第一章　存储芯片基本概念与战略定位

1.1　存储芯片的定义与技术分类

1.1.1　存储芯片的基本定义与技术本质

存储芯片，又称半导体存储器，是以半导体集成电路为媒介实现数据存储的电子器件。与传统的磁性存储（如机械硬盘HDD）和光学存储不同，存储芯片内部没有任何机械运动部件，数据的读写完全依靠电子在半导体电路中的移动来完成。这一本质差异决定了存储芯片在读写速度、功耗、体积和抗震性等方面具备传统存储介质无法比拟的先天优势——其读写延迟可从机械硬盘的毫秒级降至纳秒级，速度提升两到三个数量级，功耗则显著降低。

从物理实现来看，存储芯片由大量重复的存储单元（位元格）以及配套的输入输出电路、控制逻辑等构成。每一个存储单元能够表征二进制的一位信息——“0”或“1”，数以亿计的存储单元通过精密的半导体工艺集成在指甲盖大小的硅片上，构成了现代信息系统的数据底座。正因如此，从智能手机、个人电脑到数据中心服务器，从汽车电子到工业控制系统，存储芯片几乎无处不在，其重要性不亚于负责计算的CPU和GPU。

1.1.2　易失性与非易失性存储器的划分逻辑

存储芯片最根本的分类依据，是断电后数据是否能够保留。据此可将存储芯片划分为易失性存储器和非易失性存储器两大阵营，二者并非优劣之分，而是基于功耗、速度、密度与数据保持需求所形成的互补性技术路径。

易失性存储器以DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器）为代表。其核心特征在于：存储单元依赖持续供电维持数据状态，一旦断电，数据即刻丢失。DRAM的每个存储单元由一个电容和一个晶体管构成（1T1C结构），通过在电容中存储电荷来表示“0”和“1”。由于电容存在天然漏电现象，DRAM必须周期性地进行刷新操作以维持电荷——这一过程由内存控制器自动调度，通常每64毫秒执行一次。SRAM则采用六晶体管锁存电路构成存储单元，无需刷新，响应速度更快（可达纳秒级），但单元面积大、成本高，通常被集成于CPU内部作为L1/L2/L3高速缓存使用。DRAM凭借结构简单、成本相对较低的优势，成为计算机主内存的主力，广泛应用于DDR、LPDDR、HBM等产品形态中。

非易失性存储器则以NAND Flash和NOR Flash为代表。其技术核心在于利用特殊的物理结构实现电荷的长期束缚——以NAND Flash为例，它通过浮栅晶体管来存储电荷，向浮栅中注入或释放电荷来表示不同的数据状态，由于电荷可以在浮栅中长时间保持，断电后数据仍可稳定保存（通常可达数年甚至更久）。NAND Flash具备极高的存储单元密度，且写入和擦除速度相比NOR Flash快得多，是大容量数据存储的理想解决方案；而NOR Flash则具备更快的读取速度和芯片内执行（XIP）能力，适用于小容量代码存储场景。

从系统层面看，现代计算体系采用分层存储架构：CPU寄存器→SRAM缓存→DRAM主存→NAND SSD/硬盘，形成速度递减、容量递增、成本递降的金字塔结构。易失性存储器充当计算系统的“高速工作台”——数据在此被CPU直接寻址和高速读写；非易失性存储器则充当“海量数字仓库”——负责数据的长期保存。两者各司其职、协同配合，共同构成了完整的存储体系。

图表1　存储芯片分类体系一览

资料来源：九思行研

图表2　DRAM与NAND Flash核心技术对比

资料来源：九思行研

1.2　存储芯片的战略价值

1.2.1　从基础元器件到战略资源的角色演变

过去几十年，存储芯片长期被视为电子设备的“成本项”——是BOM表（物料清单）中的一个普通元器件，其价格波动被行业归结为典型的“硅周期”现象。然而，这一认知正在被彻底颠覆。随着AI时代的到来，存储芯片迎来了真正意义上的“时代拐点”，从BOM表的成本项上升为AI计算的战略资源，从周期性产品变成数字经济的核心竞争力。

