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半导体行业术语缩写词典总结-F(第二轮)

日期：2026-02-21 11:16:45 来源：网络整理作者：本站编辑评论：0

作为半导体行业新人来说，最痛苦的莫过于各种缩写词术语了，有的缩写词一样但是会有不同的解释。

这里作者给大家整理了部分术语词典，后面会按照更新顺序一一分享出来。

废话不多说，直接开始，如有遗漏，欢迎大家在评论区或者私信补充，作者会在后面单开一篇来补充：

06

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F-开头缩写

缩写	英文全称	中文解释	技术说明
F2B	Face-to-Back Bonding	面对背键合	3D 集成中一片 die 的有源面与另一片 die 的背面进行键合/堆叠的方式。
F2F	Face-to-Face Bonding/Stacking	面对面键合/堆叠	3D 集成中两片 die 的有源面相对键合/互连的堆叠方式（用于芯粒/3DIC 互连）。
FAI	First Article Inspection	首件检验	新开线/换线/换料/换治具后的“首件”确认，验证关键尺寸/外观/电性满足放行标准。
FAIR	First Article Inspection Report	首件检验报告	首件检验的记录与放行文档（常用于客户审查/制程变更追溯）。
FAMOS	Floating Gate Avalanche Injection MOS	浮栅雪崩注入MOS	早期非易失存储结构：雪崩热载流子注入给浮栅充电，产生阈值漂移实现存储。
FAR	False Accept Rate	误判良率	测试把“不良判成良”的比例（与漏检风险、客户抱怨/退货/现场失效率强相关）。
FAT	Factory Acceptance Test	工厂验收测试	设备出厂前在供应商现场按验收清单验证功能/性能/安全互锁，常与SAT（现场验收）配套使用。
FATP	Final Assembly, Test & Pack (或 Packaging)	终装配-测试-包装	后段制造统称：组装、测试、包装/出货流程（Pack/Packaging 表述可能不同）。
FBGA	Fine-Pitch Ball Grid Array	细间距 BGA	细间距焊球阵列封装（与 FLGA 并列出现在封装外形/尺寸规范中）。
FC	Flip Chip	倒装芯片互连	芯片翻转后用凸点与基板/载板焊盘互连（与WB/TAB并列常见互连方式）。
FC-QFN	Flip-Chip Quad Flat No Lead	倒装芯片 QFN	基于铜引线框架/基板的低成本封装，采用倒装互连以缩短电路径、提升电性。
FCA	Flip Chip Attach	倒装芯片贴装	倒装互连装配步骤之一：对准带凸点芯片并回流/热压到基板焊盘；后续通常进行底填（Underfill）增强可靠性。
FCB	Flip Chip Bonding	倒装键合/倒装焊接	将芯片以倒装方式与基板焊盘对位并键合（回流焊/热压等），用于高I/O与高性能封装。
FCBGA	Flip-Chip Ball Grid Array	倒装芯片球栅阵列封装	以倒装凸点把 die 连接到基板，外部用 BGA 焊球出线；适合高 I/O、高性能器件。
FCCGA	Flip Chip Ceramic Grid Array	倒装陶瓷栅格阵列封装	陶瓷基材+倒装互连，偏高可靠/高温/高功耗应用（代价是成本更高）。

