区熔用多晶硅指采用区熔法制备单晶硅的多晶硅原料。
区熔用多晶硅是采用区熔法制备单晶硅的原料。区熔法（FZ 法）即悬浮区熔法（Floating Zone Method），在区熔法制备单晶的过程中不会使用石英坩埚，因此具有纯度高、含氧量低、污染度低、电阻率高（杂质分凝和蒸发效应）、耐高压的特性。区熔用电子级多晶硅是电子级多晶硅中占比较小但不可或缺的部分，目前全球约 15%的硅片由区熔法制备，在 IGBT 功率器件、高端射频器件、微电子机械系统以及各类高精度探测器、传感器等战略领域具有不可替代的关键应用价值。
长期以来，国外企业垄断超高纯电子级多晶硅核心技术，构建技术壁垒与市场封锁，导致国内高端半导体产业对该类材料长期依赖进口，制约前沿芯片研发与产业升级节奏。面对产业痛点与国家战略需求，公司前瞻性布局超高纯电子级多晶硅研发赛道，聚焦超高阻与区熔用高端产品的技术创新。
目前，公司在超高阻电子级多晶硅和区熔用多晶硅的产品技术研发及生产方面已取得突破性进展，相关产品通过部分国内外主流客户验证，并实现小批量出货，填补国内前沿需求与细分领域的供应空白，实现我国高端电子级多晶硅领域里程碑式跨越。
1、项目概述
项目名称：1,500 吨/年区熔用多晶硅项目
实施主体：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
项目投资额：50,870.33 万元
本项目拟通过对现有工艺装置实施技术改造，并购置关键核心设备，以扩大区熔用多晶硅的生产能力。项目建成后，将新增区熔用多晶硅及其副产品（含生产损耗）合计年产 1,500 吨，显著提升高端产品的稳定供应能力，有力支撑区熔用多晶硅的国产化替代进程，进一步巩固并增强公司在半导体高纯硅材料领域的市场地位与核心竞争力。
公司深耕半导体核心材料领域，聚焦半导体产业用电子级多晶硅研发、生产与销售，以自主创新突破行业垄断，重塑全球市场竞争格局。高纯电子级多晶硅作为半导体产业链核心基础原材料，其生产技术长期被德国、美国、日本的少数企业垄断，对我国半导体产业供应链安全与自主发展形成严重制约。公司历经多年技术攻坚，成功实现国产电子级多晶硅大规模量产，为我国半导体制造所需核心原材料的自主可控与稳定供应做出重要贡献。
根据中国电子材料行业协会半导体材料分会数据，2024 年公司在国内集成电路用高纯电子级多晶硅市场占有率超过 50%。国内市场其余份额及国际市场目前仍基本由境外厂商占据。本次项目资金将聚焦先进技术攻坚、高端产能建设及研发体系升级，进一步巩固公司在半导体核心材料领域的龙头地位，强化技术与产能双重竞争壁垒，为推动我国半导体产业高质量发展、助力国家科技自立自强战略落地贡献力量。
2、投资概算
本项目预计总投资 50,870.33 万元，建筑工程费 1,426.50万元，设备购置费 34,308.00 万元，安装工程费 7,161.60万元，工程建设其他费用 2,249.32 万元，预备费 2,708.00 万元， 铺底流动资金 3,016.92 万元。
3、项目选址
本项目拟在江苏省徐州经济技术开发区实施。
4、项目实施规划
本项目建设期为 24 个月。
5、涉及履行审批、核准或备案程序
2025 年 2 月 25 日，本项目已取得徐州经济技术开发区管委会下发的《江苏省投资项目备案证》，项目代码为 2502-320371-89-02-481283。
6、项目环保情况
项目建成后生产过程中产生的主要污染物有少量的废水、废气、固体废物和噪声。项目实施过程中公司将采取相应措施对污染物进行环保处理并达到国家环保规定的排放标准，减少对环境造成的影响。
公司生产过程将采取有效的污染防治措施，经治理后实现达标排放，对环境无不良影响。2025 年 3 月 28 日，本项目已取得徐州经济技术开发区行政审批局出具的徐开行环〔2025〕2 号环境影响报告书批复文件。
7、涉及土地或房产
本项目实施地点在原有公司厂区内，不涉及新增土地或房产。
8、未来规划采取的措施
未来，公司将采取以下措施进一步促进公司发展：
（1）积极谋划业务布局，实现多元业务战略组合
聚焦公司核心业务，继续完善电子级多晶硅生产技术，实现在成本和质量上对国际领军企业的超越。在新产品研发、工艺改进等方面持续加大投入，加快关键技术突破，提升超高阻电子级多晶硅和区熔用多晶硅技术水平，攻克硅基电子特气的技术瓶颈，成功完成产品验证，实现规模化生产及销售。积极布局发展新型硅基半导体材料项目，形成多元化的产品系列。
（2）整合产业资源，打造产业生态圈
公司将充分利用各方资源，继续专注于直拉用及区熔用电子级多晶硅的生产，实现全球领先、国内标杆的核心产品战略目标。公司将适时成立鑫华产业投资平台及产学研支持平台，整合产业链、地方政府及技术资源，共同实施未来发展项目的孵化，并以资本为纽带，链接上下游产业链资源，培育战略供应商，发展战略客户，共同打造产业生态圈。
9、区熔用多晶硅棒生产技术
区熔用多晶硅棒是专为区熔单晶生长而开发的核心材料，其生产工艺与传统的直拉单晶技术差异显著，对硅棒纯度、内应力控制、表面光滑度等性能要求极为苛刻。生产过程中，因硅棒内部应力过大且结构过于致密，常出现棒体开裂甚至倾倒现象，导致产品良率低、试制成本居高不下。
公司通过精准调整原料配比，优化化学气相沉积工艺参数，并引入高精度温控系统和动态时间管理技术，对硅棒生长的温度曲线及反应时长进行严格调控。这一系列改进显著降低了硅棒内应力，提升了结晶均匀性，最终成功制备出结构稳定、符合单晶硅棒生产需求的高质量多晶硅棒，大幅提高了良率并降低了试制成本。在后续生产环节中，硅棒晶粒尺寸的精准控制及沉积均匀性是另一大技术难点，若处理不当易在区熔拉晶时引发断棱缺陷，严重影响产品质量稳定性。
由于硅棒沉积过程受还原炉内气流速度、温度分布及原料杂质等多因素干扰，团队针对性优化了还原炉结构：改进炉筒内壁的反射涂层以增强热场均匀性，重新设计底盘电极与气体喷嘴布局以稳定气流分布，并结合智能控制系统实时调整原料配比与气体流量。这些措施实现了硅晶粒尺寸的精细调控，确保沉积层致密且晶粒分布高度均匀。改进后，多晶硅棒的缺陷率显著降低，为下游区熔拉晶提供了高可靠性原料，有效保障了单晶硅产品的性能与良率。
关 于 我 们 
·官方网站：Chinasihan.com
