一、公司核心定位：国内氮化镓 IDM 龙头，多领域布局凸显优势
英诺赛科（2577.HK）是一家立足苏州和厦门的氮化镓（GaN）垂直整合制造（IDM）供应商，核心竞争力在于掌握 8 英寸氮化镓芯片的研发与生产能力，产品覆盖消费电子、电动汽车、人工智能及数据中心、机器人等多个高增长领域。与传统硅基器件相比，氮化镓器件具备尺寸更小、能效更高的显著优势，而英诺赛科的 IDM 模式 —— 集外延片制造、芯片设计与生产于一体 —— 让其能够快速联动设计与制造环节，及时响应客户定制化需求，这成为公司在市场竞争中的核心壁垒。
公司的电压解决方案覆盖范围极广，从 5V 到 1200V，既适配消费电子等低压高频场景，也能满足工业电源、电动汽车逆变器等高压应用需求，这种全场景覆盖能力为其后续业务扩张奠定了坚实基础。值得一提的是，高盛对化合物半导体行业整体持乐观态度，认为随着成本结构持续优化，氮化镓等化合物半导体将在更多领域替代硅基器件，而英诺赛科作为国内该领域的代表性企业，有望充分受益于行业增长红利。
二、核心发展亮点：产能扩张、应用拓宽与技术壁垒筑牢
（一）苏州工厂产能爬坡，40 亿元投入撬动增长
产能扩张是英诺赛科 2026 年及未来的核心战略方向。公司管理层明确表示，计划到 2028 年实现苏州工厂的全面投产，以精准捕捉人工智能数据中心、机器人关节驱动器、电动汽车激光雷达及车载充电器、工业电源、消费电子电源等领域的激增需求。不同于新建工厂的高额投入，苏州工厂的产能释放成本相对可控 —— 公司已完成工厂主体投资，后续仅需投入设备采购费用，且 8 英寸设备的采购成本相对亲民。
据管理层透露，苏州工厂的产能爬坡总计需投入约 40 亿元人民币，这笔资金将主要用于设备引进与生产线调试。随着产能逐步释放，公司将大幅提升氮化镓芯片的供应能力，有望进一步扩大在各应用领域的市场份额，成为驱动业绩增长的核心引擎。
（二）应用场景持续拓宽，低压高频为主、高压领域突破
英诺赛科的氮化镓应用正从传统领域向高增长赛道全面延伸，形成 “低压高频为主、高压领域突破” 的双轮驱动格局。目前，公司 70%-80% 的应用集中在低压高频领域，核心聚焦于需要快速开关功能的功率半导体场景：在人工智能服务器领域，随着算力提升和客户能效意识增强，每机架的氮化镓器件价值量持续上涨，覆盖 GPU 和 ASIC 两类 AI 服务器；在机器人领域，关节驱动器的高效运行对氮化镓器件需求旺盛；在电动汽车领域，激光雷达（LiDar）和车载充电器成为核心应用场景。
同时，公司也在积极布局高压产品（1200V 及以上），目标切入工业电源、矿山机械、电动汽车逆变器等更高价值量的领域，未来有望成为新的增长曲线。管理层特别提到，中国人工智能基础设施建设相较于全球仍处于早期阶段，这一领域未来有望成为公司中长期的重要增长驱动力，为氮化镓高压、大功率器件提供广阔市场空间。
（三）IDM 模式 + 高良率，构筑坚固技术护城河
公司的核心竞争优势集中体现在技术实力与生产效率上。作为 IDM 厂商，英诺赛科拥有自主外延片制造能力，这是氮化镓生产的关键环节 —— 外延片的均匀性、翘曲控制难度极大，且尺寸越大制造难度越高，而公司凭借自主研发突破了这一技术瓶颈。同时，IDM 模式让设计与制造环节能够快速联动，当客户提出需求调整时，公司可迅速优化设计方案并调整生产工艺，大幅缩短交付周期。
生产效率方面，公司氮化镓器件的良率已超过 95%，且管理层预计未来两年将持续提升。这一水平在行业内处于领先地位，高良率不仅能降低单位生产成本，还能保障产品供应的稳定性，进一步强化竞争优势。要知道，氮化镓器件的生产涉及 400 多个工序，且化合物半导体的加工难度本身就高于硅基器件，能够实现如此高的良率，充分印证了公司的技术积累与生产管控能力。
三、行业背景与高盛观点：化合物半导体迎黄金发展期
高盛在研报中强调，化合物半导体行业正迎来需求与成本的双重拐点。一方面，人工智能、电动汽车、机器人等新兴领域的快速发展，推动功率半导体的性能要求持续提升，氮化镓等化合物半导体凭借能效和尺寸优势，成为替代传统硅基器件的核心选择；另一方面，随着技术成熟与产能规模扩大，化合物半导体的成本结构不断优化，性价比优势日益凸显，进一步加速了其在各领域的渗透。
人工智能数据中心是化合物半导体的关键驱动因素之一 —— 随着 AI 基础设施的算力密度提升，功耗问题日益突出，氮化镓器件的高效节能特性能够有效解决这一痛点，带动供应链的产品规格升级。基于这一逻辑，高盛同时推荐了全球碳化硅（SiC）衬底龙头 SICC，并认为英诺赛科作为氮化镓领域的重要参与者，将充分受益于行业增长趋势。
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