Woo-Hyun Kim - 副总裁兼财务部负责人：

首先，请允许我介绍公司2026年第一季度的业绩。

尽管第一季度通常是季节性淡季，但受人工智能基础设施投资扩张驱动的强劲需求完全抵消了季节性因素，且供应环境依然紧张。受此影响，DRAM和NAND价格均显著上涨，其中服务器DRAM和企业级SSD涨幅尤为显著。

因此，第一季度营收环比增长60%，同比增长198%，达到52.6万亿韩元，季度营收首次突破50万亿韩元大关，创下季度营收新高。

第一季度营业利润达到37.6万亿韩元，较上一季度增长近一倍。营业利润率环比提升13个百分点至72%，创下季度历史新高。

第一季度，折旧及摊销总额为3.7万亿韩元，息税折旧摊销前利润（EBITDA）达41.3万亿韩元，EBITDA利润率为79%。

非经营性净利润达到14万亿韩元，这主要得益于汇率上涨带来的1.6万亿韩元汇兑净收益，以及9.9万亿韩元的投资资产估值收益等因素。

据此，税前利润为51.6万亿韩元，净利润为40.3万亿韩元，净利润率为77%。

首先看DRAM，第一季度的出货量与第四季度持平，符合我们此前的预期。

在供应能力范围内，我们集中销售需求强劲的产品，包括HBM以及128GB及以上的高密度服务器内存模块；随着传统DRAM价格上涨势头加快，平均销售价格（ASP）上涨了60%左右。

NAND方面，出货量环比下降约10%，这既反映了上一季度销售基数较高，也源于独立产品销量减少，以及产品结构向需求快速增长的高附加值产品转变所导致的更长生产周期。另一方面，得益于所有产品线价格的强劲表现，平均销售价格大幅上涨了70%左右。

截至第一季度末，包括短期投资在内的现金及现金等价物为54.3万亿韩元，较上一季度末增加19.4万亿韩元；而计息债务减少2.9万亿韩元，降至19.3万亿韩元。

因此，该公司第一季度末的净现金达到35万亿韩元，负债权益比较上一季度末改善了6个百分点，降至12%。

人工智能技术目前正迅速发展，已超越大规模模型的训练阶段，进入推理和代理型人工智能阶段，在此阶段，用户请求将在广泛的服务环境中得到实时处理。

因此，AI工作负载正从简单的问答测试转向更复杂的流程，这些流程涉及规划、执行和验证，并反复进行直至获得最佳结果。

随着AI代理在每个阶段生成的数据量持续增加，对能够高效处理和存储此类数据的各种内存产品的需求也在不断上升。

除了对HBM等高性能内存的需求外，整个系统所需的内存总量也在增加，其中包括服务器DRAM模块和企业级SSD。因此，DRAM和NAND的需求基础都在不断扩大。

此外，人工智能行业持续进行的软硬件优化工作，也成为推动内存需求增长的另一动力。虽然内存效率技术看似能降低单设备内存使用量，但实际上，其发展方向是最大限度地提高每单位内存所处理的上下文量以及用户数量。