这一转变的深层驱动力，在于AI时代数据生成方式的根本性变化。相比过去由用户写文档、拍照、拍视频所产生的人类数据，当前及未来由海量大模型的多模态参数所不间断生成的数据规模，带来了远超想象的存储空间需求。在数据中心这一AI算力基础设施上，存储配置正经历大幅升级——单个通用服务器的存储需求通常包括512GB至1TB的DDR5及4TB以下的企业级SSD，而AI服务器的DDR5需求可达1.5TB至4TB，企业级SSD需求为4TB至8TB并正向8TB至16TB提升，此外还需配备HBM。大模型的训练、推理、微调以及多模型应用等每一个环节，都将存储的带宽和容量需求拉到了极致。

如今，存储芯片的重要性已超越了单纯的经济范畴，上升到了国家战略层面。数据已成为国家基础性战略资源，数据的规模和质量是人工智能发展的关键，而先进存力作为数据的核心底座，其重要性愈发凸显。存力已被视为数字基础设施的核心组成部分，是数据要素存储、流通、应用的基础支撑，是释放数字经济价值的关键底座。AI算力的真实效率从来不是由单点决定的——芯片再强，如果存储跟不上、网络拥塞、散热不足，最终都可能变成“跑不满的纸面算力”。

图表3　存储芯片战略价值演变历程

资料来源：九思行研

1.2.2　对科技自主可控与数据安全的影响

存储芯片的战略价值还深刻体现在其对科技自主可控与数据安全的影响上。存储芯片承载着从个人隐私到企业核心数据、从政务信息到国防机密的全量数据，其供应链安全和产品安全性直接关系到国家数据主权和产业安全。

从供应链安全角度看，存储芯片产业具有极高的技术壁垒和资本壁垒——DRAM市场由三星、SK海力士、美光三大厂商垄断，CR3超过90%；NAND市场同样由少数几家国际巨头主导。这种高度集中的供给格局意味着，任何一个环节的供应中断或贸易管制，都可能对下游终端产业乃至关键基础设施造成系统性冲击。近年来，美国对华技术出口管制持续加码，对先进制程DRAM制造设备及高端AI芯片相关产品实施出口限制，直接影响了中国存储产业的扩产节奏和高端产品获取能力。在此背景下，存储芯片的自主可控能力已成为衡量一国产业安全水平的重要标尺。

从产品安全角度看，存储芯片作为数据存储的最终载体，其安全性直接关系到数据的机密性、完整性和可用性。非国产芯片中可能存在的未知安全漏洞或后门风险，构成了数据安全的潜在隐患。正因如此，推进存储芯片的自主可控发展，不仅是产业升级的需要，更是保障国家数据安全的必然要求。值得关注的是，国产存储产业链的自主可控能力正在持续增强——根据《2025存力发展报告》，国产存储在介质、芯片与系统层面已实现三级突破：QLC芯片单晶粒容量已达2Tb，头部云服务商完成了从控制器、分布式存储到整机的垂直整合。

1.2.3　全球主要经济体的战略布局共性

存储芯片战略价值的上升，在全球范围内引发了主要经济体的战略性布局竞赛。尽管各国采取的具体路径不尽相同，但一个清晰的共性特征已经浮现——存储芯片已被普遍视为关乎国家经济安全和科技竞争力的战略制高点，各国政府正以前所未有的力度介入这一产业的资源配置。

美国通过《芯片与科学法案》构建了系统性的产业干预框架，总额约2800亿美元，其中约527亿美元为直接补贴。美光科技成为存储领域最大的美国受益者——已获得61.65亿美元直接资金支持，并宣布了庞大的本土投资计划，先后披露1000亿、2000亿及超2500亿美元的投资计划，目标将约40%的DRAM产量放在美国本土。美国商务部设定的目标是到2035年实现约10%的先进DRAM本土生产，而2022年这一比例几乎为零。

韩国则在加码巩固霸主地位。2026年6月，韩国政府公布半导体投资计划：三星电子和SK海力士将在西南部投入约800万亿韩元（约5180亿美元）建设四座晶圆厂；同时在忠清地区投入81万亿韩元（约3564亿元人民币）建设先进封装集群。韩国计划五年内将DRAM产能翻倍。