FCCL	Flexible Copper Clad Laminate	柔性覆铜板	柔性电路基材：铜箔+绝缘膜（常见PI等）复合，用于FPC/FPCB走线成形。
FCCSP	Flip Chip Chip-Scale Package	倒装芯片芯片级封装	倒装互连的 CSP 形态，面向小型化与高频/高性能场景（也常写作 fcCSP）。
FCHSBGA	Flip Chip Heat Spreader Ball Grid Array	带散热片的倒装BGA	倒装BGA并集成散热片（heat spreader），用于改善热阻与功耗器件散热。
FCIP	Flip Chip in Package（常写作FCiP）	封装内倒装	倒装互连发生在封装内部（如倒装到BGA基板/中介层后再装到PCB），兼顾电/热/密度需求。
FCLBGA	Flip Chip Land Ball Grid Array	倒装Land-BGA封装	倒装互连+基板阵列出线的一类命名（有时用于区分不同基板/焊盘结构或家族命名）。
FCLGA	Flip Chip Land Grid Array	倒装芯片 LGA	倒装互连 + LGA 出线的组合封装形态，常见于器件装配与工艺指南。
FCMCM	Flip Chip Multi-Chip Module	倒装多芯片模块	在同一模块/基板上以倒装方式集成多颗die，属于MCM的倒装实现形式。
FCOB	Flip Chip On Board	倒装芯片板上封装	裸片直接倒装到 PCB/载板，常配合 underfill 增强焊点可靠性。
FCOF	Flip Chip on Flex	柔性基板倒装封装	将裸芯片倒装到FPC/柔性载板上，对位与互连公差要求更严，常见于显示/存储等模组互连。
FCOL	Flip Chip On Leadframe	引线框倒装封装	把倒装互连与低成本leadframe结合（常用于成本敏感且对厚度/热性能有要求的器件）。
FCPBGA	Flip Chip Plastic Ball Grid Array	倒装芯片塑封 BGA	倒装芯片 + 塑封 BGA 的封装形态；业界常见板级装配/热管理与可靠性规范中使用该缩写。
FCPGA	Flip-chip Pin Grid Array	倒装芯片针栅阵列封装	PGA 的一种：die face down，背面更易与散热器接触（散热路径更直接）。
FCSiP	Flip Chip System in Package	倒装系统级封装	以倒装互连实现SiP多芯片/无源集成的一类实现路径（常见写法也有fcSiP）。
FCT	Functional Testing (Manufacturing)	功能测试	产线末端对 DUT 进行上电/激励并验证功能是否满足规格（制造环节常用缩写）。
FDD	Fault Detection and Diagnostics	故障检测与诊断	基于传感器/数据算法对系统异常进行检测与定位（在厂务/公用系统与设备健康监测中常见）。
FDNQ	Fluorinated Diazonaphthoquinone	氟化重氮萘醌	PSPI体系中常见的光敏/溶解抑制类化合物缩写，用于晶圆级聚酰亚胺涂布后的曝光显影图形化。

FDTD	Finite-Difference Time-Domain	时域有限差分	电磁全波数值方法，常用于光子器件/纳米结构电磁场仿真与工艺/结构评估。
FE-SEM	Field Emission Scanning Electron Microscope	场发射扫描电镜	基于场发射源的高分辨率SEM形貌表征手段，在材料/薄膜/缺陷分析中常用。
FEA	Finite Element Analysis	有限元分析	用于封装/载板/互连的应力-应变-翘曲等多物理场仿真，辅助工艺与结构优化。
FEBID	Focused Electron Beam Induced Deposition	聚焦电子束诱导沉积	利用SEM电子束在局部裂解前驱体分子进行直接写入沉积（纳米修补/纳米结构原型）。
FEBIP	Focused Electron Beam Induced Processing	聚焦电子束诱导加工	以聚焦电子束驱动的直接写入纳米加工总称，包含电子束诱导沉积/刻蚀等子技术。
FEG	Field Emission Gun	场发射电子枪	SEM/TEM常用高亮度电子源，可获得更高分辨率与更好信噪比成像。
FEG-SEM	Field Emission Gun Scanning Electron Microscope	场发射SEM	以FEG为电子源的SEM系统，常用于先进缺陷/形貌表征与高分辨率失效分析。
FEP	Fluorinated Ethylene Propylene	氟化乙烯丙烯共聚物	高纯化学品/超纯水输送与耐腐蚀衬管常用含氟材料之一（低析出、耐化学性）。
FET	Field-Effect Transistor	场效应晶体管	以电场调制沟道导通的基础器件结构家族（MOSFET/FinFET等均属于FET范畴）。
FFR	False Fail Rate	误判不良率	测试把“良品判成不良”的比例（会推高报废/复测成本，影响UPH与CPK评价）。
FFTA	Fuzzy Fault Tree Analysis	模糊故障树分析	在故障树中引入模糊逻辑处理不确定/模糊的失效概率输入，用于不完备数据场景。
FFU	Fan Filter Unit	风机过滤单元	洁净室/mini-environment 常用模块：风机+HEPA/ULPA 过滤，提供上送风洁净气流。
FGA	Forming Gas Anneal(ing)	成形气退火	在H₂/N₂气氛中进行的钝化退火，常用于降低界面态/修复缺陷、改善器件电性（常见于BEOL/器件后段热处理窗口）。
FGMOS	Floating-Gate MOSFET	浮栅MOSFET	浮栅被绝缘包围形成电荷长期保持（EPROM/EEPROM/Flash核心器件家族；工艺中常关联隧穿/热载流子注入机制）。
FI	Factory Integration	工厂集成	晶圆厂“端到端”集成范畴：把FO（工厂运营）、设备/厂务、物料搬运、信息与控制系统等同步协同，以支撑高产能与低成本制造。
FIB-APT	Focused Ion Beam – Atom Probe Tomography	聚焦离子束-原子探针断层	用FIB制备APT针尖样并在受控环境下转移到APT，实现3D原子级成分重构（先进器件/界面杂质分析）。

原创声明：本文综合公开资料梳理，转载需授权。

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