预计这将改善AI服务的经济效益，扩大整体市场规模，并形成一个进一步推动内存需求的良性循环。

与此同时，在个人电脑和移动设备市场，已出现一些需求疲软的迹象，包括出货量的调整，以及因内存价格上涨带来的成本压力而导致的产品组合变化。

然而，强劲的服务器内存需求继续抵消了这一疲软态势，并推动着整体市场的增长。随着内存在人工智能计算中变得日益关键，高性能内存的需求正在激增，而供应仍受制约。

在此供需失衡的背景下，客户更优先考虑确保采购量而非价格，这支撑了当前的强劲价格走势。因此，我们预计有利的价格环境将暂时持续。

在第二季度，我们计划积极响应对高密度服务器内存条和移动产品的需求，预计DRAM出货量将环比增长高个位数百分比。

对于NAND业务，我们预计通过扩大基于321层产品的销售以及企业级SSD的销量，出货量将环比增长15%左右。

LPDDR6 1z完成开发，下半年量产；SoCAMM2本月起量产，专为NVIDIA Vera Rubin平台优化，带宽超RDIMM两倍、能效提升75%

在HBM业务领域，我们处于市场领先地位，其竞争力不仅取决于DRAM工艺技术，还取决于包括垂直贯穿硅孔（TSV）和封装在内的多种技术能力的综合运用。

此外，在性能、良率、质量和供应稳定性方面的全面执行能力至关重要。因此，我们正集中精力进一步强化这些能力。

针对HBM4，我们自开发初期便与客户保持紧密合作，并计划按照既定时间表，逐步提升符合客户性能要求的产品产量。

在DRAM领域，我们于第一季度完成了业界首款基于1z纳米工艺的LPDDR6的开发。与现有的LPDDR5X相比，该产品数据处理速度提升了33%，能效提高了20%以上。我们计划于下半年开始全面供货，首先将应用于某主要智能手机客户的下一代旗舰机型。

此外，我们本月已开始量产基于最先进1z纳米工艺的192 GB SoCAMM2产品。该产品针对NVIDIA的Vera Rubin平台进行了优化，带宽是传统RDIMM的两倍以上，能效提升了75%以上。

在NAND领域，随着对高性能、高密度存储的需求持续强劲增长，我们将积极把握增长机遇。

首先，我们已开始供应PQC21客户端SSD，这是本公司首款采用基于CTF技术的321层QLC技术的产品。

企业SSD领域，我们计划构建覆盖整个企业市场的均衡产品阵容，涵盖高性能TLC和大容量QLC产品，以灵活应对广泛的AI需求。

特别是，依托在高容量QLC企业级SSD领域具有优势的Solidigm带来的协同效应，我们将进一步增强竞争力，以满足AI数据中心和AI PC存储市场中客户的广泛需求。

随着客户需求持续超过我们的供应能力，确保充足的供应能力以应对AI时代结构性需求增长，正逐渐成为一项核心竞争优势。

因此，预计今年我们的资本支出将较去年显著增加，其中大部分将用于以龙仁集群为核心的基础设施建设、M15X产线的产能爬坡，以及极紫外光刻机等关键设备的采购。

鉴于半导体制造基础设施从初期建设到实际投产需要数年时间，且关键设备的采购也涉及较长的交货周期，我们将战略性地布局所需的生产基地，以积极应对长期需求增长。

在坚持资本支出纪律的同时，我们将根据需求可见度执行投资，从而确保供应稳定与财务稳健。

在人工智能时代的浪潮中，存储器市场正面临前所未有的增长机遇。鉴于第一季度业绩所展现的高投资回报率，我们认为将产生的现金重新投入业务，目前是最佳的资本运用方式。

因此，我们将加强财务稳健性，为长期增长奠定基础，以便在任何市场条件下都能持续实施长期战略所需的投资。鉴于我们创纪录的盈利水平，我们相信，实现净现金超过100万亿韩元的财务稳健性与扩大股东回报是能够并行推进的目标。

除股息外，我们还将积极评估股份回购及注销等其他股东回报措施，并于年内制定实施计划。

与此同时，我们已于3月24日就拟议的美国存托凭证（ADR）发行向美国证券交易委员会（SEC）秘密提交了注册声明，并正致力于年内在美国证券市场上市。

然而，拟议发行的具体细节，包括发行规模、结构及时间安排，目前尚未确定；关于是否推进上市的最终决定，将在综合考虑SEC对注册声明的审查意见、市场状况、投资者需求及其他相关因素后作出。一旦具体细节敲定，我们将提供进一步更新。