日本采取“借力突围”策略，向美光广岛工厂提供总额5360亿日元（约36.3亿美元）补贴，其中5000亿日元用于支持1.5万亿日元的工厂扩建，目标量产下一代DRAM。日本还计划到2029年向半导体企业提供约5万亿日元（约338亿美元）补贴。

中国则将存储芯片纳入顶层战略设计。“十四五”规划将其列为核心攻关领域。《算力基础设施高质量发展行动计划》明确提出，到2025年先进存储容量占比达30%以上。存储芯片已被纳入《国家数据基础设施建设指引》等国家级战略文件，构建了全方位支持体系。2025年9月，工信部等联合印发《电子信息制造业2025-2026年稳增长行动方案》，明确支持先进存储等前沿技术方向。

综合来看，存储芯片已不再是单纯的工业元器件，而是大国科技博弈的核心筹码。从美国的CHIPS法案到韩国的万亿级投资计划，从日本的巨额补贴到中国的顶层战略设计，全球主要经济体正在用真金白银和战略规划宣告：谁掌握了存储芯片的自主能力，谁就掌握了数字时代的主动权。这一战略共识，构成了理解当前及未来存储芯片行业走向的最重要宏观背景。

图表4　全球主要经济体存储芯片战略布局对比

资料来源：九思行研

第二章　国内外存储芯片市场发展分析

2.1　全球存储芯片市场总体状况

2.1.1　全球市场规模及增长态势

根据美国半导体行业协会（SIA）数据，2021-2025年全球存储芯片销售额呈现典型的周期性波动特征。2021年受益于全球芯片短缺，存储芯片销售额达1538亿美元的历史高位。随后两年因产能过剩和需求疲软，2022-2023年连续下滑至923亿美元。2024年起，在AI算力需求爆发驱动下，存储芯片市场强势复苏，2024年销售额同比增长78.9%至1651亿美元，2025年进一步增长34.8%至2231亿美元，创历史新高。

图表5　2021-2025年全球存储芯片市场规模变化

数据来源：SIA，九思行研整理

2.1.2　全球供需格局的阶段性特征

本轮存储芯片的超级周期，与传统“硅周期”有着本质区别。过去几十年，存储芯片市场遵循着“需求增加－扩产－供过于求－减产－价格回升”的周期性波动。然而，当前由AI驱动的这一轮景气周期，并非简单的供需错配，而是AI算力需求爆发带来的结构性、持续性缺口。

从需求端来看，生成式大模型及AI智能体加速落地，直接拉动AI服务器需求量级跃升。AI服务器单台所需存储容量是传统服务器的8至10倍。服务器内存市场规模已从2017年的600亿美元膨胀至2025年的4490亿美元，增幅超过7倍。服务器在DRAM总需求中的占比已从2017年的16%攀升至2025年的约50%。同时，智能汽车、端侧AI手机、物联网设备需求回暖，拉动NAND Flash、通用DRAM采购量稳步走高，全品类存储需求全面放量。2026年服务器DRAM占比预计将超过50%，服务器NAND Bit需求预计大增超60%并首次成为最大应用。

从供给端来看，三星、SK海力士、美光把持全球九成以上存储产能。经历此前行业下行亏损后，厂商大幅削减DDR4等普通存储产线，超85%先进制程产能转向高毛利HBM、DDR5产品。传统消费级存储产能持续收缩。产能扩张亦面临瓶颈——新厂房建设周期至少要三年，现有洁净室空间优先供给HBM。单片HBM消耗的晶圆面积是常规DRAM的3到4倍。2017至2018年三大DRAM厂的常规DRAM产能复合增速为12%，而2026至2030年预计只有7%至8%。

供需矛盾正在进一步加剧。高盛2026年5月31日发布的研究报告指出，DRAM的供需缺口从之前预期的2026年4.9%、2027年2.5%，大幅修正为2026年5.0%、2027年5.9%、2028年3.9%；NAND也从4.2%、2.1%修正为4.4%、4.6%、3.0%。高盛预计，到2027年传统DRAM、NAND和HBM的供需状况都将较2026年更为紧张，且这种紧张态势将持续至2028年。近期原厂已抢先完成2027全年产能分配谈判，三大原厂的DRAM与HBM产能均提前售罄。本轮存储涨价属于典型的AI驱动的结构性红利，区别于过往由消费电子周期性补库驱动的传统行情。

