【企业报告】晶升股份(688478.SH):第三代半导体材料的“种晶人”

在半导体产业向更高效率、更高功率进军的道路上，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料正成为关键突破口。而制造高质量碳化硅衬底的核心，离不开一种名为“晶体生长设备”的工业母机。南京晶升装备股份有限公司，正是国内领先的半导体级晶体生长设备供应商，专注于为产业“种植”最基础的单晶材料。

一、整体概况/基本资料

南京晶升装备股份有限公司是一家专注于半导体级晶体生长设备研发、生产和销售的高新技术企业。公司自成立以来，深耕于硅、碳化硅等半导体材料的长晶环节，其核心产品是制备半导体衬底的关键装备。凭借在热场设计、精确控制等方面的技术积累，公司已成为国内碳化硅长晶设备的主要供应商之一，并成功进入多家行业龙头客户的供应链。

二、公司团队及管理团队

公司核心团队具备深厚的半导体设备行业背景和工程技术经验，创始人与高管多出自国内顶尖的半导体设备企业，拥有丰富的产业实践经历。

三、创始人介绍

南京晶升装备股份有限公司（简称“晶升股份”）的创始人是‌卢祖飞‌。

卢祖飞不仅是公司的创始人，还曾担任公司董事长。他于2012年创立了晶升股份，并带领公司发展成为半导体晶体生长设备领域的国家高新技术企业。2023年4月24日，晶升股份在上海证券交易所科创板上市。

根据公开信息，卢祖飞在公司上市后，于2024年11月通过协议转让方式，将其持有的全部股份（占公司总股本的6.51%）转让给其女儿卢语。此次转让是家庭内部的股权调整，转让后卢祖飞不再直接持有公司股份，但其作为创始人的角色和贡献被广泛认可。

公司法定代表人及董事长为‌李辉‌，他自公司成立以来长期担任核心管理职务，是公司技术发展和市场拓展的关键领导者。‌

一、教育背景

李辉，男，1972年12月出生，中国国籍，无境外永久居留权，本科学历。尽管关于他具体的毕业院校和所学专业并没有公开资料，但从他后续在行业内取得的成就可以看出，他在大学期间一定积累了扎实的专业知识和综合素质，为他的职业生涯奠定了坚实的基础。

二、职业履历

1998年6月至2010年9月，李辉在斯凯孚（中国）有限公司开启了他的职业生涯，历任工程师、区域经理、大区经理和总经理等职务。在斯凯孚的12年多时间里，他不断成长和进步，积累了丰富的管理经验和行业资源，为他后来的创业之路打下了坚实的基础。

2004年7月至2010年9月，李辉同时担任斯凯孚（上海）投资咨询有限公司董事，负责公司的投资决策和战略规划。2010年3月至2010年9月，他又担任斯凯孚（大连）轴承与精密技术产品有限公司董事，参与公司的日常运营和管理。

2010年10月至2012年1月，李辉开始筹备自己的公司——南京晶升装备股份有限公司（以下简称“晶升股份”）。经过一年多的努力，2012年2月，晶升股份正式成立，李辉担任公司董事长、总经理，全面负责公司的经营管理和战略规划。

在李辉的领导下，晶升股份发展迅速，逐渐成为国内领先的半导体专用设备供应商。除了在晶升股份的职务外，李辉还在多家关联公司担任重要职务。2015年3月至今，他担任晶能半导体董事长；2018年1月至2024年6月，担任集芯半导体执行董事；2022年1月至今，担任晶升半导体执行董事；2023年7月至今，担任晶采半导体总经理。