展望未来，我们将继续致力于通过在未来增长投资、财务稳健性以及提升股东回报之间保持最佳平衡，从而提升股东价值。

金洛浩，韩亚证券：

我的问题是，内存现货价格此前一直呈陡峭上升趋势，但目前已显现出一些疲软迹象。有人担心这可能预示着价格已见顶，且由于价格负担过重，需求开始趋缓。

公司是否认为这仅仅是短期供需因素导致的暂时性调整？

Woo-Hyun Kim - 副总裁兼财务部负责人：

我们了解到，市场对近期现货价格的波动存在各种解读。请允许我向大家阐述公司的观点。

首先，现货市场本身仅占整个DRAM市场的很小一部分，且其中交易的产品类型和规模与我们的业务存在显著差异。我们不能将现货市场的这些变化视为整体市场的反映。

一方面，我们看到主要客户对内存的需求正在全面增长，包括HBM、服务器DRAM和eSSD。另一方面，对于供应商而言，现实情况是他们很难在短期内增加供应。

因此，供需失衡的局面依然存在，内存价格上涨的周期很可能比以往更长。

现货价格的温和走势，与其说是市场见顶的迹象，不如说是近期价格上涨导致部分渠道的库存流入市场所引发的暂时现象。

金善宇，Meritz证券：

刚才的问题是关于现货价格的，而我的问题更多是关于整体价格周期，因为目前看来，似乎是这场史无前例的超级周期正在推高内存价格。

公司对未来内存价格走势有何展望？

Woo-Hyun Kim - 副总裁兼财务部负责人：

现在，我们可以看到，当前价格的上涨势头是由市场结构性变化驱动的，而非暂时的供需失衡。正因如此，我们也预计这一趋势将与以往不同。

首先，随着人工智能技术的发展，内存的重要性已达到前所未有的高度，IT企业正竞相增加采购量，以确保获得更多的内存供应。

另一方面，由于上一轮经济低迷后行业投资放缓，加之可用空间不足，短期内难以实现有意义的产能扩张。

供应商们为确保增产能力，已重启新建晶圆厂和基础设施投资，并持续扩大投资规模，但预计要建成规模可观的新洁净室并形成生产能力，还需要一段时间。

随着这种供需失衡的持续，客户开始优先考虑确保货源而非价格，且AI计算领域中内存的重要性日益凸显，这些因素也反映在了价格上。

因此，预计有利的价格环境将在短期内得以维持。

Nicolas Gaudois，UBS：

能否请您介绍一下目前关于增强型新长期协议（LTA）的最新进展以及扩产的时间表？

能否具体说明这些协议与以往的长期协议有何不同，它们是否适用于DDR、NAND闪存和HBM等产品，还是主要针对DDR？在您能够披露的范围内，能否分享具体的条款和条件？

Woo-Hyun Kim - 副总裁兼财务部负责人：

随着内存供应短缺的持续，客户对确保中长期供货量的需求显著增加。

如今，内存已变得至关重要，客户已将未来价格和供应的不确定性视为业务的核心风险。对我们而言，通过确保需求可见性来缓解投资压力也是一项重要任务。

多年期长期协议（LTA）应既能为客户提供供应稳定性，又能为本公司提供需求可见性及更稳定的收益结构，从而同时提升双方的业务稳定性。

因此，与以往的LTA不同，本公司正在综合评估各种方案和结构性替代方案。不过，受当前供应限制的影响，我们尚无法满足所有客户的需求。

如果多年期LTA能够稳定落地，预计在需求可预见性和稳定盈利能力的支撑下，投资效率将自然得到提升。

此外，我们预计，通过降低内存行业过去反复出现的波动性，市场对内存业务整体的评价也将得到提升。

金SK，大和证券：

最近，为了应对内存供应短缺的情况，业界似乎一直在持续尝试开发提高内存效率的技术及相关产品。

不过，也有人担心这种趋势可能会在一定程度上减少我们未来对内存的需求。若能请贵公司就此发表看法，我将不胜感激。

Woo-Hyun Kim - 副总裁兼财务部负责人：

随着AI推理市场的快速增长，各种用于处理呈指数级增长的数据的新技术正不断涌现。我们认为，这些技术进步将拓宽AI生态系统的覆盖面，并最终成为推动整体内存需求增长的催化剂。

有观点认为，采用SRAM的LPU可作为内存的替代方案。与GPU不同，LPU主要依靠内部SRAM运行，因此速度极快，但存在物理容量的限制。

因此，未来很可能采用一种混合架构：需要快速响应的领域由LPU负责，而复杂且庞大的运算则由基于HBM的GPU负责。

也就是说，随着AI服务的多样化，内存将呈现分层化趋势，预计对高性能内存的需求也将持续增长。

另一方面，随着近期一种通过压缩数据来优化KV缓存的技术问世，也有人认为这可能会降低内存需求。

但该技术的核心并非在于减少内存使用，而是为了更高效地利用现有内存，从而提供更多样化的AI技术和服务。为了处理更长的上下文并进行更多的并行推理，需要更多的内存。因此，随着AI服务的普及，预计内存需求反而会增加。

