1、项目概况
本项目预计建设期为 3 年，项目总投资 50,418.97 万元。公司将购置研发场地、研发测试软硬件设备，招募相关人员，开展研发中心建设。研发中心建设项目系公司依托自身技术储备，针对新一代射频与功率半导体器件和芯片研发平台、汽车电子芯片、新一代高效电源方案、高密度硅电容和新一代高速高精度时钟芯片五个方向开展研发工作，项目建设完成后，有利于强化公司前沿核心技术的技术储备，提升公司在高端产品领域的竞争力，打破技术壁垒，加速国产替代进程。
研发中心建设项目系公司依托自身技术储备，有助于公司进一步加强技术研发能力、完善技术研发体系、提高相关技术的储备量，从而丰富公司产品组合，持续强化公司的创新研发能力和核心竞争力，构筑更高竞争壁垒，为公司未来长期稳定发展、实现战略目标奠定坚实基础。
本项目的实施主体为苏州华太电子技术股份有限公司母公司。
2、项目投资概算
本项目总投资 50,418.97 万元，工程建设费用 10,736.25 万元，研发费用 38,694.11万元，基本预备费 988.61万元。
3、投资项目的选址及用地情况
本项目将在江苏省苏州市购置办公场地进行，公司已与苏州元科贰号科技产业发展有限公司签订《意向协议书》。
4、投资项目的环保影响及措施
本项目主要为办公及产品研发，主要的污染物为生活污水、生活垃圾等，采取有效的措施后，对环境不造成污染。
5、项目实施进度安排
本项目预计建设期为三年。
6、项目实施的目的
公司成立于 2010 年，是具备半导体产业链底层核心技术自主可控能力、实现产业链协同布局的平台型半导体企业。公司聚焦射频业务、功率业务相关产品的研发、生产与销售，产品可广泛应用于通信基站、半导体装备、卫星通信、服务器电源、光伏发电与储能、新能源汽车、工业控制、智能终端、AI 算力板卡等应用场景，为筑牢通信网络基础设施、支撑数字经济算力底座、构建新型能源体系提供核心芯片，精准契合国家科技自主可控、“双碳”目标及新基建发展等重大战略导向。
公司历经十六年科研深耕、技术攻坚与产业沉淀，突破了传统半导体器件设计的底层桎梏，致力于半导体器件物理重大发现和半导体工艺技术突破，实现了半导体器件的原始创新设计，构建起兼具原创性与差异化竞争优势的技术体系和自主知识产权体系，核心产品性能达到国际领先水平，形成了难以复制和逾越的技术壁垒。
公司的长期发展愿景为深耕 5G/6G 通信、半导体装备、卫星通信及 AI 数据中心等高精尖领域，全面满足大功率射频、高密度电源和固态变压器超高压电源转换的迫切需求，打造自主可控、高效可靠、具有差异化竞争力优势的半导体产品设计与制造交付平台，成为全球领先的大功率射频与功率半导体器件、芯片与解决方案供应商。
相较于国际头部半导体企业，公司目前整体上仍处于成长阶段，核心技术创新的优势与生产制造的规模效应尚未充分释放，高端产品产业化落地速度、全球市场渗透广度仍有巨大的提升空间，核心竞争力与商业变现能力的持续强化面临资金瓶颈制约。
7、公司持续经营能力及未来发展规划
近年来，公司准确把握市场发展机遇，深入聚焦射频业务和功率业务两大板块，产品广泛应用于通信基站、半导体装备、卫星通信、服务器电源、光伏发电与储能、新能源汽车、工业控制、智能终端、AI 算力板卡等场景。报告期内，公司综合毛利率不断提高，盈利能力不断增强，持续经营能力不断提升。
公司业务聚焦于万物互联与新能源两大核心应用领域，以“赋能智慧科技，共创低碳世界”为愿景，立足半导体底层技术创新，致力于构建“设计、制造、封测、材料”全产业链协同的平台型发展模式。
未来，公司将通过整合高端核心器件设计、核心算法及 IP、半导体器件建模、自研/定制工艺平台、高端散热材料、大功率封装测试以及可靠性测试平台等底层技术能力，在射频业务领域深化垂直整合布局，持续做深、做精、做强，巩固技术领先地位；在功率业务领域以创新功率器件为核心，打造功率整体解决方案，打造自主可控、高效可靠的半导体产品平台。
