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扬杰科技(300373)深度报告:功率IDM龙头多维布局,汽车+AI双轮驱动打开成长新空间

   日期:2025-12-30 22:10:37     来源:网络整理    作者:本站编辑    评论:0    
扬杰科技(300373)深度报告:功率IDM龙头多维布局,汽车+AI双轮驱动打开成长新空间



一、核心观点摘要

扬杰科技是国内稀缺的功率半导体全产业链IDM(垂直整合制造)领先厂商,构建了“半导体材料-晶圆制造-封装测试-器件应用”的完整业务布局,形成基础业务(H1)、核心业务(H2)、成长业务(H3)三大产品矩阵,一站式覆盖下游多领域应用需求。当前功率半导体国产替代进程加速,新能源汽车与AI算力两大高景气赛道驱动行业需求爆发,公司凭借产业链协同、产品梯次布局、渠道深度覆盖的三重核心优势,实现基础业务稳固、核心业务突破、成长业务放量的良性发展格局。我们预计公司2025-2027年EPS分别为2.50、2.94、3.52元/股,参考可比公司估值水平,结合公司行业龙头地位与广阔成长空间,给予2026年30倍PE估值,对应合理价值88.21元/股,首次覆盖给予“买入”评级。

二、公司概况:功率IDM标杆企业,三层产品矩阵构筑护城河

(一)全产业链IDM模式,打造一体化竞争优势

作为国内功率半导体领域的先行者,扬杰科技深耕行业多年,是少数实现全产业链自主可控的IDM厂商。公司业务贯穿半导体硅片制备、晶圆设计与制造、器件封装测试及终端销售全环节,自主掌控核心工艺与生产流程,有效规避了代工模式下的产能瓶颈与技术外溢风险,同时实现研发、生产、销售的高效协同,大幅缩短新品从研发到量产的周期,降低生产成本。

(二)三层产品矩阵,覆盖从基础到高端的全品类需求

公司基于市场需求与技术迭代趋势,构建了H1-H2-H3三层立体化产品矩阵,形成“基础业务稳盘、核心业务增量、成长业务突破”的发展格局:

- H1基础业务:以功率二极管、整流桥、半导体硅片等成熟产品为主,技术壁垒相对较低但市场需求稳定,是公司业绩的压舱石。目前公司整流桥、光伏二极管等产品的全球市场份额位居前列,凭借高性价比与稳定的供货能力,牢牢占据全球中低端市场主流地位。
- H2核心业务:聚焦MOSFET、小信号器件等中高端产品,是公司营收增长的核心驱动力。受益于消费电子、工业控制等领域的国产替代需求,公司MOSFET产品在中高端市场实现突破,已进入多家头部客户供应链,出货量持续攀升。
- H3成长业务:布局SiC(碳化硅)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)及功率模块等前沿产品,是公司抢占未来高端市场的关键。当前公司SiC器件已完成车规级认证,IGBT模块批量应用于新能源汽车电控系统,成长业务正加速从研发阶段向规模化量产阶段迈进。

公司产品广泛应用于汽车电子、人工智能、清洁能源、5G通讯、智能安防、工业控制、消费电子等七大高景气领域,下游应用的多元化有效分散了单一行业周期波动的风险,为业绩持续增长提供坚实支撑。

三、行业风口:国产替代提速,汽车+AI双轮驱动需求爆发

(一)功率半导体国产替代进入加速期,进口替代空间广阔

功率半导体是电力电子系统的核心底层元件,广泛应用于各类电气设备的电能转换与控制,是保障能源高效利用与设备稳定运行的关键。长期以来,国内高端功率半导体市场被英飞凌、安森美、意法半导体等国际巨头垄断,国产化率不足20%。近年来,随着国际贸易环境变化与国内产业链自主可控需求提升,功率半导体国产替代进程全面加速,政策支持与下游需求共振,为本土IDM厂商带来历史性发展机遇。

(二)新能源汽车:SiC替代硅基器件,打开成长天花板

新能源汽车是功率半导体最大的下游应用市场之一,整车功率半导体价值量较传统燃油车提升3-5倍,其中二极管、IGBT模块是车载电控系统、充电桩的核心元器件,需求随新能源汽车渗透率提升持续放量。