尽管此前已陆续推出了多种内存优化技术，但最终的发展方向仍是通过多元化AI市场、降低准入门槛，从而扩大整体市场规模。

本公司也将顺应客户日益多样化的需求，及时供应世界顶尖水平的AI内存产品，以此巩固并保持市场领导地位。

Ricky Seo，汇丰银行：

我想就HBM4提出一个问题。

近期关于HBM4的认证及量产情况，市场上的看法众说纷纭。能否请贵公司分享一下HBM4目前的认证进展，以及正式出货的时间节点？

此外，如果方便的话，还希望能说明一下到年底时，HBM4在HBM产品线中所占的比例预计会达到多少？

Woo-Hyun Kim - 副总裁兼财务部负责人：

从客户的角度来看，HBM业务不仅注重速度和功耗等性能指标，更看重包括质量、良率及供应稳定性在内的综合竞争力。

本公司针对HBM4产品，自初期阶段便与主要客户紧密合作，率先建立了开发及供应体系；我们已做好充分准备，将在各客户产品量产时，按其所需性能要求逐步提升产能，确保及时供货。

本公司自HBM2E以来，在上市时间、成本、良率、性能等综合产品竞争力以及客户业务信任度方面始终保持最高水平；在此基础上，我们在HBM4、HBM4E等新一代产品中进一步巩固了技术领导地位，持续引领市场。

正因如此，未来三年客户对本公司的需求量已远超我们的供应产能。

鉴于当前产能有限，我司正竭尽全力向客户供应尽可能多的HBM。考虑到不仅HBM，普通DRAM也面临严重的供应短缺，我们并非单纯追求销售额最大化，而是为了促进AI产业生态的均衡发展，在供应层面实施HBM与普通DRAM之间的最优分配。

