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• 报告延伸：2026中国存储芯片行业研究报告（文末附全文PDF）
• 出  品 方：高盛

一、本土DRAM产能扩张提速，2030年产能较当前翻倍有余

报告传达出清晰标识, 合肥、上海、北京这三大基地的扩产规划会在二零二八年之前全部达成产量目标, 二零二八年之后还有超大规模的全新工厂紧接着献出增加的部分。更为要害的是, 新的生产能力正在大幅度地引入国产半导体设备, 除去光刻等极个别的高端机台之外, 本土的设备商正在这场扩产的盛宴当中获取到具有实际意义的订单。生产能力成倍增长外加国产化比率提高, 中国的SPE正在迎接业绩与估值的双重推动。

二、产品端持续追赶，HBM与3D DRAM成下一阶段突破口

本土DRAM 领域的龙头, 其制程的升级正在促使产品不断迭代, 虽在速率方面依旧比不上国际那些大厂, 然而两者之间的差距正在持续变小。2026 年, HBM3 以及 HBM3E 的量产目标清晰明确。而 EUV 光刻机受到限制, 这迫使产业去寻找别的途径——3D DRAM 有希望在 2027 年实现实质性的突破。这属于“设备受限从而倒逼技术创新作用下产出”中非常吻合规范要求的情形, 要是能够顺利避开对 EUV 的依赖, 那么中国的存储产业将会开创出一条具有差异化特点的技术路径。

三、价格走势趋于温和，AI需求支撑长期景气

本土动态随机存取存储器价格现今已跟国际水准大体上持平, 虽说良品率现今依旧存在着差距可是定价权已然被确立了起来。智能手机制造厂商对于价格上涨存在着一定的抵制, 然而人工智能驱动产生的强劲需求仍然是具备决定性的力量, 高盛预测在二零二七年价格将会再一次上扬。国际大厂于短期内不会使高速带宽内存产能回转到传统动态随机存取存储器, 长期协议订单所占比例的提高亦有着助于价格体系保持稳定。供给按照顺序进行扩张再加上需求具有刚性, 存储周期波动幅度有希望能够缩小。