一、本报告概述。
报告认为AI正触发存储行业第四轮景气周期，2025Q3全球存储市场规模已创584.6亿美元季度新高，DRAM、NAND环比增速分别达24.7%、16.8%。需求端，云厂商资本开支持续高增（2025年八大CSP合计+65%，2026年再+40%），AI服务器与AIPC、AI手机带动容量翻倍；供给端，原厂集中转产HBM、DDR5、QLC NAND，DDR4等传统料号减产30%以上，供需缺口预计贯穿2026年，价格有望再涨20%-30%。国产链长鑫DDR5、长存QLC技术突破，份额快速提升，设备与模组环节同步受益。
二、第一章：存储市场规模较大，有望迎来以AI驱动的新一轮景气周期
2024年全球存储芯片市场1670亿美元（+81%），2025年预计1894亿美元（+13%）。DRAM与NAND合计占2025Q3市场99%，其中DRAM 400亿美元、NAND 184亿美元。历史上行周期由手机/PC换机驱动，本轮AI训练+推理需求使存储位元增速远高于传统终端，且供给端新增产能有限，景气时长与强度或超预期。
三、第二章：存储需求持续扩容，供给端调控与技术创新共同驱动增长
1）云资本开支：2025年八大CSP合计支出突破6000亿美元，AI服务器出货180万台（+29%），单机HBM 640 GB、DDR5 2-4 TB、eSSD 32-132 TB，拉动服务器DRAM/NAND占比升至36%/30%。
2）端侧扩容：2025年AI手机渗透率30%，旗舰机DRAM≥12 GB、NAND≥512 GB；AIPC渗透率35%，标配32 GB LPDDR5X+1 TB SSD，单机容量年增25%-30%。
3）技术迭代：HBM3E带宽1.2 TB/s，2025年HBM市场300亿美元（占DRAM 28%）；DDR5 32 Gb单die量产，服务器渗透率80%；QLC NAND P/E 4000次，Solidigm 122 TB SSD规模出货，企业级QLC渗透率有望两年翻倍。
4）供给调控：三星、美光、SK海力士合计减产DDR4超30%，停供服务器DDR4模块，现货价6月一度反超DDR5；NAND减产10%，256 Gb TLC wafer年内涨价40%+。
四、第三章：国产存储技术创新突破，存储产业链迎来发展机遇
长鑫存储DDR5速率8000 Mbps、容量16-24 Gb，2025年DDR5出货占比有望由1%升至7%-9%，全年DRAM出货量+50%；长江存储Xtacking 4.0 QLC 3D NAND第5代量产，三星已签署400+层混合键合专利授权，属国内首次技术出海。国产模组厂2025Q3存货202亿元（+34% YoY），毛利率回升，跟随涨价释放利润。设备端，2025年存储半导体设备市场DRAM 207亿美元（+6.4%）、NAND 137亿美元（+42.5%），国产刻蚀、薄膜、测试厂商订单弹性大。
五、第四章：投资建议
关注三类标的：1）存储原厂——HBM/DDR5涨价+国产替代双逻辑；2）模组厂——库存升值、毛利率修复；3）设备材料——原厂资本开支2026年DRAM 613亿美元、NAND 222亿美元，带动国产设备渗透率提升。
六、第五章：风险因素
中美科技摩擦升级；AI应用落地低于预期；国产技术迭代不及预期；消费电子需求疲软；行业竞争加剧导致价格涨幅低于预期。
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