今后，我们将凭借在HBM3E和HBM4等产品方面的技术实力，进一步巩固并延续我们的市场领导地位。

高永民，DAOL投资证券：

我想就投资方面提一个问题。

最近，我们看到其他公司纷纷宣布大规模扩大投资。关于这一点，我想请教贵公司是否也计划从维持市场份额和竞争力的角度出发扩大投资。

另一方面，我认为市场可能会对此产生担忧，担心过去供应过剩的情况是否会重演。因此，也请贵公司谈谈对此的看法和见解。

Woo-Hyun Kim - 副总裁兼财务部负责人：

我们的投资方针是在资本支出纪律框架内，结合需求可见性来执行投资。

鉴于当前内存需求持续强劲，预计今年及2026年的投资将较上年大幅增加，以备战未来基础设施建设并确保获得满足需求所需的核心设备。

具体而言，我们正在加快推进龙仁产业集群工厂的建设，以确保中长期生产能力。继明年初竣工的第一期工程之后，我们将分阶段实施投资，以完成第二期至第六期工程。

此外，我们计划按计划推进明年之前为实现生产工艺升级所需的设备投资。

尽管我们正在通过扩大投资等措施积极增加供应以满足客户需求，但我们认为，在短期内仍难以满足结构性增长的需求。

这也正是我们通过强化客户情报系统密切监测需求变化，并结合长期客户关系所获得的中长期需求可见性，持续评估供需环境的原因。

目前，客户和供应商都认同确保供需长期可预见性的重要性。与过去不同，现在不应再对供过于求的情况抱有重大担忧。

权艺勋，摩根大通：

刚才在开场演讲中也提到，企业级SSD的需求也在增长。鉴于由AI驱动的需求预计也将推动NAND需求的快速增长，那么SK海力士计划如何满足未来的市场需求？

Woo-Hyun Kim - 副总裁兼财务部负责人：

正如您所言，NAND已不再是简单的存储设备，而是决定计算速度和效率的核心组件，预计未来将保持长期增长。

随着AI模型的进一步发展，被称为KV缓存的中间数据处理量正在呈指数级增长。正因如此，客户目前正大规模采用高性能、大容量的eSSD。

即使在供应有限和投资环境受限的情况下，公司仍计划通过增强技术实力和扩大生产能力，积极应对这一需求。

首先，今年4月，我们开发出了全球首款321层QLC闪存并完成了客户认证，确立了压倒性的技术领先优势。

展望未来，我们将通过构建兼顾高性能与大容量的最佳产品阵容，灵活应对日益分层化的AI存储需求。

我们将进一步强化以eSSD为核心的产品组合，积极应对由KV缓存增长驱动的市场变化。同时，我们正在加速技术迁移进程。

为最大化位产量，计划在今年年底前将国内产能的50%以上迁移至321层技术。从176层到321层的这一代际飞跃，预计将为公司带来显著的生产力提升。

随着NAND市场及AI市场的增长潜力持续增强，我们计划根据市场状况，通过灵活且积极的投资策略，进一步扩大我们在NAND市场的影响力。

柳永浩，NH投资证券：

我想从一个稍长远的视角提一个问题，关于下一代内存方面。

随着近期AI产业的发展以及计算方式的多样化，除了HBM之外，针对新用途或新目标的内存需求似乎也有所增加。

如果贵公司能分享一下目前针对HBM之后下一代内存市场的准备情况或相关计划，我将不胜感激。

Woo-Hyun Kim - 副总裁兼财务部负责人：

关于下一代产品的准备情况，前半部分我将先就DRAM相关内容进行说明，而关于NAND的部分则将由NAND市场营销负责人来介绍。

随着AI市场的扩大，新的平台不断涌现，相应地，技术正推动内存的分层化并拓展其应用场景，使得AI内存的需求日益多样化。

本公司正积极把握这些技术演进和客户需求，并有条不紊地做好准备，以便及时应对下一代AI内存市场。

首先，我们计划从本月起正式量产基于1c纳米LPDDR5X的192GB SoCAMM2产品，并向客户供货。

与现有的RDIMM相比，该产品实现了超过2倍的带宽和75%以上的能效提升，是专为高性能AI运算而优化的产品。

此外，随着申请数量的增加，KV缓存卸载需求激增，我们认为CXL池化解决方案也将成为一种可行方案。

为此，本公司将在去年完成客户认证的基于CXL 2.0的第一代CXL内存模块的基础上，进一步推出支持CXL 3.0的第二代产品，以实现更高的容量和性能，从而在新兴市场中保持领先地位。

为了在实际的AI服务环境中对CXL、PIM等新一代AI解决方案进行验证和优化，我们去年已与云服务提供商签署了谅解备忘录（MOU），并以此为起点，计划积极拓展与全球客户的技术合作关系。

Park Joon-bok - NAND营销负责人：

在NAND领域，我们也在筹备新一代存储解决方案，旨在构建专为AI工作负载设计的高性能、高带宽、大容量存储基础设施。

特别是HBF这项技术，通过3D堆叠结构提供超高速带宽，今年2月已为推动规格标准化而启动了联盟。

未来，我们将通过HBF的全球标准化和产品化，不仅在DRAM领域，而且在NAND领域引领新市场。

此外，今后本公司也将继续为Edge AI、Physical AI等各类AI环境可能所需的优化内存解决方案做好准备，并通过HBM技术，不断努力进一步巩固我们在AI内存领域的领导地位。

李世哲，花旗集团：

我也想就下一代产品提个问题。

刚才您介绍了HBM4的最新情况，目前市场对HBM4向HBM4E的演进也越来越关注。

我想了解SK海力士在HBM4E领域的技术竞争力优势，以及相较于竞争对手的差异化因素。特别是关于封装技术或逻辑芯片（Logic Die）的运营计划等方面，也请您做一下说明。

Song Chang-seok - HBM营销负责人：

目前，我司正在与客户就HBM4E的出货时间表和产品规格进行密切协商，积极推进相关准备工作。公司内部计划于下半年开始提供样品，并正按计划顺利推进开发工作，目标是在2027年实现量产。

