——安栗飞扬写于2026年7月5日下午时光（湖北宜昌）
一、事件概述：存储芯片再掀涨价浪潮
2026年7月3日，据韩媒ZDNet Korea报道，三星电子正在与客户展开第三季度通用DRAM价格谈判，目标将平均售价（ASP）环比上季度提高20%。这是三星连续第三个季度推动DRAM价格大幅上调——第一季度涨幅约90%，第二季度预计达50%至60%。三星计划同时将LPDDR价格提高20%以上。
受此消息影响，当日韩国两大存储巨头股价大幅走高，三星电子涨超8%，SK海力士涨超12%。A股存储板块随之联动，资金批量涌入。
与此同时，多家国际机构纷纷上调存储价格预期。瑞银最新行业调研显示，DDR合约价格预期被上调：2026年第三季度环比上涨32%（此前预期17%），第四季度上涨18%（此前12%）。瑞银分析认为，DRAM行业供需将至少持续紧张至2028年上半年，2027年芯片需求增长约36.2%，明显高于供给增长的19.3%，供需失衡程度达到过去30年罕见水平。
二、行业背景：AI驱动下的存储超级周期
2.1 AI算力需求是核心驱动力
本轮存储涨价行情的根本驱动力来自AI基础设施建设的爆发式需求。一台顶配AI训练服务器，仅高带宽内存（HBM）的搭载量就超过100GB，是普通服务器DRAM用量的数十倍。AI服务器出货量2023-2025年接近翻倍，TrendForce预计2026年达275万台。
在此背景下，DRAM与NAND Flash现货价格均进入快速上行通道。DDR4（8Gb）从2024年底到2026年6月涨幅超17倍，DDR5（16Gb）从2025年11月至2026年6月涨幅约4.9倍。
2.2 供应端持续紧张
存储厂商持续将产能转向利润率更高的服务器产品和HBM，导致可分配给消费类存储的产能减少。美光管理层表示，受AI训练和推理需求持续爆发推动，整个行业的HBM供应紧张局面将持续至2027年以后。美银预计，全球DRAM和NAND市场规模将在2026年达到8768亿美元，2027年突破1.2万亿美元。
2.3 消费端承受力已达极限
然而，涨价并非没有边界。TrendForce指出，在合约价攀至新高的情况下，PC、智能手机等消费端客户承受力达到极限，促使三季度整体价格涨幅缩减。第三季度传统DRAM合约价格预计环比上涨13%至18%，NAND闪存合约价格预计上涨10%至15%。这虽是可观涨幅，但相比第二季度约60%的涨幅已明显放缓。
存储市场正越来越明显地分裂为企业客户和消费客户两条线——服务器端需求强劲延续至2027年，消费端则因价格上涨开始抑制需求。
三、产业链受益逻辑与重点公司分析
3.1 存储芯片设计（Fabless）——利基市场的弹性机会
兆易创新（603986）：产品覆盖DRAM、NOR Flash、SLC NAND等。2026年Q1营收41.88亿元（同比+119%），归母净利润14.61亿元（同比+522%）。其利基型DRAM产品价格自2025年大幅上涨，DDR4 8Gb3200市场报价已由2025年7月的3.20美元上涨至2026年1月的15.00美元，涨幅高达369%。公司预计2026年利基DRAM价格仍有上行空间。公司还与长鑫存储存在紧密的供应链关联。
北京君正（300223）：聚焦车规级、工业级利基型DRAM/SRAM。以2025年收入计算，公司在全球利基型DRAM市场排名第七、中国内地第二，在全球车规级DRAM市场位列第五。公司已明确表示三季度DRAM价格会继续上调，四季度也存在调价可能。2026年Q1营收15.60亿元（同比+47%），净利3.19亿元（同比+331%）。公司采用Fabless模式，需关注代工成本传导对毛利率的影响。
东芯股份（688110）：专注于SLC NAND Flash等利基型存储，1xnm闪存产品已量产，预计下半年利基存储价格仍将上行。
3.2 存储模组——业绩弹性最大的环节
