近日，东芯半导体股份有限公司发布2026年半年度报告，2026年上半年公司实现
营业收入14.97亿元，同比增长336.44%；
归属于上市公司股东的净利润6.59亿元，同比增加7.70亿元，实现扭亏为盈；
归属于上市公司股东的扣非净利润6.36亿元，同比增加7.63亿元，实现扭亏为盈。
公司营收和利润双双大增主要系受益于
AI算力需求持续爆发，海外存储原厂加速退出利基型市场，供给端收缩态势明显；
与此同时，网络通信、工业控制、汽车电子等下游应用需求稳步复苏，利基型存储芯片供需缺口持续扩大，公司所面对的存储芯片市场的供需关系呈现结构性紧缺态势，产品市场价格大幅攀升。
公司持续深耕网络通信、监控安防、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等关键应用领域，加速客户拓展与份额提升，有效拉动了业绩增长。
公司简介
东芯半导体股份有限公司成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司。公司聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。产品广泛应用于网络通信、安防监控、消费电子、工业控制与智能化、汽车电子等领域。
主要产品及服务
1）NAND Flash
公司 NAND Flash 产品种类丰富，兼具低功耗与高可靠性优势，已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，广泛应用于通讯设备（如5G 模块、光猫、企业级网关）、安防设备（智能监控、数字录像机）、便携式智能终端（AI 录音卡）、智能穿戴（手表、手环、AI 眼镜）、汽车电子及机器人等终端产品。
公司聚焦平面型 SLC NAND Flash 的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，制程工艺持续演进至 1xnm 先进水平。产品存储容量覆盖 512Mb 至 16Gb，支持SPI 或PPI 类型接口，并可选配 3.3V/1.8V 电压规格，能够灵活满足不同应用领域的差异化需求。
2）NOR Flash
公司专注大容量、低功耗 SPI NOR Flash 的设计与研发，采用成熟的ETOX工艺架构。产品存储容量覆盖 64Mb 至 2Gb，支持多种数据传输模式，广泛应用于网络通信、消费电子及汽车电子等领域。目前，公司NOR Flash 产品可靠性已全面覆盖工业级与车规级标准。
3）DRAM DRAM
公司布局了利基型 DRAM 产品，涵盖标准型与低功耗型两大系列。其中，公司研发的DDR3(L)系列支持双倍数据速率传输，具备高带宽、低延时特性，广泛应用于通讯设备、移动终端等领域；针对移动互联网及物联网的低功耗需求，
公司自主研发的LPDDR1/2/4X 系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最高时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等领域。
4）MCP MCP
公司的 NAND MCP 产品集成了自主研发的低功耗 SLC NAND Flash 与低功耗DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等主流平台通过认证，广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等终端产品。公司 MCP 产品规格丰富，DRAM 类型涵盖 LPDDR1/2/4X，为用户提供更加灵活和丰富的选择。
5）技术服务
公司拥有完全自主知识产权，构建了涵盖芯片设计、版图设计、测试验证、应用分析、工艺整合、质量管控及技术支持的全方位专业团队。依托深厚的技术积累，公司能根据客户特定需求，提供定制化的存储芯片设计服务及整体解决方案，有效协助客户缩短开发周期、降低研发成本、加速产品导入，显著提升开发效率和成功率。
