2026年6月26日，皮革制造企业兴业科技（002674）公告拟以5500万元现金收购青岛立昂晶电半导体科技有限公司，跨界押注磷化铟（InP）半导体材料，磷化铟在光通信和射频器件中的战略价值正在被资本市场重新认知。

26年7月2日，全球最大磷化铟（InP）基板供应商AXT Inc. 宣布，其子公司北京通美（AXT-Tongmei, Inc.）与英伟达 CPO 供应伙伴Coherent 签订为期三年的硅晶圆供应协议。AXT同意在2026年至2028年期间，扩大中国北京工厂的产能。

英伟达预测‌2026年至2030年‌间，磷化铟（InP）晶圆市场需求将增长约‌20倍‌。这一激增主要源于AI数据中心从“电互联”向“光互连”的结构性变革。‌‌随着AI数据中心对高速互联需求的指数级增长，以及5G/6G通信对高频器件的持续迭代，磷化铟正从“小众材料”迈向“战略资源”。

一、磷化铟材料的特性及地位

磷化铟（InP）由铟（In）和磷（P）化合而成的III-V族化合物半导体，具有闪锌矿结构，室温禁带宽度1.34eV。

主要物理特性：直接带隙结构，具备高效光电转换效率；电子迁移率约为硅的10倍，高频特性优良；InP/InGaAsP晶格匹配体系可覆盖1.1-1.65μm光通信波段，对应光纤最低损耗窗口（1.55μm）和最低色散窗口（1.3μm）。

数据来源：Semiconductor Today

InP HBT（异质结双极型晶体管）的一个核心优势是能够设计具有卓越功率附加效率（PAE）的高频功率放大器。磷化铟在1.55μm光纤最低损耗窗口和1.3μm最低色散窗口具有不可替代性。硅基材料无法有效发光；SiC和GaN主要适用于可见光、紫外及短距离光通信场景，在1.3μm以上红外波段缺乏适用性；砷化镓在长波长波段性能下降明显。InP HBT可在高电流和高功率密度下运行，实现世界领先的PAE水平。在100GHz以上功率放大器的性能对比中，几乎全部由基于InP HBT的设计主导。

InP基激光器（DFB、EML）、探测器（PIN、APD）和调制器是目前光模块中光电信号转换的核心元器件。尽管面临成本高、制造难等挑战，InP射频器件在特定频段和应用场景中具有不可替代的性能优势。

尽管商业普及度有限，InP射频器件已在以下领域得到应用：

• 测试与测量仪器：高频信号发生器、网络分析仪等高端测试设备

• 毫米波通信：W波段（75-110GHz）点对点通信系统

• 航空航天与国防：先进雷达和电子战系统

• 射电天文：超高频信号接收与处理

二、产业链结构及企业全览

2.1产业链

磷化铟产业链可分为衬底、外延与芯片、终端应用三个环节。

来源：东方财富

上游为InP单晶衬底制造，全球市场高度集中，住友电工、AXT、JX金属三家合计占据超80%份额。国内锡业股份、株治集团、锌业股份、金圆股份

中游为外延生长与光芯片制造，主要企业有IQE、联亚光电、Lumentum、博通、云南锗业、博杰股份、先导微电子等。

下游为光通信、微波射频等终端应用。

2.2产业链重点企业

（1）国际重点企业

（一）衬底环节

住友电工（日本）：全球最大的InP衬底供应商，市占率约38%-42%，占总采购量约70%，6英寸半绝缘型衬底技术领先。住友电工曾在2025年11月表示计划将InP基板产能扩增至2023年度的2.4倍，后因需求超预期进一步上调至3.1倍，投资180亿日元（约1.11亿美元）。受上游原料供应收紧影响，其衬底产能从年产18万片降至不足10万片，交付周期从3-6个月拉长至18个月。

AXT（美国）：市占率约28%-36%，VGF技术成熟，成本控制能力突出。公司当前InP衬底订单积压已超6000万美元，产能较2025年底提升25%，计划2026年底实现产能翻倍、2027年再次翻倍。2026年6月，AXT与Coherent签署为期三年的6英寸InP晶圆供应协议，Coherent预付超2200万美元以确保产能。其中国子公司北京通美主营磷化铟、砷化镓、锗衬底及PBN材料。