江波龙（301308）：国内存储模组龙头，2026年上半年预计归母净利润92亿元至110亿元，同比增长622倍至743倍。一季度净利润38.62亿元，二季度单季净利润预计53.38亿元至71.38亿元，环比增长38%至84%，盈利仍在加速。公司与多家全球主要存储晶圆原厂续签了LTA或MOU，锁定了上游晶圆供应。2026年一季度末存货达179.6亿元。
德明利（001309）、佰维存储（688525）、香农芯创（300475）均属A股存储龙头。佰维存储2026年一季度营收68.14亿元，同比增长341.53%，归母净利润28.99亿元。德明利2026年一季度末合同负债达13.34亿元，暗示下游客户积极通过预付款锁定供应。
3.3 内存接口与配套芯片——确定性最强的“卖水人”
澜起科技（688008）：全球内存接口芯片龙头，2024年全球市占率约36.8%位列第一。客户涵盖三星电子、SK海力士、美光等全球头部DRAM厂商。2026年Q1营收14.61亿元，归母净利润8.47亿元，同比增长61.3%，毛利率提升至69.8%。AI服务器加速渗透叠加存储周期上行，直接拉动内存接口芯片需求。
3.4 产业链上游设备——扩产周期的最先受益者
北方华创（002371）：半导体设备龙头，产品覆盖刻蚀、薄膜沉积等存储芯片制造关键环节。东吴证券预计2026年长江存储与长鑫存储合计新增10–12万片/月产能，投资总额有望达155–180亿美元。
中微公司（688012）：刻蚀设备龙头，在先进封装领域（包含HBM工艺）全面布局，覆盖刻蚀、CVD、PVD、晶圆量检测设备等，已发布CCP刻蚀及TSV深硅通孔设备。
四、投资策略与风险提示
4.1 机构观点汇总
摩根士丹利：存储周期依然有利，但建议投资者在产业链内部做精细化的相对排序——原厂优于模组厂，DRAM优于NAND。
瑞银：本轮存储芯片上行周期有望延续至2027年，行业收入预计2026年达9920亿美元，2027年升至1.76万亿美元。
中泰证券：存储与半导体设备是当前确定性最强的方向。
4.2 策略建议
第一梯队（直接受益，弹性最大）：存储模组厂商（江波龙、德明利、佰维存储）。模组厂商直接面向终端市场，在涨价周期中利润弹性最大，江波龙半年净利暴增超600倍即为明证。
第二梯队（持续受益，确定性高）：存储芯片设计（兆易创新、北京君正）。利基型存储供需紧张格局持续，涨价具备持续性。
第三梯队（间接受益，长期逻辑）：上游设备（北方华创、中微公司）和接口芯片（澜起科技）。受益于存储原厂扩产和AI服务器放量，长期逻辑清晰。
4.3 核心风险
①消费端需求萎缩风险：TrendForce明确指出消费类客户对高价的承受力已达极限。PC经销商表示零部件和整机价格已处于极端高位，客流开始往便宜的价位段走。若消费端需求大幅下滑，可能反过来压制涨价空间。
②估值泡沫风险：兆易创新已发布风险提示公告，表示产品价格已处于历史高位，继续大幅上涨的趋势不可持续。部分存储个股股价已创历史新高，估值处于高位。
③扩产与供需逆转风险：虽然瑞银认为供需紧张将持续至2028年，但若存储原厂大规模扩产落地超预期，供需格局可能提前逆转。
④长约锁价削弱弹性：越来越多模组厂商通过LTA锁定价格，虽然保障了供应，但也可能在一定程度上限制涨价带来的超额利润。
五、结语
当前存储芯片行业正处于AI驱动的超级上行周期，三星连续三个季度大幅提价、瑞银上调价格预期至2027年，均验证了行业的高景气度。从产业链传导来看，模组厂商短期弹性最大，芯片设计持续受益，上游设备与接口芯片具备长期逻辑。
但我们投资者也需清醒认识到，消费端承受力已达极限，价格涨幅正在收窄，部分个股估值已处历史高位。在享受涨价红利的同时，需密切关注消费需求变化、原厂扩产节奏以及估值泡沫风险，做好仓位管理和风险控制。
免责声明：以上内容基于公开信息和机构研报的客观梳理，仅供参考，不构成任何投资建议。此文仅是安栗飞扬自己个人根据公开信息归纳总结，不构成任何投资决策。股市有风险，投资需谨慎，请独立判断、自主决策。
