下周三美股盘后，存储巨头美光将会公布26FYQ2财报。近期，存储价格和相关上市公司股价继续攀升，许多指标前所未见，需求井喷。三星、美光和海力士三大HBM巨头正在努力通过英伟达等芯片巨头认证和扩产，传统的消费电子存储价格也大幅上涨，股票同样一路向上。花旗在近日报告中就美光业绩，存储价格和可能见顶信号做了总结，报告全文如下。
美光将于3月18日盘后公布26FYQ2财报。基于年初至今内存价格上涨，我们将其二季度/三季度预期上调至高于市场共识水平。花旗全球内存分析师Peter Lee预测，在强劲数据中心需求驱动下，2026年DRAM平均售价将同比增长171%；在旺盛的eSSD需求推动下，NAND平均售价将同比增长127%。此外，媒体报道（etnews，2026年3月4日）显示三星计划在一季度将DRAM价格环比提升100%。当前投资者对该股的核心分歧在于，我们是否正处于一个类似1990年代Windows PC DRAM周期的、由强劲AI需求与新晶圆厂产能受限共同驱动的长期内存周期。我们分析了美光股价在以往内存周期中相对于DRAM平均售价的表现，认为其股价今年有望维持涨势，但在经历一季度DRAM价格环比飙升超100%后，二季度的超额收益可能放缓。维持“买入”评级。
关键投资者关注点——a) 2026/27年DRAM/NAND供需展望更新；b) 长期协议如何推动未来数年可持续的收入/盈利增长；c) 为英伟达Vera Rubin平台进行HBM4认证的进度（我们认为美光情况良好）；d) 本年度毛利率展望。
内存需求推动年初至今超大规模资本支出上行——花旗将2026年超大规模资本支出总额预测从5,800亿美元（同比增长58%）上调至6,880亿美元（同比增长66%）。我们与供应链的沟通及分析显示，2026年超大规模资本支出预测上修主要源于内存成本上升（约占物料清单成本的20%），因DRAM价格自去年四季度以来已上涨两倍（见图2）。
盈利预测与目标价调整——鉴于年初至今价格走势优于预期，我们将二季度/三季度每股收益预测分别上调4%和5%。基于花旗内存定价模型与更好的毛利率展望，我们将2026财年/2027财年每股收益预测上调5%和31%。最新目标价430美元是基于9倍市盈率（考虑到前所未有的DRAM定价环境与强劲AI需求，该倍数略高于历史平均水平）乘以调整后的2027日历年每股收益得出。
鉴于定价环境改善，我们将2026财年第二季度营收与每股收益预测分别上调4%，同时将2026财年第三季度营收与每股收益预测分别上调5%。
我们还将2026财年与2027财年的每股收益预测分别上调5%和31%。我们对于2027财年每股收益46.78美元的预测，比市场共识高出7%。
美光股价已从2025年11月的230美元上涨至3月13日的426美元，这得益于存储价格上涨及毛利率提升；公司指引2026财年第二季度毛利率为68.0%，高于2026财年第一季度的56.8%。
花旗对美国四大巨头2026年超大规模资本支出的预测上调了920亿美元（从5040亿美元上调至5960亿美元），鉴于年初至今的价格上涨，其中约800亿美元的增长可归因于更高的内存销售额。
在1990年代的Windows个人电脑DRAM周期中，美光股票于1995年末见顶，较DRAM价格见顶提前了三个月。
在互联网泡沫时期，美光股票于2000年中见顶，较DRAM价格见顶提前了两个月。
在2017年至2018年的DRAM上升周期中，美光股票于2018年中见顶，较DRAM定价见顶提前了四个月。
尽管我们尚未获得世界半导体贸易统计组织（WSTS）关于二月份的最新DRAM定价数据，但美光股票在二月初已触及455美元的新峰值。
美光股票的超额收益可能在第二季度有所缓和，这源于第一季度DRAM价格的急剧环比上涨。
在业绩说明中，SK海力士预计2026年DRAM比特增长超20%（同比），NAND比特增长为百分之十几的高位区间（同比），而美光此前对DRAM/NAND比特增长的预期约为20%（同比）。
花旗的其它相关测算如下：
报告原文已经上传，其它最新外资报告、宏观数据解读、国际局势更新、央行决议前瞻、资产交易策略也都已经更新，欢迎各位加入讨论。
