纳微白皮书：GaN/SiC重构800VDC数据中心架构

近日，Navitas Semiconductor 纳微发布全新技术白皮书《Redefining Data Center Power: GaN and SiC Technologies for Next-Gen 800 VDC Infrastructure》，聚焦氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）宽禁带半导体技术，为 AI 时代数据中心打造下一代 800VDC 电力基础设施，破解传统 54VDC 架构在功率密度、效率上的瓶颈。

白皮书指出，AI 算力需求激增推动全球数据中心电力消耗大幅增长，2030 年其用电量或将占全球 8%，传统架构面临铜材消耗大、转换效率低等问题。800VDC 架构可使铜材用量减少 45%，端到端能效提升 5%，运维成本降低 70%，成为高密 AI 算力中心的最优解，英伟达也已将该标准作为高密 AI 计算基础设施基准。

作为核心支撑，Navitas 的 GeneSiC SiC 技术实现电网 34.5kV/13.8kV MVAC 到 800VDC 的直接转换，其沟槽辅助平面技术让器件高温下导通电阻降低 20%，并通过行业首创的 AEC-Plus 级可靠性认证；GaNFast和 GaNSafe器件则完成 800VDC 到 54V/12VDC 的高效转换，实现 1MHz 开关频率、98% 系统效率，打造从电网到 GPU 的全链路高效电力解决方案。

此外，白皮书还展示了 Navitas 在 SiC 模块、高电压器件研发上的技术突破与产品布局，其技术方案同时适配储能、新能源汽车等场景，为 AI 工厂及相关高功率领域提供了高可靠、高扩展的电力技术支撑。