动与低端消费业务而实现毛利率扩张。第四季度我们执行了 19% 裁员，主要集中在移动与消费业务，同时向美国高功率客户与市场进行组织再对齐，使运营费用环比由 1,540 万美元降至 1,490 万美元。这是我们将公司资源与 Navitas 2.0 聚焦对齐的战略计划的一部分。
运营费用中，销售、一般及行政（SG&A）为 680 万美元，研发（R&D）为 810 万美元，符合我们的降本目标。2025 年第四季度营业亏损为 1,210 万美元，而 2025 年第三季度为 1,150 万美元；由于运营费用下降未能完全抵消营收下降，亏损略有扩大。第四季度加权平均股数约为 2.22 亿股。
2025 全年方面，营收为 4,590 万美元，2024 年为 8,330 万美元。全年毛利率为 38.4%，去年为 40.4%。2025 年运营费用为 6,360 万美元，2024 年为 8,340 万美元。全年营业亏损为 4,600 万美元，去年为 4,970 万美元。正如 Chris 所述，我们认为第四季度为季度营收底部；随着我们继续向高功率市场转型，预计 2026 年将恢复收入环比增长并贯穿全年。
资产负债表方面，应收账款由第三季度的 980 万美元下降至 360 万美元，使应收账款周转天数（DSO）降至 45 天。库存由上季度的 1,470 万美元下降至 1,330 万美元。季度末现金及现金等价物约 2.37 亿美元，反映了 2025 年 11 月完成普通股私募带来的约 9,600 万美元募集净额。公司仍无债务。我们以高流动性与更优营运资本状况结束全年，资产负债表保持强劲。
关于 2026 年第一季度指引：我们预计营收将环比增长至 800 万至 850 万美元之间。这将是公司转型以来首次实现季度环比增长。正如我刚才提到的，我们预计在高功率市场收入贡献持续提升的带动下，全年将继续保持环比增长。第一季度毛利率预计为 38.7% ± 25 个基点。我们仍然认为，面向高功率高增长市场的技术创新将推动未来毛利率逐步扩张。
运营费用方面，我们预计第一季度运营费用约为 1,500 万美元。我们将持续在资源与费用上进行配置，将公司资源再部署至更高功率的客户终端市场，特别是在美国；该资源再部署预计将对冲设施战略性缩减带来的影响，从而使运营费用保持平稳。第一季度加权平均股数预计约为 2.30 亿股。
最后，我们对目前初步进展以及向 Navitas 2.0 的加速转型感到满意，这一点在高功率产品首次占季度营收多数上得到了体现。我们预计将日益受益于 GaN 与高压 SiC 产品在目标高功率市场的更广泛采用。结合近期资源再配置、运营效率优化与分销渠道重组等举措，我们认为 Navitas 正走在实现毛利率改善与盈利表现提升的道路上。
下面我把电话交还 Chris，在进入问答前请他作最后补充。
Chris Allexandre（结束语补充）
在结束今天的电话会议之前，我想补充一件事。Todd 在公司服务了非凡的 10 年之后，决定卸任 CFO，去追求其他机会。他一直是公司所有人的宝贵伙伴，带来了财务纪律与战略洞察，并以坚守诚信的方式帮助我们穿越了增长与挑战并存的时期。
在过去 6 个月里，Todd 也一直是极佳的合作伙伴，帮助公司完成向 Navitas 2.0 的转型。代表董事会与管理团队，我想对他过去十年的贡献表达诚挚感谢。我们已有稳健的财务团队组织，Todd 也承诺将协助完成平稳交接，直到继任者到位。我们预计将在未来数周就 Todd 的继任安排及公司新 CFO 人选对外沟通。
我们带着对战略、动能以及持续为股东创造长期价值能力的信心，迈入新阶段。
再次感谢各位今天参会。主持人，我们现在可以进入问答环节。
问答环节（Question-and-Answer Session）
主持人（Operator）
[主持人提示] 第一位提问来自 Jefferies 的 Kevin Garrigan。
Kevin Garrigan（Jefferies）
Chris 和 Todd，祝贺业绩表现。Todd 也祝你未来一切顺利。能否请你们介绍一下：第四季度各个高功率终端市场的表现如何？以及我们应当如何看待第一季度这些市场的走势？
Todd Glickman
是的。显然，我们的环比营收增长来自高功率市场，所以它们表现良好。我们目前不会拆分披露各高功率市场的细分数据，但随着移动业务在今年逐步变得无关紧要，我们预计这些高功率市场都会在未来继续表现良好。
Kevin Garrigan
