何谓NEPCON JAPAN?
亚洲领先电子研发，制造与封装技术展会
作为“电子研发，制造与封装技术”的综合展会，NEPCON JAPAN 随着日本及亚洲电子行业的发展不断成长壮大，至今已走过30多个年头。展会由电子产品制造设备及部件技术展，电子零部件检测设备及开发技术展，电子零部件封装设备及开发技术展，印刷电路展，电子元件及材料展，精密加工技术展等7个专业展会组成。是名副其实的“代表亚洲电子产业”的综合性展览会。NEPCON JAPAN作为了解“未来电子产业”最新技术的绝佳场所而备受业界瞩目，吸引越来越多来自全球的参展商与观展人士汇聚一堂！
展会时间：2024年1月24日-1月26日
展会地址：日本东京有明国际展览中心
展会展位号:东展区 E55-21
四川民承电子有限公司作为参展商之一，将会带着公司最新的产品与技术，优质的服务和保障，诚邀广大客户朋友们前来参观、交流！
SUPER-IGBT结构
工艺：超结
电压：650-900V
电流：30A-75A
封装：TO-247-4L
SUPER-IGBT优势
1.比Trench FS有更高的电流密度，可达450A/cm²——功率密度大，可封更小封装；
2.超结结构引入的P柱提供辅助耗尽作用，提高了器件开关速度——适用高频应用；
3.关断时超结结构的辅助耗尽加速了器件的关断——更低的关断损耗；
4.通过N/P电荷平衡，同耐压等级参杂浓度更高，通态压降低——更低的饱和压降；
5.强壮的短路特性，短路耐受时间可达5~10us；短路电流可达400A；
6.高可靠性，极低的高温漏电；
7.产品结温175℃。
SUPER-IGBT产品类别
SUPER-IGBT 75A 650V有两种版本：
开关损耗更小的快版；导通损耗更小的慢版。
民承SUPER-IGBT产品推荐：
展会宣传单
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MC—Power Semiconductor
四川民承电子有限公司成立于2017年，现位于成都电子科大科技园，公司致力于功率器件的设计销售和应用服务。
公司开发出独具特色的高性能、高可靠性的全系列中高压超结SJ-MOSFET，中压SGT MOSFET；新一代SUPER-IGBT和第七代Trench FS IGBT；以及车规级的高压SiC MOSFET/SBD。
应用在工业电源、光伏逆变、MPPT、直流充电桩、车载OBC、UPS和锂电池保护BMS等领域。
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