四、主营业务

公司主营业务聚焦于 “半导体级晶体生长设备” 的研发、生产和销售。具体为下游半导体材料厂商提供用于生长硅单晶、碳化硅单晶等关键衬底材料的专用设备及工艺解决方案。

五、核心技术

公司的核心技术围绕 “晶体生长工艺与装备实现” 展开：

1. 晶体生长工艺技术：掌握物理气相传输法（PVT，用于碳化硅）、直拉法（CZ，用于硅）等晶体生长的核心工艺参数与热场模拟技术。

2. 专用设备设计与集成技术：包括高温热场系统设计、高精度温度与压力控制、真空与气流控制、自动化控制软件等。

3. 设备稳定性与重复性技术：确保设备能够长时间稳定运行，并保障不同批次生长的晶体质量一致，这是设备获得客户认可的关键。

六、产品与服务

七、市场竞争地位/技术优势

晶升股份是国内碳化硅长晶设备领域的先行者和主要供应商，在该细分赛道建立了先发优势。

八、商业模式

公司采用典型的 “研发驱动、订单导向” 的专精特新商业模式。

• 销售模式：直接面向碳化硅衬底、硅片等材料制造商销售设备。通过与行业龙头深度合作、共同研发，建立示范效应，进而拓展市场。

• 生产模式：以“以销定产”为主，结合市场预测进行柔性生产。核心部件自主设计、组装和调试，标准件外购。

• 研发模式：以市场需求和产业前沿技术趋势为双导向，持续投入研发，保持设备的技术先进性与工艺领先性。

九、公司生态

公司生态围绕核心设备构建：

• 上游：与高纯石墨、保温材料、真空部件、精密传感器、控制系统供应商合作。

• 下游/客户：深度绑定三安光电、东尼电子、浙江晶睿等国内碳化硅衬底制造龙头；同时积极开拓半导体硅片客户。

• 产学研：与南京大学等高校在晶体生长基础理论和模拟计算方面开展合作。

十、发展历程

十一、行业发展

• 趋势与前景：

1. 碳化硅产业爆发式增长：新能源汽车800V高压平台、快充桩、光伏逆变器对高效率功率器件的需求，驱动碳化硅市场以年均30%以上速度增长，衬底产能急需扩张，直接拉动长晶设备需求。

2. 大尺寸化降本趋势：碳化硅衬底正从6英寸向8英寸过渡，硅衬底以12英寸为主流。大尺寸设备是降低材料成本的关键，成为设备商技术竞赛的焦点。

3. 国产化替代迫切：碳化硅长晶设备长期被国外垄断，在供应链安全与成本考量下，国产设备替代空间巨大。

4. 设备智能化与自动化：提升晶体生长的自动化控制水平和良率稳定性，是设备升级的重要方向。

• 挑战：

1. 技术迭代与竞争加剧：国内龙头（晶盛机电等）和新兴企业纷纷加大投入，技术追赶迅速，市场竞争激烈。

2. 下游验证周期长：半导体设备进入客户产线需经历漫长验证，新客户开拓速度可能受影响。

3. 行业周期性风险：半导体行业存在周期性波动，若下游资本开支放缓，将直接影响设备订单。

十二、企业类型归纳

十三、景气度周期分析

晶升股份的景气度与 “第三代半导体（尤指碳化硅）产业扩产周期” 深度绑定，并叠加 “半导体设备国产化政治周期”。

• 碳化硅产业扩产周期：这是一个典型的 “需求驱动型”成长周期。当前正处于从“1到N”的快速渗透和产能爬坡阶段。主要由下游新能源汽车等终端应用爆发，引发对上游器件、衬底的强劲需求，进而驱动衬底厂商大规模资本开支、采购设备。此轮周期强度大、确定性高，但后续可能伴随产能集中释放后的阶段性调整。

• 国产化替代周期：在中美科技竞争背景下，国产设备导入进程加快，赋予了公司超越行业自然增长的超额增速。这个周期更具政策驱动性和长期性。

• 与传统半导体周期的区别：碳化硅产业目前处于成长初期，其周期波动性小于成熟的传统硅半导体“硅周期”，成长属性更强。但作为资本密集型产业，其扩产潮本身也可能形成小周期。

• 判断：公司正处在 “碳化硅需求爆发+国产设备导入” 双重驱动的景气高峰阶段，未来2-3年订单能见度较高。长期景气度取决于公司能否在8英寸设备竞争中保持领先，并开拓新的增长点。

一张表看懂半导体上市企业晶升股份

知识科普：碳化硅（SiC）单晶炉是如何“种”出第三代半导体衬底的？

如果把制造芯片比作建造高楼大厦，那么衬底（硅片或碳化硅片）就是地基。碳化硅单晶炉，就是为高性能功率器件“锻造”特种地基的核心装备。

• 核心原理——物理气相传输法（PVT）：这与制造硅单晶的“直拉法”完全不同。过程可以形象地理解为 “高温升华再结晶”。

1. 原料升华：将高纯碳化硅粉末原料置于炉膛底部（高温区，温度超过2000℃），使其升华成含硅和碳的气态物质。

2. 气相传输：在温度梯度的驱动下，这些气态物质向炉膛顶部温度稍低的区域（籽晶处）传输。

3. 籽晶处结晶：气态物质在预先放置好的碳化硅籽晶（一小块高品质单晶）表面重新结晶，原子按照籽晶的晶格结构有序排列，单晶逐渐长大。

• 技术难点：这个过程需要在超过2000℃的高温、接近真空或惰性气体的密闭环境中进行，温度控制和气流场的均匀性要求极高。任何微小的扰动都会导致晶体产生多型、位错等缺陷，导致材料无法使用。因此，一台能稳定生长出高质量、低缺陷碳化硅晶锭的设备，技术壁垒极高。

• 为何重要：碳化硅材料具有耐高压、耐高温、高频性能好的特性，是制造新能源汽车电机控制器、车载充电器、快充桩核心器件的理想材料。而晶升股份提供的单晶炉，是决定碳化硅衬底质量、尺寸和成本的最关键环节，其技术进步直接推动着整个第三代半导体产业的发展。

参考资料：

1. 南京晶升装备股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书

2. 南京晶升装备股份有限公司年度报告（2023年）

3. 南京晶升装备股份有限公司官方网站

4. 东方财富网-晶升股份（688478）公司资料及高管介绍页

5. Yole Développement等国际咨询机构关于第三代半导体市场的报告

6. 各证券公司关于晶升股份及碳化硅行业的研究分析报告

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