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市场洞察:2026年Q1各类存储器产品价格预计将持续上涨 | 2026.01.01~01.09

   日期:2026-01-12 14:41:06     来源:网络整理    作者:本站编辑    评论:0    
市场洞察:2026年Q1各类存储器产品价格预计将持续上涨 | 2026.01.01~01.09

MARKET INSIGHTS 

市场洞察

01

Omdia: 2025年车载OLED面板出货量预计3.1M,同比增长11.8%

Omdia数据显示,2025年,全球车载OLED面板出货量有望实现11.8%的同比增长,达到约3.05百万片。尽管出货量持续增加,但随着汽车行业电动化和数字化的推进,OLED的采用速度有所放缓。 

OLED技术的应用正在从初期的可行性验证阶段,逐步过渡到以价值和应用为导向的采用策略。影响OLED渗透的主要因素包括: 

-  汽车市场竞争加剧

-  OEM对成本的敏感度提升

-  部分欧洲汽车厂商的电动车推迟上市

• 柔性与叠层OLED正在重塑驾驶舱设计 

尽管面临挑战,技术的持续进步仍在不断拓展汽车OLED的长期潜力。叠层OLED的量产进一步验证了AMOLED在亮度、寿命、可靠性和性能稳定性方面作为汽车显示技术的可行性。 

-  OEM的需求正逐步从简单采用OLED转向通过差异化设计与功能整合提升整车价值的解决方案。例如,保时捷下一代Cayenne EV就采用了L型中控显示屏,与可切换隐私模式的副驾驶显示屏无缝集成,这一设计由单片不规则形状的盖板贴合两片柔性OLED面板结构实现。此类应用凸显了柔性OLED在定义新一代高端驾驶舱设计中的作用。 

-  随着欧洲汽车制造商持续推出新的电动车平台,柔性OLED正日益被定位为豪华及旗舰车型的重要设计赋能技术。同时,持续的产能过剩与逐步下降的成本预计将提升刚性OLED 的竞争力,支持其在2027年后向中高端车型更广泛渗透。

•  三星显示引领高度集中的车载OLED市场份额 

-  从供应链角度来看,汽车 OLED 市场仍高度集中。预计三星显示依托其刚性 OLED 生产的规模与成本优势,在2025年将占据超过70%的市场份额。京东方(BOE)预计紧随其后,占据低两位数的市场份额

-  展望2026年,新增需求预计主要来自欧洲OEM,三星显示预计将保持其领导地位,而 LG 显示则有望随着更多项目进入量产阶段而提升市场份额。 

车载OLED出货量及预测

信息来源: Omdia,https://mp.weixin.qq.com/s/Oy2v4Lha7LXEvlOpeh_TMA

02

TrendForce:2026年Q1各类存储器产品价格预计将持续上涨

根据TrendForce,2026年第一季由于DRAM原厂大规模转移先进制程、新产能至Server、HBM应用,以满足AI Server需求,导致其他市场供给严重紧缩,预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价将季增55-60%。NAND Flash则因原厂控管产能,和Server强劲拉货排挤其他应用,预计各类产品合约价持续上涨33-38%。

•  DRAM情况

笔电市场高度依赖供应链关系、产品组合、渠道策略与企业客户需求,品牌商若与主要存储器原厂维持长期、稳定的合作,且商务与中高阶产品占比较高,并具备成熟的渠道与价格管理能力,对本轮存储器涨价将有较佳的抵御能力,能维持出货稳定性。

-  PC DRAM:尽管面临整机出货下修,以及可能的降规导致存储器需求成长放缓,但DRAM原厂同时收紧对PC OEM和模组厂的供应,造成部分PC OEM需以更高价向模组厂采购,预计将垫高原厂模组行情,大幅推升PC DRAM价格。