明白。追问一个问题：关于 800V 架构机会的进展能否更新一下？客户决策的时间线大概如何？
Chris Allexandre
Kevin，我是 Chris。正如上次所谈，我们与超大规模云服务商（hyperscalers）不止一家、而是多家，正在围绕 800V HVDC 的采用开展大量工作。正如新闻稿与发言稿提到的，我们已对将用于该架构的新产品进行送样。我们也发布了领先的 800V-to-50V DC-DC 砖式方案，用以展示这些产品可以实现的性能。因此合作在持续推进。现在判断何时最终确认还稍早一些，但我认为我们正与客户越来越接近。
Kevin Garrigan
好的。再次祝贺业绩。
Chris Allexandre（补充）
我再补充一点，Kevin。很多人把 800V HVDC 视为 AI 数据中心功率含量的“阶跃式提升”（step function），这确实如此——尤其当你转向 800V HVDC 时，GaN 替代硅会发生在关键位置。但我想强调：在 AI 数据中心领域，多家供应商都提到，目前传统架构（AC-DC）下的需求也在加速增长，主要依靠 SiC。我们预计在 HVDC 的 GaN“阶跃式提升”到来之前，SiC 在 AC-DC 侧将于未来一年持续增长。
主持人：下一位提问来自 Rosenblatt 的 Kevin Cassidy
Kevin Cassidy（Rosenblatt）
祝贺进展。你提到在与 hyperscalers 合作。你们是在直接与他们合作吗？他们会自己做电源吗？还是会由现有电源供应商拉动、服务 hyperscalers？
Chris Allexandre
Kevin，实际上三种情况都有。hyperscalers 在推动新架构：包括对 AC-DC PSU 的功率密度与功率等级的要求，以及 800V 的 HVDC 架构（可能是 50V，甚至更低电压）。我们不仅与 hyperscalers 合作。就 PSU 而言，通常由服务这些 hyperscalers 的 OEM/ODM 进行设计；而在 HVDC 方面，很多为 hyperscalers 提供服务的商用电源公司也在进行新架构设计。所以我们与各方都有合作。
我可以说，架构变化的驱动力来自美国及 hyperscalers，但中国台湾、中国大陆以及美国的 OEM/ODM 也在推动。正如你所知，我们刚发布的这块板卡（board）是与客户联合开发，用来展示在 800V-to-50V DC-DC 砖式方案中，一次侧用 GaN、二次侧也用 GaN 能达到的效率水平。未来你也会看到更多类似的参考实现（reference implementation）。
Kevin Cassidy
明白。那么客户或 hyperscalers 是否给出过拐点时间——也就是何时开始部署安装？
Chris Allexandre
我想说的是，如我刚才回答 Kevin（Garrigan）时提到，AI 数据中心增长可以视为“两条线”。第一条是更多数据中心、更多电力需求，带来更多 PSU、更高功率 PSU，这推动我们看到 SiC 在 2026 年持续增长。第二条是你问到的 800V HVDC：当出现“断点”（discontinuity）时，你在一次侧就无法继续用硅，因为电压到了 800V，就必须转向高压 GaN。这更多由机架（rack）架构变化驱动，而不是 GPU 变化驱动。
当你在单机架中塞入更多 GPU、走向兆瓦级机架时，硅方案无法提供所需功率密度与效率，于是出现断点。就我们目前判断，这大概在 2027 年。GaN 是否可能略早导入？有可能。比如在 48V IBC 中用 GaN 替代硅，GaN 可带来更高效率——硅也能做，但效率更高。这可能是你在数据中心第一次看到 GaN 的地方。但真正的“阶跃式提升”来自 800V DC，这与 2027 年更高 GPU 集成度的 Kyber 机架相关。
主持人：下一位提问来自 Needham 的 Quinn Bolton
Quinn Bolton（Needham）
祝贺 Navitas 2.0 转型进展，也祝 Todd 一切顺利。Chris，我想回到 800V HVDC，特别是 800V 母线一次侧。行业里仍有很多人认为在 800V 转换步骤中会用 SiC。你们显然在讲 GaN 方案。你们从主要 GPU 厂商与 hyperscalers 那里看到的情况是什么？他们更倾向 GaN 吗？还是对 GaN 与 SiC 都开放？从技术角度你怎么看 GaN 与 SiC 的取舍？
Chris Allexandre
