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半导体行业术语缩写词典总结-C(第二轮)

   日期:2025-12-31 23:55:41     来源:网络整理    作者:本站编辑    评论:0    
半导体行业术语缩写词典总结-C(第二轮)

作为半导体行业新人来说,最痛苦的莫过于各种缩写词术语了,有的缩写词一样但是会有不同的解释。

这里作者给大家整理了部分术语词典,后面会按照更新顺序一一分享出来。

废话不多说,直接开始,如有遗漏,欢迎大家在评论区或者私信补充,作者会在后面单开一篇来补充:

03

C-开头缩写

缩写

英文全称
中文解释
技术说明
C2C
Chip-to-Chip
芯片到芯片互连
封装内或板级高速互连。
C2S
Chip-to-Substrate
芯片到基板互连
封装中裸片与基板之间的互连。
C2W
Chip-to-Wafer
芯片到晶圆键合
3D/2.5D   封装中的工艺路线。
CAA
Critical   Area Analysis
临界面积分析
用于   DFM/DFY 的随机缺陷分析。
CAD
Computer-Aided   Design
计算机辅助设计
用于   IC 版图/电路设计。
CAE
Computer-Aided   Engineering
计算机辅助工程仿真
用于电路仿真与验证。
CAIBE
Chemical-Assisted   Ion Beam Etch
化学辅助离子束刻蚀
一种混合刻蚀技术(化学   + 离子束),用于精密刻蚀。
CAM
Computer-Aided   Manufacturing
计算机辅助制造
用于制造过程自动化。
CAN
Controller   Area Network
控制器局域网
车规   MCU/SoC 常用总线。
CAN-FD
CAN   with Flexible Data-rate
可变数据率   CAN 总线
升级版   CAN,支持更高数据速率。
CAN-XL
CAN   eXtended Length
扩展长度   CAN 总线
下一代   CAN 标准,支持更高带宽。
CAS
Column   Address Strobe
列地址选通信号
DRAM   时序控制信号之一。
CB
Common   Base
共基极结构
BJT   放大器的一种配置。
CBE
Chemical   Beam Epitaxy
化学束外延工艺
用于化合物半导体外延生长。
CBED
Convergent   Beam Electron Diffraction
汇聚束电子衍射
TEM   中用于测量应变/晶向的技术。
CC
Common   Collector
共集电极结构
BJT   放大器的一种配置。
CCD
Charge-Coupled   Device
电荷耦合器件
早期图像传感器技术。
CCGA
Ceramic   Column Grid Array
陶瓷柱栅阵列封装
高   I/O、高可靠封装。
CCI
Cache   Coherent Interconnect
缓存一致互连
ARM/SoC   生态中的缓存一致互连总称。
CCIX
Cache   Coherent Interconnect for Accelerators
加速器缓存一致互连协议
面向加速卡的缓存一致互连协议。
CCO
Current-Controlled   Oscillator
电流控制振荡器
一种振荡器电路。
CCS
Composite   Current Source
复合电流源模型
某些   EDA 厂商的库模型格式。
CD
Critical   Dimension
关键尺寸
最小特征线宽/间距,是制程控制核心参数。
CD (Common Drain)
Common   Drain
共漏结构(源跟随)
MOS   放大器的一种配置。
CDC
Clock   Domain Crossing
时钟域交叉分析
用于多时钟域设计的时序收敛分析。
CDF
Component   Description Format
元件描述格式
Cadence   系 EDA 中使用的器件描述格式。
CDL
Circuit   Description Language
电路描述语言
用于版图抽取网表格式。
CE   (Common Emitter)
Common   Emitter
共射极结构
BJT   放大器的一种配置。
CEC
Combinational   Equivalence Checking
组合等价性检查
形式验证中的功能等价性验证方法。
CERDIP
Ceramic   Dual In-line Package
陶瓷双列直插封装
早期高可靠模拟   IC 封装。
CERPACK
Ceramic   Package
陶瓷封装器件
泛指陶瓷封装器件。
Cf
Capacitance–Frequency
电容-频率特性/测试
用于分析界面态和电荷俘获。
CFD
Computational   Fluid Dynamics
计算流体力学
用于模拟洁净室气流/温度场。
CFI
Common   Flash Interface
通用闪存接口
用于   NOR/NAND 闪存的接口规范。
CFP
Ceramic   Flat Pack
陶瓷扁平封装
早期混合电路/军工   IC 使用的封装。
CG
Common   Gate
共栅结构
MOS   放大器的一种配置。
CHMOS
Complementary   High-performance MOS
高性能互补   MOS 工艺
早期高性能   CMOS 工艺系列(如 Intel 曾使用)。
CIC
Clock   Induced Charge
时钟诱导电荷
CCD   中的噪声/失效机理。
CIGS
Copper   Indium Gallium Selenide
铜铟镓硒薄膜太阳能电池材料
用于薄膜太阳能电池的化合物半导体材料。
CIM
Computer-Integrated   Manufacturing