-  Sever DRAM:AI推理带动的Server建置持续驱动美系CSP(云端服务业者)采购,业者2025年底起持续向原厂提前拉货(pull in)或追加Server DRAM需求,更因过往成交纪录、需求展望较佳,获得原厂位元供给的年增幅较大。在原厂库存水位见底的情况下,出货规模成长仅能依赖晶圆厂提升产出,加剧供不应求态势,预期第一季原厂将积极调涨Server DRAM价格,季增逾60%。

-Mobile DRAM:即便在淡季对存储器需求不强,然因Mobile DRAM供给紧缩情况难在短期内改善,且未来数季合约价可能再升高,品牌于第一季维持较强拉货力道。预计LPDDR4X、LPDDR5X皆呈现供不应求、资源分配不均情况,价格走强。

-  Graphics DRAM:因NVIDIARTX 6000系列销售目标下调,和部分PC OEM下修出货规划,需求动能转趋保守。然而,其产能受制程高度重叠的DDR5排挤,供应偏紧带动价格上扬。

在整体DRAM供给紧绷的情况下,Consumer DRAM客户为降低未来缺货风险,愿以较高价格换取原厂第一季的优先供应,但因部分供应商扩产态度谨慎,且后续须保留一定产出给高容量产品,短期仍是供给低于需求,支撑价格上涨。

•  NAND情况

AI引领NAND Flash市场成长,预估2026年Enterprise SSD需求将首度超越手机应用。

-  Client SSD:第一季因预期笔电出货季减,且部分中低端机种出现SSD容量降级以压低BOM Cost情形,影响Client SSD需求。然而,因原厂追求利润最大化,Client SSD供给受Data Center SSD排挤,以高性价比的大容量QLC产品供应最紧,预估第一季Client SSD合约价仍将季增至少40%,涨幅为各类NAND Flash产品之最。

-  Enterprise SSD:由于北美CSP业者加码AI基础建设,2026年全球Server市场将迎来成长高峰,带动Enterprise SSD需求,预期将成为NAND Flash最大应用。然供应商因产能有限,采取获利优先与控制出货策略,供给紧缩格局深化,推升Enterprise SSD价格。

-  eMMC/UFS:因2025年上半年的手机促销已提前消耗买气,加上目前第一季市场处于库存调整期,预估手机出货量将明显季减。即便另一主要应用Chromebook的出货量受惠于政府招标项目而逆势成长,eMMC/UFS需求仍略显疲弱。供给面因原厂产能占比持续缩减,虽有模组厂能舒缓部分压力,整体仍是供不应求。

-  NAND Flash Wafer:因消费类产品、零售市场表现低迷,且历经2025年第四季的激进调涨,预期2026年第一季需求走弱。不过,由于原厂优先将产能投入高毛利产品线,压缩对模组厂的wafer供应,价格持续上涨。

信息来源TrendForce,

https://mp.weixin.qq.com/s/IIkQpi2m_YYVBJ4o7cLeKA?scene=1&click_id=44

03

Omdia:2026年AI推动存储市场需求上涨

一直以来,存储产品市场约占半导体总营收的25%,而其供需与价格历来呈现高度波动的特点。这一市场的增长态势,通常对半导体整体营收格局有着显著影响。如在2000年代初期,DRAM——作为存储产品市场中规模最大的品类——曾实现唯一一次连续三年的同比增长。

此后二十余年间,DRAM市场仅出现过三次营收连续两年增长。值得关注的是,当前趋势显示2025年将成为DRAM营收连续增长的第二年,且据行业预测,这一增长势头有望持续至2029年。

若预测成真,这将成为DRAM乃至整个存储行业前所未有的持续增长周期,深刻影响半导体产业的营收结构与市场预期。

•  推动存储市场此轮涨势的关键因素

存储产品市场正经历一轮前所未有的上升周期。数万亿美元的AI基础设施投资正在形成新资本引擎,推理需求增长和上下文窗口(Context Window)扩展使存储产品(而非算力)成为核心瓶颈。以HBM为中心的生产模式制约着DRAM供应,并使市场保持紧张态势。