JX金属（日本）：市占率约8%-13%，在高品质半绝缘衬底领域优势显著。公司2026年6月宣布，计划到2030财年前在日本投资1200亿日元（约合7.5亿美元），将InP衬底产能较2025年度提升7至10倍，这是该公司半导体材料业务史上最大规模的投资。

（二）外延环节

IQE（英国）：全球领先的磷化铟外延片供应商。2026年6月与高塔半导体（Tower Semiconductor）签署多年期InP外延片供应协议，产品用于AI数据中心光连接解决方案，涵盖200Gb/通道可插拔收发器量产技术及下一代400Gb/通道调制器原型开发。

联亚光电（台湾，3081）：专业生产以磷化铟为基板的III-V族化合物磊芯片。2026年与住友电工签署为期5年的InP基板长期供货合约（2026年至2030年），确保关键原料供应稳定。产品应用于100G至1.6T光收发模块，2026年6月营收达新台币4.21亿元，创单月新高。

（三）光芯片与器件环节

Lumentum（美国）：磷化铟基光器件核心厂商，产品包括EML激光器、CW激光器、超高功率激光器等。公司已推进约40%的InP扩产计划，预计到2026年底EML产能较2025年增长超50%，并预测到2030年AI数据中心对磷化铟需求的年复合增长率达85%。2026年3月宣布在美国新建24万平方英尺工厂，利用6英寸InP晶圆生产先进光器件。

Coherent（美国）：磷化铟基光器件核心厂商。2025年8月投产全球首个实现量产的6英寸InP晶圆厂。2026年3月获英伟达20亿美元战略投资并签署长期采购协议。公司规划2026年内实现自有InP晶圆产能翻倍，2027年再度翻倍。2026年6月，Coherent与AXT签署三年期6英寸InP晶圆供应协议。

博通（AVGO，美国）：拥有全球首条6英寸磷化铟量产产线，获美国CHIPS法案5000万美元补贴及英伟达20亿美元股权投资与长期采购订单，规划扩产规模约12倍。

（2）国内重点企业

（一）铟资源/原材料环节

株洲科能（申报科创板）：高纯铟纯度可达8N，国内市场份额第一，是磷化铟巨头Wafer在中国境内的唯一高纯铟供应商。公司产品主要应用于磷化铟、砷化镓等化合物半导体材料。科创板IPO申请于2026年5月11日获受理，拟募资用于新增高纯铟产能及磷化铟边角料回收利用。

锡业股份（000960）：公司生产的铟锭是磷化铟的原材料之一；参股的云南锡铟实验室开展了高纯磷、高纯铟研究开发项目，可为下游产业提供原材料支撑。

株冶集团（600961）：铟产能A股第一（约60吨/年），具备锌冶炼短流程回收提取铟的集成技术。但目前暂未生产7N等高纯铟产品，现阶段暂无扩大铟产能的计划。

锌业股份（000751）：铟是公司综合回收产品，每年产量约5-8吨。

金圆股份（000546）：布局高纯铟、铟锡化合物产业化落地；已成立新材料研究中心，持续推进电子信息行业高纯铟的产业化进程。但磷化铟衬底项目因技术迭代原因已停止。

（二）衬底环节

云南锗业（002428）：国内InP衬底量产龙头，控股鑫耀半导体，已批量化向国内外多家知名厂商供货，是国内唯一实现磷化铟衬底量产的企业。2026年4月获批扩建年产30万片（折合4英寸）产线，最终达45万片/年。

有研新材（600206）：根据公司2026年4月至6月的多次公开回复，公司“暂无磷化铟相关产品和技术”。市场传闻其承担国家02专项6英寸InP单晶项目并完成6英寸送样验证，与公司官方信息披露存在不一致，需以公司公告为准。