与此同时,SiC MOSFET凭借耐高温、耐高压、低损耗的显著优势,在800V高压平台车型中的应用渗透率快速提升。相较于传统硅基IGBT,SiC器件可使新能源汽车续航里程提升10%-15%,充电效率提升30%以上,已成为主流车企高端车型的标配。公司前瞻性布局SiC产业链,从衬底材料到器件封装全环节自主研发,车规级SiC MOSFET已通过多家车企认证并实现小批量供货,未来有望充分受益于SiC器件的规模化替代浪潮。

(三)AI算力:800V HVDC架构普及,驱动SiC/GaN需求激增

AI算力中心的大规模建设,推动数据中心供能架构向800V HVDC(高压直流供电) 升级。相较于传统的48V低压供电方案,800V HVDC架构可大幅降低传输损耗、提升供电效率,而SiC与GaN(氮化镓)功率器件是实现高压直流供电的核心元件,其高频、高效的特性完美适配AI算力中心的高功率密度需求。随着全球AI算力建设热潮兴起,SiC/GaN功率器件市场规模将迎来爆发式增长,公司相关产品已进入头部算力设备厂商供应链,有望成为新的业绩增长点。

四、核心竞争力:产业链+产品+渠道三重优势,构筑坚实护城河

(一)产业链协同优势:IDM模式降本增效,自主可控保障供应链安全

功率半导体的生产环节对设计与制造的协同性要求极高,IDM模式可实现研发与生产的深度联动,加速技术迭代与新品量产。公司通过自建硅片厂、晶圆厂、封装厂,构建了精益化运营体系,实现从原材料到终端产品的全流程管控,有效降低了外协代工成本,同时保障了供应链的稳定性与安全性。在行业产能紧张周期,公司自主产能可优先满足核心客户需求,提升客户粘性。

(二)产品梯次布局优势:基础业务稳盘,成长业务突破

公司构建的H1-H2-H3三层产品矩阵,实现了从成熟产品到前沿技术的全覆盖,兼顾业绩稳定性与成长性。H1基础业务凭借规模优势与成本控制能力,保持稳定盈利;H2核心业务受益于国产替代,出货量与市占率持续提升;H3成长业务聚焦SiC、IGBT等高端产品,技术突破后将打开长期成长空间。产品结构的梯次化布局,使公司在行业周期波动中具备更强的抗风险能力。

(三)渠道覆盖优势:直销网点下沉,快速响应客户需求

在销售环节,公司持续推进直销渠道建设,在全国范围内布局多个销售网点,直接对接下游终端客户,大幅缩短了产品交付周期与服务响应时间。相较于经销商模式,直销模式可更精准地把握客户需求变化,及时调整产品策略,同时提升了产品毛利率。公司凭借高效的客户服务能力,积累了一批优质的长期合作客户,客户结构持续优化。

五、盈利预测与投资建议

(一)盈利预测逻辑

公司业绩增长的核心驱动力来自三大方面:一是H1基础业务受益于全球市场份额提升,保持稳健增长;二是H2核心业务在MOSFET等中高端产品国产替代的驱动下,出货量与毛利率双升;三是H3成长业务中SiC、IGBT产品加速量产,成为业绩增长的新引擎。叠加新能源汽车与AI算力两大下游赛道的需求爆发,公司未来三年业绩有望保持高速增长。

我们预计公司2025-2027年EPS分别为2.50、2.94、3.52元/股,参考功率半导体IDM可比公司估值水平,考虑到公司在国产替代中的领先地位与成长业务的广阔空间,给予公司2026年30倍PE估值,对应合理价值88.21元/股。

(二)投资评级

扬杰科技作为国内功率半导体IDM龙头,全产业链布局构筑深厚护城河,三层产品矩阵兼顾业绩稳健性与成长性,充分受益于新能源汽车与AI算力驱动的行业需求爆发。综合考虑公司竞争优势与成长潜力,给予“买入”评级。

六、风险提示

1. 市场竞争风险:全球功率半导体巨头加速布局中国市场,本土厂商面临技术与价格双重竞争压力,若公司不能持续提升产品竞争力,可能导致市场份额下滑。
2. 技术演进不及预期风险:SiC、GaN等第三代半导体技术研发难度大、投入高,若公司技术研发进度落后于行业趋势,可能错失高端市场发展机遇。
3. 国际政治经济环境风险:国际贸易摩擦加剧可能影响公司海外市场拓展与核心设备、原材料进口,进而对生产经营造成不利影响。
4. 下游需求不及预期风险:新能源汽车销量增速放缓或AI算力建设进度滞后,将直接影响公司产品订单与业绩增长。

 
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