-  资本扩张: 公共资本、私人资本与金融资本正形成新型AI生态系统。

主权AI、超大规模云服务商和新云(Neo Cloud)投资形成多源资本引擎。2025-2029年全球8万亿美元的AI基础设施资金使存储产品需求的确定性空前明朗。资本密集度从GPU集群扩展至以存储产品为中心的基础设施。

-  结构性存储产品需求: 推理、上下文窗口和智能体AI重塑存储产品使用方式。

AI需求从训练转向推理(2025年起,超85%的存储产品用于推理)。上下文窗口扩展和智能体AI推动存储产品负载指数级增长(HBM→DRAM→SSD→CXL)。存储产品(而非算力)已成为AI的核心性能瓶颈。

-  供应限制: 以HBM为中心的生产模式限制了传统DRAM的产能增长。

DRAM供应增速(约20%)将持续落后于需求增速(超20%),这一趋势将延续至2026年。供应商优先生产高利润的HBM产品,导致传统存储产品增长放缓。结构性紧张维持高价格水平,推动上升周期延续至2026年。

存储产品市场的长期增长预测

•  AI周期下一阶段的潜在风险因素

-  流动性收缩:AI投资热潮依赖充足资本和低利率水平。货币紧缩可能延缓主权AI和新云(Neocloud)项目融资。

时间节点:新一轮加息周期启动后(预计2026年后)将触发潜在风险。

-  供应扩张:创纪录的盈利水平或触发激进的晶圆厂建设。到2028年,新增HBM/DRAM产能或导致供应过剩。

时间节点:结构性风险取决于三星P4/P5工厂、SK海力士龙仁晶圆厂的扩产进度,美光博伊西新晶圆厂的进展,以及长鑫存储的扩产决策。

-  基础设施瓶颈:芯片生产可更快实现规模化,而基础设施——数据中心和电网建设——却滞后于此。电网扩建周期(3-5年)通常长于数据中心建设或芯片供应周期。在获取电力或输电容量方面的延误可能导致AI项目延期甚至取消。

时间节点:自2026年起,若大规模AI集群面临电力短缺或电网接入延迟,风险将随之显现。

•  2026年,AI需求推动NAND价格上涨40%

NAND价格历来呈现剧烈的周期性波动。2017年达到峰值后,因供应过剩和需求疲软,价格持续下跌至2022年,并于2023年跌至多年低点。2024年的反弹是自2017年以来最强劲的复苏,由供应商削减产能利用率、库存正常化及CSP(云服务提供商)需求激增驱动。鉴于当前处于低位起点且供应条件趋紧,这一上涨趋势将明确延续至2026年。

NAND价格复苏:上涨趋势将持续至2026年

• 2026年,AI将推动SSD与HDD需求增长

-   AI前所未有的数据生成能力推动近线存储需求激增,多模态和智能体AI推理技术预计将带来更强劲的增长。另一方面,在2025年存储层优化已与HBM开发同等重要,成为AI工程领域极具前景的新前沿。由于产能扩张极为有限,预测企业级SSD(ESSD)和企业级HDD(EHDD)的供应紧张局面将持续至2026年年中,短缺状况甚至可能延续至年底。

-  NAND制造商正将产能向企业级SSD转移,但旺盛的需求可能推动SSD价格回升至2022年水平。同时,供应短缺将加速QLC(四层单元)和HAMR(热辅助磁记录)等扩容技术的应用。

-  2026年是QLC ESSD的转折点——并非因为其将作为HDD的替代品,而是由于AI推理应用创造了极具吸引力的使用场景。HDD凭借经验证的可靠性和成本优势,仍是大规模近线存储的首选,承载数据中心超80%的数据容量。

2026年存储市场增长:协作与战略合作伙伴关系是满足AI需求的关键

信息来源:Omdia, https://mp.weixin.qq.com/s/WfNpqwdyA5AXeAL2rxExbg

 
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