谢谢 Quinn，这确实是个好问题，因为这里存在一定误解。首先我想说，我们并没有“推动”任何方案。我们同时拥有 SiC 与 GaN：如果一次侧需要用 SiC，我们欢迎；如果需要用 GaN，我们也欢迎。我们不是在推，我们是在被客户“拉动”（being pulled）。我们尚未看到客户评估中大量使用 SiC 作为 800V DC 一次侧的板级实现用例。SiC 在传统 AC-DC 架构中被广泛使用（如我提到的 1.2kV），那是在 800V DC 之前。但到了 800V DC，我们是被客户（包括 hyperscalers）拉动去采用 GaN，因为 GaN 效率更高、功率密度也更高。
Quinn Bolton
谢谢。第二个问题：你提到的 10kW 全 GaN 砖式方案——它更像参考平台，还是 Navitas 会考虑供应整套砖式产品？我想里面还有不少额外器件。如果卖整块“砖”，单机价值可能很高。你能谈谈你们是只卖其中的 GaN 器件，还是会卖整砖？如果卖整砖，对毛利率有什么影响？
Chris Allexandre
很好的问题。我们的看法是：这是一项“赋能型解决方案/赋能技术”，用于帮助客户。首先，如我提到的，这不是我们闭门造车做出来的，而是与一家领先客户联合开发。第二，我们不与客户竞争。现阶段我们看不到我们去销售整块模块（modules）的路径。
该设计会与客户、hyperscalers 以及相关 ODM/OEM 分享，帮助他们理解我们如何实现 98.5% 这样的高效率。基于我们看到的情况，以及客户反馈与部分竞争对手的反馈，我们认为这是行业里最好的水平之一。对我们而言，这与我们历史上推动 GaN 在移动端落地的方法一致：通过展示并帮助客户实现最高效率、最低 EMI、最高密度。在 AI 数据中心我们也在做同样的事。这也正是我说的“2.0 复用 1.0 的能力与技能”，系统专长会产生差异化价值。
归根结底，我们的业务是销售 GaN 与 SiC，并为客户赋能。事实上，在那块板上我们也使用了某些竞争对手的硅器件以及我们尚不具备的其他技术/产品。核心目标是展示如何用 GaN 在 HVDC 中实现并加速采用。
主持人：下一位提问来自 CJS 的 Jonathan Tanwanteng
Jonathan Tanwanteng（CJS）
我也祝 Todd 后续顺利。首先想请你谈谈 800V 数据中心供货的竞争格局：你们在这些设计插槽（sockets）里主要与谁竞争？对方是价格更低还是技术更强？另外，你们与 Infineon 的合作在该领域如何演进？
Chris Allexandre
谢谢 Jon。我先从后一个问题说起。我们与 Infineon 的合作仍在继续。我们有交叉许可（cross-license），并共享同一个愿景：加速 GaN 与 SiC 在 AI 数据中心的采用——SiC 用于传统架构，GaN 用于 800V DC。围绕这点，两家公司有很多沟通。
第二，你们也看到有多个供应商被列入 800V “AI 工厂”生态系统名单，目前大约有 13 家。但我们在自己目标插槽中并不会看到所有这些厂商都出现。我建议你关注：在这 13 家里，有多少真正具备适用于 800V HVDC 的 650V GaN 且封装形态合适？有多少具备支持 50V 二次侧的中压 GaN？其中有些被列为硅供应商，而我们被列为 GaN 供应商。
另外，如我们讨论的，SiC 也在 AC-DC 中使用。随着电压提高，对更多 SiC 的需求也会自然增强。并且在数据中心之外，要实现 800V HVDC，你需要推动电网架构改变——这会是纯粹的高压/超高压 SiC 机会。
因此我想说：竞争很激烈，但并非所有厂商都在同一维度上竞争。在名单里，既能提供 1.2kV SiC（AC-DC）与 2kV 以上超高压 SiC（电网），又能提供高压 GaN 与中压 GaN 的厂商并不多，所以实际竞争池会缩小。这也解释了我们为什么非常清晰地界定自己：我们不做硅，我们做 GaN（高压/中压）以及高压/超高压 SiC。
Jonathan Tanwanteng
明白。第二个问题：能否更新一下 800V 数据中心产品或整体高功率产品的增量毛利率（incremental margin）情况，尤其在你们导入新供应商的过程中？
Chris Allexandre