博杰股份（002975）：参股珠海鼎泰芯源（10.28%），参与磷化铟衬底国产化；子公司博捷芯的划片机具备磷化铟衬底切割能力。

先导微电子（未上市）：国内首家实现6英寸磷化铟衬底量产的企业，拥有2-6英寸全尺寸产线，磷化铟年产能24万片。

北京通美（未上市）：AXT中国子公司，主营磷化铟、砷化镓、锗衬底及PBN材料，掌握VGF核心技术，实现化合物半导体衬底商业化规模生产。

青岛立昂晶电（被兴业科技收购中）：采用VGF和VB工艺，实现大尺寸、低位错、高品质磷化铟晶体的稳定生产。2026年6月，兴业科技（002674）公告拟以5500万元现金收购其磷化铟衬底业务。

（三）外延与光芯片环节

三安光电（600703）：覆盖InP外延、芯片制造及封测全流程，暂未布局衬底。已实现6英寸InP光芯片规模化量产，400G EML国内市占率约35%，产品进入英伟达供应链。

海特高新（002023）：通过参股子公司华芯科技（持股31.41%，原海威华芯）布局InP外延。华芯科技是国内稀缺的6英寸InP外延片及晶圆代工平台，拥有6英寸专业产线，月产能达1.5万片。产品已切入1.6T光模块供应链，获得华为等头部客户认证。

源杰科技（300498）：国产InP基高速光芯片IDM龙头，25G/100G EML已实现大规模量产。国内CW激光器龙头，已通过英伟达认证。

长光华芯（300048）：2026年3月向关联方星沅光电增资，加快开发高端磷化铟激光器芯片、器件及相关模块，用于AI数据中心光通信、调频连续波激光雷达、光纤传感等领域。

三、市场分析

3.1市场供需与成本结构

磷化铟衬底当前处于严重的供需失衡状态。2025年全球需求（折合2英寸）约200万-210万片，2026年预计增长至260万-300万片，而全球有效合规产能仅约75万片，供需缺口超过70%。衬底扩产周期长达18-24个月，短期内供给难以有效释放。价格随之大幅上涨：2英寸衬底从2025年初的约800美元/片上涨至2026年4月的2300-2500美元/片；6英寸衬底从约1400美元上涨至约5000美元。

2025年2月，中国将铟列入两用物项出口管制清单，海外铟价从每公斤2800元上涨至4950元，进一步推高了衬底及下游芯片的成本。铟资源中国掌控力强，但高纯铟的提纯环节存在瓶颈；磷资源方面，我国普通磷矿储量有限但产量大，而磷化铟所需的高纯红磷则高度依赖进口——这是产业链上游真正的薄弱环节。

3.2下游市场驱动力

1. AI数据中心：核心增长引擎

磷化铟目前80%以上的需求来自AI数据中心。AI大模型持续迭代、万卡级超算集群加速落地，直接拉动高速光模块需求指数级扩容。

光模块从800G向1.6T、3.2T迭代的过程中，单通道速度加快、并行光通道数量持续增加，单台模块消耗的磷化铟芯片呈非线性增长。与此同时，硅光、CPO等新兴架构无法自行发光，必须额外搭配磷化铟激光器作为光源，进一步放大了需求。

据Light Counting数据，2025年全球高速光芯片市场规模为40亿美元，其中磷化铟基芯片占比58%，对应23.2亿美元；预计2031年全球高速光芯片市场将增长至150亿美元，磷化铟光芯片市场规模达69亿美元，2025至2031年复合年均增速约19.92%。Lumentum预测，到2030年AI数据中心对磷化铟需求的年复合增长率将达到85%。

2. 射频器件与激光雷达等多元需求

在微波射频领域，InP HBT和HEMT器件在毫米波频段性能优势突出，被列入5G/6G通信标准；在车载激光雷达领域，磷化铟基1550nm波段光纤激光器成为优选光源方案，机构预测2030年全球激光雷达出货量将突破2000万台。

四、行业发展瓶颈

4.1 原材料供应

（一）高纯磷依赖进口

高纯红磷（6N级）是合成InP多晶的核心原料之一。目前国内高纯磷的进口依赖度约95%，主要供应商为日本RASA和Yamanaka。2025年上述两家日本供应商销量增长50%-60%。上游两大核心原料中，铟主要依赖国内供应，高纯磷则高度依赖日本进口，供应链存在结构性不均衡。