首先，用于HBM4E的基础芯片正在基于符合客户性能要求的最佳工艺进行开发，并通过与客户的协作，项目进展顺利。

此外，为满足客户日益增长的性能需求，Core Die计划采用1c纳米工艺。我们的1c纳米工艺已证明具备业界顶尖的性能水平，自2025年底开始量产，其良率及量产能力均已达到成熟阶段。我们期待借此向客户稳定供应性能卓越且供货充足的HBM4E。

本公司计划通过进一步的技术内化与客户验证，按时开发HBM4E，并凭借卓越的量产能力和产品品质，继续保持在HBM技术领域的领导地位。

李钟旭，三星证券：

刚才关于投资计划的说明我听得很清楚，我想就基础设施投资方面再请教几点。

首先，请您介绍一下明年初将投产的Y1晶圆厂的运营方向。

此外，为了确保中长期产能，除了龙仁之外，是否有建设或收购其他晶圆厂的计划，也请一并说明。

Woo-Hyun Kim - 副总裁兼财务部负责人：

为了应对中长期需求，本公司决定将第一期晶圆厂第一阶段洁净室的启用时间从2027年5月提前至2月，提前了3个月；目前龙仁晶圆厂的建设进度正按计划顺利推进。

龙仁产业集群是迄今为止规模最大的尖端生产基地，将成为本公司中长期运营的核心。第一期计划生产DRAM，而第二期至第六期将生产的产品及采用的技术，我们将根据市场需求持续进行评估，以确保高效运营。

目前，除龙仁以外暂无建设或收购其他晶圆厂的计划，但鉴于在人工智能时代，能否在客户需要时稳定供应其所需产品已成为核心竞争力，我们深知确保大规模生产能力和稳定的供应体系比任何事情都更为重要。

我们将周密筹备，以灵活应对中长期全球内存需求的增长。

Simon Woo，美国银行：

我想请您全面说明一下针对以下几种原材料的应对策略、目前产生的影响以及库存状况：高度依赖中东的氦气和溴；可从中国进口的钨；以及可能用于海力士自发电的液化天然气（LNG）供应短缺问题。

Woo-Hyun Kim - 副总裁兼财务部负责人：

通过以往国际冲突时期的经验，我们充分认识到地缘政治变化和动荡可能带来的原材料及能源供需风险。针对此，我们已制定了相应的应对措施。

对于包括氦气和溴等主要工业气体在内的原材料，我们已完成供应商多元化布局，并储备了充足的库存，因此预计其对本公司生产能力产生的短期和长期影响将非常有限。

尽管受地缘政治等因素影响，钨的价格有所上涨，但由于库存充足且供需未受影响，因此对本公司的生产没有影响。

在电力方面，尽管受原油和液化天然气出口延迟影响，能源价格有所上涨，但由于已通过长期合同确保液化天然气供应，价格波动不大，预计对业务的影响有限。

今后，我们将继续密切关注市场动态，努力将业务运营过程中的风险降至最低。

韩东熙，SK证券：

我想就股东回报以及ADR等提升企业价值的议题提几个问题。

关于您在上周股东大会上提到的持有100万亿韩元现金一事，市场担忧在实现这一目标的过程中，股东回报政策可能会低于市场预期。

恳请您分享公司未来股东回报政策的发展方向以及ADR的推进情况。

Woo-Hyun Kim - 副总裁兼财务部负责人：

鉴于随着AI需求的扩大，某些设备投资规模正呈现结构性增长，为了确保不受行业形势影响的稳定投资执行，并及时响应客户需求，我们认为必须具备全球顶尖水平的财务实力。

正如此前公告中所阐述的，鉴于公司盈利能力较以往显著提升，我们认为完全可以在确保财务稳健的同时，进一步扩大股东回报。

因此，我们计划于年内制定包括股息分红以及回购并注销本公司股份等在内的额外股东回报方案，并与市场进行沟通。

本公司已通过2025年总额达2.1万亿韩元的年度股息派发及12.2万亿韩元的回购并注销自有股份，展现了回馈股东的决心。今后，我们将积极探讨如何根据业绩增长情况，持续扩大回馈规模。

关于ADR事宜，目前美国证券交易委员会（SEC）的审查工作正在进行中，根据国内相关法律法规，除已披露的内容外，恕无法透露更多信息，敬请谅解。

具体内容将在确定后及时向市场通报。