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财报手记|拓荆科技2026年半年报笔记

   日期:2026-08-21 21:45:49     来源:网络整理    作者:本站编辑    评论:0    
财报手记|拓荆科技2026年半年报笔记
开卷有益,仅为个人财报研读笔记,不构成个股推荐。市场有风险,投资需谨慎。
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名词解释: 

薄膜沉积:半导体制造中任何在硅片衬底上沉积一层膜的工艺。这层膜可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。沉积膜可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅以及金属。薄膜沉积设备在半导体的前段工序FEOL(制作晶体管等部件)和后段布线工序BEOL(将在FEOL制造的各部件与金属材料连接布线以形成电路)均有多处应用。

HBM、高带宽存储器(HBM:High Bandwidth Memory,是一种基于3D 堆叠技术的高性能DRAM 解决方案。

一、公司主要会计数据和财务指标
公司实现营业收入29.13亿元,同比增长约49.06%。
扣除非经常性损益的净利润3.67亿元,同比增长861.92%。
非经常性损益项目和金额9.8亿。
二、公司所属行业情况

半导体设备行业

根据 SEMI 统计,2025 年中国大陆半导体设备销售额约 493 亿美元,占当年全球半导体制造设备销售额约 37%,自 2020 年起连续稳居全球半导体设备最大市场,预计 2028 年前继续维持领先地位。

公司所聚焦的薄膜沉积设备行业

在半导体设备产业中,薄膜沉积设备是前道芯片制造的三大核心装备之一,是实现集成电路先进逻辑及 3D NAND3D DRAM、高带宽存储器(HBM)等先进存储芯片技术突破的核心支撑。

三、资产及负债状况

 
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