（二）铟的长期供应风险

铟完全作为加工其他金属矿石（主要是含硫锌矿）的副产品生产，不单独成矿。中国是全球最大的铟生产国，其次是韩国、日本和加拿大。由于产量有限且分布集中，铟已被美国、加拿大、澳大利亚和欧盟列为关键矿产之一。根据欧洲化学学会数据，按照目前的使用速度，铟供应将在50年内耗尽。解决铟的长期供应问题，需要发现新的储量、改进回收技术或开发新的提纯方法。

4.2 衬底成本与尺寸瓶颈

（一）大尺寸衬底良率偏低

当前商业化应用的主流产品为3英寸和4英寸衬底，6英寸衬底尚未实现规模化应用。早在2002年，6英寸InP晶圆就已发布，但时至今日仍难以稳定量产。主要制约因素包括：

• 良率偏低：行业整体良率不足10%

• 成本偏高：单位面积成本显著高于4英寸产品

• 下游配套不足：外延和芯片产线以4英寸为主，6英寸配套产能有限

技术层面，主要难点在于大尺寸晶体生长过程中的温场控制。磷化铟单晶生长周期约10天，温度场均匀性控制难度随尺寸增大显著上升，易产生孪晶、夹晶等缺陷。国内衬底厂商整体良率约30%，国际龙头企业（住友、AXT）约40%-45%。

（二）InP衬底的成本劣势

从单位面积成本看，InP衬底在外延层生长时的价格可能是GaAs衬底的10到20倍。高质量大直径晶圆的供应有限是推高成本的核心因素之一。相比之下，6英寸GaAs衬底已是标配，部分8英寸硅片已实现商业化运输。高成本直接限制了InP在射频领域的普及度。

4.3 MMIC制造难度

第三个推高InP射频器件成本的因素是单片微波集成电路（MMIC）的制造难度。与GaAs衬底相比，InP衬底非常脆，与硅衬底相比更是如此。在晶圆加工过程中，处理和管理层应力时需极为谨慎，以避免晶圆断裂。

由于制造难度高，全球InP射频器件产线极为稀少，尤其在商业层面，全球仅有六家InP射频器件工厂。产线稀缺进一步推高了研发与制造成本，限制了规模效应的发挥。

4.4 设备依赖

MOCVD外延设备主要供应商为德国Aixtron和美国Veeco，交付周期约7个月以上，到货后调试周期约3-4个月。高端EBL设备交期普遍超过12个月，由日本JEOL、德国Raith等少数厂商主导。缺陷检测设备（如KLA激光扫描系统）同样依赖进口。设备交付周期长、供应商集中，是制约产业链扩产速度的重要因素之一。

五、行业发展趋势

趋势一：4英寸仍为中短期主流规格

受6英寸衬底良率、成本及下游配套产能等因素制约，未来2-3年内4英寸InP衬底仍将是主要产品规格。衬底尺寸升级需产业链上下游协同推进，难以在短期内完成切换。

趋势二：InP与硅光技术互补共存

硅光技术在无源光器件和短距离互联场景具有成本优势；InP在激光器、探测器和长距离传输场景中仍不可替代。InP-on-Si异质集成是重要的技术发展方向。

趋势三：国产化进程持续推进

国产4英寸及以下InP衬底已基本实现进口替代。高纯磷原料、MOCVD设备等环节仍依赖进口，国产替代尚需时间。在衬底端，云南锗业2026年计划产能18万片（折合4英寸），远期规划45万片；在芯片端，三安光电已实现6英寸InP光芯片量产，产品进入英伟达供应链。

趋势四：铟资源回收与替代技术研发

面对铟供应长期趋紧的预期，产业界和学术界正加大InP衬底回收技术研发力度，并探索降低铟用量的新型器件结构。

六、行业风险因素

原材料供应风险：高纯磷95%依赖日本进口；铟作为伴生金属产量有限，被多国列为关键矿产，长期供应存在不确定性。

技术迭代风险：硅光技术集成度提升可能部分替代InP在短距离互联中的应用。

价格波动风险：当前InP衬底价格处于历史高位，供需格局变化可能导致价格回落。

扩产不及预期风险：InP衬底扩产周期长、技术门槛高，产能释放可能慢于预期。

制造难度风险：InP晶圆脆性高、MMIC制造产线稀缺，制约规模效应发挥。

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