面向未来，公司将始终以国家产业战略为指引、以市场实际需求为导向，致力于连接物理世界和数字世界，赋能更高效智能的通信和能源系统，坚持为全球客户创造可持续价值。
8、公司经营的主要业务
公司依托完善的底层技术体系，在半导体产业链中的多个应用领域取得了关键成果突破，已推出采用空腔封装的 LDMOS 及 GaN 射频功放分立器件、RF LDMOS MMIC、RugSiC 功率器件、超级结 IGBT 等多款产品，性能指标已达行业先进水平。公司的长期发展愿景为打造自主可控、高效可靠、具有差异化竞争力优势的半导体产品设计与制造交付平台，成为全球领先的大功率射频与功率半导体器件、芯片与解决方案供应商。
公司聚焦“万物互联”和“新能源”两大国家重点支持的战略方向，通过提高通信系统效率和能源转换效率，助力国内龙头客户实现关键半导体芯片和器件的供应链安全，为国际知名客户提供性能领先的产品。在现有产品基础上，基于战略客户的需求牵引和自身技术积累，公司突破国外技术垄断，率先推出最大功率可达 3000 瓦的射频电源用射频功放芯片，解决国产半导体装备射频电源用大功率射频功放芯片的卡脖子问题，实现自主可控和技术赶超；同时，公司不断开拓新产品，已设计出新型氮化镓射频功放器件、新型碳化硅 RugSiC 功率器件、高性能 MCU 芯片、高精度电池管理芯片等新产品，实现产品间的战略协同，为客户提供一站式全套芯片解决方案。
公司目前拥有的底层核心技术与业务布局情况如下图所示：
公司高度重视研发投入以提高综合竞争优势，报告期内累计研发投入达97,251.29 万元，占报告期累计营业收入的比例为 38.00%。公司已建立起一支高层次的人才队伍，包括新世纪百千万人才工程国家级人选、国务院政府特殊津贴获得者、江苏省双创人才等，截至报告期末，公司共有研发人员 293 人，占员工总数的 36.76%。
自创立以来，公司作为课题责任单位参与了国家科技重大专项 02 专项等多项国家级研发任务，解决 5G、半导体装备的关键技术卡脖子问题，设立了江苏省射频功率芯片工程技术研究中心和江苏省企业技术中心，荣获国家级专精特新“重点小巨人”企业、国家专精特新小巨人企业、国家高新技术企业、江苏省专精特新中小企业、江苏省独角兽企业、广东省专精特新中小企业、湖南省专精特新中小企业等荣誉称号，在多个产品领域形成了技术领先优势并建立了深厚的专利护城河。
9、公司主要产品或服务情况
公司业务主要分为射频业务和功率业务两大类，同时布局半导体全产业链，向上进行高端散热材料的研发、生产与销售，向下自建封测厂聚焦大功率射频功放芯片和功率模块的封装测试。公司射频业务主要包括射频功放芯片（LDMOS 射频功放分立器件、RFLDMOS MMIC、GaN 射频功放分立器件）、射频控制芯片、大功率射频封测服务、高端散热材料等。公司射频业务的产品覆盖分立器件、单片微波集成电路等器件形态，具有空腔封装、陶瓷封装、塑封等多种封装形态，射频功放器件的饱和输出功率覆盖 0.5 瓦到 3000 瓦的功率范围，可以为客户提供丰富而全面的产品组合。
公司功率业务主要包括功率分立器件（碳化硅 RugSiC 功率产品、超级结IGBT、FS IGBT）、功率模块（IGBT 模块、SiC 模块）、专用模拟芯片（电源管理芯片、理想二极管）、高性能 MCU 等，主要为光伏、储能、充电桩、服务器电源、新能源汽车、智能终端等行业提供系统级解决方案和先进的功率半导体器件。
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