首先，如 Todd 所说，我们预计毛利率将持续扩张。记住，今年增长来自所有高功率市场，而移动业务下降并将继续从不足 25% 进一步降低。规模将带来毛利率提升：随着营收增长，部分固定成本会被吸收，从而推动毛利率扩张。第二，高功率市场的高功率产品毛利率高于移动业务，业务结构变化会推动提升。第三，我们正在积极导入新供应商，特别是在封装端，以降低成本。因此我们有多重理由确信毛利率将在 2026 年余下时间持续扩张，并在 2027 年规模进一步提升时延续这一趋势。
主持人：下一位提问来自 Charter Equity 的 Jack Egan
Jack Egan（Charter）
我想追问毛利率的长期驱动。随着移动业务越来越小，你们长期毛利率更主要由结构（比如数据中心与非数据中心的终端市场结构）驱动，还是更主要由技术创新（例如新产品更高 ASP）驱动？也就是：毛利率扩张更偏“结构/组合”还是“产品本身的更高毛利”？
Todd Glickman
会是二者的组合。首先是终端产品结构：随着移动业务下降，高功率市场会带来更高毛利，它们更依赖可靠性与性能。其次，随着规模提升与新产品导入，我们预计还会通过工艺优化、良率提升与封装成本降低进一步推动毛利率扩张——产品成本下降将带动毛利率上升。
Chris Allexandre（补充）
我补充一点：规模、降本以及更高毛利产品，如 Todd 所说。但我还想再次强调，我们非常确信第四季度是底部，我们对第一季度给出了上行指引，并表示 2026 年全年将实现营收环比增长并伴随毛利率扩张。增长来自整体高功率市场，而不仅仅是 AI 数据中心。
当然，AI 数据中心是未来的重要组成。如果你看我们几周前分享的 SAM，到 2030 年 AI 数据中心占比接近一半。但我也要强调：高性能计算今年在增长，会继续增长并改善结构；电网基础设施正在加速，在那里你会看到更高 ASP、毛利更高的产品，因为更强调可靠性与性能而非极致成本（当然成本也重要）。在 AI 数据中心这个成本敏感市场里，当前核心是效率。所有这些市场都会共同推动毛利率扩张，而不是仅由 AI 数据中心单一驱动。
Jack Egan
理解，很有帮助。再问一个更宏观的问题：SiC（行业整体）在汽车与工业等市场经历了明显的供给过剩周期。你们对供需何时再平衡有什么预期？对 Navitas 或行业层面有什么看法？（我知道你们可能不太受影响，但希望听听你们的评论。）
Chris Allexandre
坦率说，Jack（原文误称 John(sic)），作为行业老兵，我认为这需要一些时间。不过这个问题你更应该问那些面向电动车（EV）供货的厂商。我们不是。我们不在同一“SiC 赛道”里。你们也听到我一直非常清晰：我们聚焦 1.2kV（用于 AI 数据中心 PSU），以及 2kV 以上（直至 5kV 甚至更高，用于电网）。这不是供给规模的问题，而是你的技术有多可靠、高效、性能有多强。对于那些做 450V、650V、800V、面向 EV 的 SiC 供应商，这是一个合理担忧；但对我们而言，更关键是超高压的规模化推进，目前与供给过剩并无直接关系。
主持人：下一位提问来自 Craig-Hallum 的 Richard Shannon
Richard Shannon（Craig-Hallum）
抱歉这边有点环境噪声，我刚下飞机，错过了一些内容，希望没有重复问题。Chris，我想问 AI 数据中心机会：你们的机会在多大程度上来自与 Infineon 的合作、或者说“搭着”Infineon 的势能？此外，在一个机架内，从点负载（point of load）到 800V 下变换（down conversion），这些机会会不会相互“交叉带动”（cross-fertilize）从而给你们带来额外收益？
Chris Allexandre
非常好的问题。如我提到的，我们与 Infineon 合作，有交叉许可，这是几年前建立的。我们持续推动协作以促进 GaN 采用，包括高压与中压。我想说的是：我们并不“借力”或“受益于”Infineon。你会看到的情况是——之前也有人问我我们最常“撞上”的对手是谁——很可能就是 Infineon，因为他们也有相同愿景与相似技术布局：高压 GaN、中压 GaN、SiC 以及用于电网的超高压 SiC。因此我们彼此会在市场上相遇、相互跟随，但我不会说我们在依赖 Infineon。某种意义上，由于我们面对的是相同客户、思考路径也相似，因此对技术的判断会趋同。
关于你问的产品组合扩展，我们确实在评估机会。我的当前重点是完成公司的转型，把所有资源、所有工程师、所有注意力投入四大高功率市场与高压 GaN/高压 SiC 上。但我们也在看扩展组合的机会。随着数据中心电压升高，你会需要电路保护（circuit protection），这可能是我们未来会评估的方向。不过现在我们仍高度聚焦于以现有产品执行落地。