计算机集成制造系统
晶圆厂   MES 相关系统。
CIS
CMOS   Image Sensor
CMOS   图像传感器
基于   CMOS 工艺的图像传感器。
CISC
Complex   Instruction Set Computer
复杂指令集架构
处理器指令集架构之一。
CKE
Clock   Enable
时钟使能信号
DRAM   中用于控制自刷新/节能模式的信号。
CLCC
Ceramic   Leadless Chip Carrier
陶瓷无引线芯片载体封装
高可靠封装形式。
CLGA
Ceramic   Land Grid Array
陶瓷接触栅阵列封装
用于高功耗、高可靠   FPGA/ASIC。
C-line / C-layer
“C”   layer
某工艺层命名
在某些工艺/层命名中使用,依据厂商/流程命名规范。
CLM
Channel   Length Modulation
沟道长度调制效应
MOSFET   中的短沟道效应。
CMC
Compact   Model Coalition
紧凑模型联盟
负责标准化   SPICE 器件模型。
CML
Current   Mode Logic
电流模逻辑
用于高速差分信号传输。
CNFET
Carbon   Nanotube FET
碳纳米管场效应晶体管
使用碳纳米管作为沟道材料的晶体管。
CNN
Convolutional   Neural Network
卷积神经网络
AI   加速芯片/神经网络处理器核心结构。
COE
Chemical   Oxide Etch
化学氧化蚀刻
用于氧化层刻蚀或相关工艺(取决于上下文)。
COF
Chip   On Film
芯片在柔性薄膜上的封装
用于柔性电子或显示驱动。
COG
Chip   On Glass
芯片在玻璃基板上的封装
常见于   LCD 驱动芯片。
COT
Customer   Owned Tooling
客户自有光罩/模具模式
客户提供光罩的制造模式。
COTS
Commercial   Off-The-Shelf
现成商规器件
非定制化商用器件。
CP
Cleaning   / Cleaning Process / Chemical Process
清洗   / 化学处理
在晶圆清洗、工艺处理(如湿法清洗)等环节常见。
CPE
Constant   Phase Element
常相位元件
用于阻抗建模中的非理想电容行为描述。
CPF
Common   Power Format
通用电源格式
低功耗设计的电源约束格式。
C-PHY
MIPI   C-PHY
MIPI   C-PHY 串行物理层
用于摄像头/显示连接的高速接口。
Cpk
Process   Capability Index
制程能力指数
用于统计过程控制的指标。
CPL
Complementary   Pass-Transistor Logic
互补传输晶体管逻辑
一种低功耗/高速度逻辑电路风格。
CPLD
Complex   Programmable Logic Device
复杂可编程逻辑器件
一种可编程逻辑器件。
CPP
Contacted   Poly Pitch
接触多晶栅间距
先进   CMOS 工艺中栅极缩放的关键参数。
CPRI
Common   Public Radio Interface
公共无线电接口
用于基站射频前传。
CQFP
Ceramic   Quad Flat Pack
陶瓷四边引脚扁平封装
军工/航天用   QFP 陶瓷版本。
CQGP
Ceramic   Quad Grid Array Package
陶瓷四边栅格阵列封装
高引脚数陶瓷封装。
CRT
Cathode   Ray Tube
阴极射线管
早期显示器件。
CS
Common   Source
共源结构
MOS   放大器的一种配置。
CSAM
Confocal   Scanning Acoustic Microscopy
共焦扫描声学显微镜
用于封装内部空洞/分层检测。
CSI
Camera   Serial Interface
相机串行接口
如   MIPI CSI,用于图像传感器接口。
CSI2
Camera   Serial Interface 2
MIPI   CSI-2 接口
第二代摄像头串行接口。
CSMA
Carrier   Sense Multiple Access
载波侦听多路访问
MAC   层接入机制,用于以太网/无线网络。
CSOP
Ceramic   Small-Outline Package
陶瓷小外形封装
陶瓷版   SOIC,用于高可靠系统。
CTAT
Complementary   To Absolute Temperature
负温度系数
与   PTAT 相对的温度特性描述。
CTE
Coefficient   of Thermal Expansion
热膨胀系数
封装/材料匹配的关键参数。
CTLE
Continuous-Time   Linear Equalizer
连续时间线性均衡器
SerDes   接收端的前端模拟均衡模块。
CTS
Clock   Tree Synthesis
时钟树综合
用于优化时钟分布网络。
Cu-interconnect
Copper   Interconnect
铜互连
用铜作为互连金属层,是现代集成电路互连的主流方式。
CVD-based variants
Chemical   Vapor Deposition …
化学气相沉积相关
如   LPCVD、PECVD 等,是基础薄膜沉积技术。
CXL
Compute   Express Link
计算快速链接
主机-加速器互连总线。
CZ
Czochralski
柯西奇拉晶法
单晶硅生长的主流工艺。
CZT
Cadmium   Zinc Telluride
碲锌镉探测器材料
用于辐射探测器的化合物半导体材料。
原创声明: 本文综合公开资料梳理,转载需授权。
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