Richard Shannon
明白。第二个问题给 Todd：关于毛利率。你在准备发言中提到现在规模还不足以带来毛利率杠杆。是否存在一个营收水平达到后开始出现明显杠杆？以及当出现杠杆后，利润“下落率/边际贡献”（fall-through margin）大概如何？
Todd Glickman
好问题。随着结构变化，我们的毛利率会提升。但目前确实存在规模问题。我们预计从第二季度起毛利率会再次开始扩张，这大概就是当前的拐点（tipping point）。
Chris Allexandre（补充）
我想补充一点：高功率市场的高功率产品毛利率更高，移动业务在下降——第四季度不到 25%，并将继续下降并在 2026 年末变得无关紧要。我们对“结构变化 + 新产品 + 降本”的组合非常有信心，会推动毛利率扩张。你很快就会看到这一点。
主持人：最后一个问题来自 Needham 的 Quinn Bolton
Quinn Bolton（Needham）
Chris，你花了很多时间谈 800V 数据中心机会。但你也提到需要重构电网。我想请你谈谈高压 SiC 与固态变压器（SST）的机会：你们在固态变压器的设计导入处于什么阶段？有没有办法估算一下内容价值（dollar content opportunity）？比如每兆瓦或每台设备需要多少高压 SiC？
Chris Allexandre
谢谢 Quinn。我很高兴你问这个问题，因为大家都把焦点放在 AI 数据中心与 800V HVDC 架构上——这确实重要，因为它是架构上的“断点”，意味着硅被 GaN 或其他高压技术替代。但如果电网不变，这些都无法实现。这不仅是“更高效的电网”，而是架构层面的改变。你提到 SST，本质上是把 35,000V 交流（超高功率、高电压线路）以最高可靠性降至 800V 直流。这会驱动变革。我从未见过电网基础设施变化得这么快。
关于你问的应用，我们在发言稿和新闻稿里提到，我们正在加速 2.3kV 与 3.2kV（原文如此）的送样。应用包括所有电网类应用：SST 当然是其中之一，还包括电池储能系统（BESS）、兆瓦级充电器、并网级太阳能电站等。这些应用都在加速设计中，我们与客户的交流非常密集。所以我说我们有“两条腿”：四大高功率市场；但若看更长远，AI 数据中心与电网两条腿同等重要，而这会是一个纯粹的高压 SiC 机会。
这也回应了之前关于 EV 的问题——这不是同一类技术路线，因为你必须交付高可靠性技术与高可靠性模块，所以玩法不同。我们确实看到设计动能在加速。当然，这需要时间；它的设计周期比计算更长、比 AI 数据中心更长。但我认为从 2027 年起你将开始看到显著的营收增长。
关于内容价值，在我们上一次投资者会议中，我们提到以 SAM 口径估算，Navitas 在每兆瓦的总内容价值约为 25,000 至 35,000 美元，这一估算基于超高压/高压 SiC（1.2kV 与 2kV 以上）以及 GaN。其中约 10,000 至 12,000 美元的内容价值来自数据中心之外，主要就是 SST、BESS 以及上述应用。
在数据中心内部，SiC 用于 PSU，而随着转向 800V DC，GaN 将发挥作用。但我们不应低估电网基础设施的重要性与潜力。事实上，我们几周前发布的详细 SAM 分析显示，到 2030 年，GaN 与 SiC 的潜力大致是 50%-50%，合计为我们前面提到的 35 亿美元。
你也可以看到，电网市场的 SAM 与数据中心并不相差很远。而且我还想说：这仅仅是开始。电网是一个跨数十年的变革，会持续推动更高电压：我们从 2kV 开始，走向 3kV，未来到 5kV 甚至更高，这将驱动未来数十年的持续变革。
主持人（Operator）
问答环节到此结束。下面把电话交回管理层进行结束语。
Chris Allexandre（总结）
感谢各位参加。正如各位所感受到的，我们为取得的进展感到非常自豪。我加入后的前 5 到 6 个月主要是推动公司转型，并清晰界定我们的方向，我认为我们已经做到了。我们正聚焦于加速技术送样。我们的转型有四大支柱：市场聚焦、技术领导力、运营效率与财务纪律。我们会持续向各位更新进展。我认为公司前景光明。
主持人（Operator）
女士们、先生们，本次电话会议到此结束。感谢各位参加。现在可以挂断电话。