图表6　2026-2028年全球存储芯片供需缺口

注：该统计数据来自于高盛2026年5月31日发布数据，后续或有修正。

数据来源：高盛，九思行研整理

2.1.3　全球市场价格走势与波动逻辑

2025年至2026年，存储芯片价格经历了近十年来最为猛烈的上涨周期。据TrendForce数据，2025年全年DRAM合约价涨幅高达386%。进入2026年，涨价趋势进一步加速——2026年第一季度DRAM合约价环比上涨93%至96%，NAND合约价环比上涨85%至90%。2026年第二季度，DRAM合约价在2026Q1基础上继续上涨58%至63%，NAND合约价继续上涨70%至75%。从2025年第一季度至2026年第二季度，DRAM合约价累计涨幅超过300%，NAND Flash合约价累计涨幅超过250%。

进入2026年第三季度，涨价幅度有所放缓但仍保持上涨态势。据TrendForce存储器价格调查报告，2026年第三季度一般型DRAM合约价预计将环比上涨13%至18%，NAND Flash合约价环比上涨10%至15%。在合约价攀至新高的情况下，PC、智能手机等消费端客户承受力达到极限，促使整体价格涨幅缩减。TrendForce报告指出，AI推理系统和超大规模数据中心的需求依然强劲，足以让DRAM和NAND供应持续受限。

价格波动的驱动逻辑可以从供需两侧加以拆解。在需求侧，AI大模型训练与推理的持续扩张是根本驱动力——HBM被英伟达、谷歌、微软等科技巨头提前锁定全年产能。在供给侧，存储厂商继续将产能转向利润率更高的服务器产品，导致可分配给消费类存储的产能减少，即便PC和智能手机需求走弱，价格也难以下跌。据Gartner预测，2026年存储芯片价格将比2025年上涨130%，这将直接导致PC和智能手机价格分别上涨17.3%和13%，PC和智能手机出货量预计将分别下降10.4%和8.4%。

图表7　2025-2026年存储芯片价格涨幅关键节点

数据来源：TrendForce，九思行研整理

2.1.4　全球市场产品结构及变化趋势

在存储芯片的两大主力品类中，DRAM的市场规模长期高于NAND Flash，且这一差距在2025至2026年进一步拉大。据CFM闪存市场数据，2025年第四季度全球DRAM市场规模达519.65亿美元，NAND市场规模为235.45亿美元；全年来看，2025年全球DRAM/NAND Flash市场规模同比增长32.7%至2215.91亿美元。进入2026年第一季度，全球DRAM/NAND Flash市场规模进一步攀升至1371.4亿美元，环比增长81.6%，同比增长245%。

产品结构的深层变化，是理解这一轮市场扩张的关键。服务器正全面取代手机和PC，成为存储需求的第一大应用市场。在DRAM领域，据CFM闪存市场分析，2026年服务器DRAM（含HBM）占比已突破50%。在NAND领域，2026年服务器NAND占比首超手机至37%。CFM闪存市场在2025年底即已明确指出，2026年企业级SSD将首次超过智能手机，成为NAND需求占比第一的应用市场，服务器DRAM和HBM合计需求将占DRAM市场的50%以上。这一结构性变化是存储产业历史上的重要转折点——过去二十余年，智能手机始终是存储芯片最大的需求来源，而今AI算力基础设施的扩张正在彻底改写这一格局。

HBM的崛起是产品结构变化的另一关键变量。HBM作为专为AI加速器设计的高性能DRAM，正在以前所未有的速度改变DRAM市场的产值结构。据CFM闪存市场分析，在AI算力爆发与数字化转型的双重驱动下，HBM、DDR5、LPDDR5X等高附加值产品持续紧缺。HBM4预计于2026年下半年正式超越HBM3e系列产品成为市场主流。在供应端，存储原厂扩产谨慎、库存处于历史低位，供给增速滞后于需求。存储原厂持续将最先进产能优先投向高毛利的AI存储产品，成熟制程和消费级产能被持续挤压，供给格局从“规模优先”向“价值优先”转变。

在NAND Flash领域，企业级SSD正在成为需求增长的核心引擎。据CFM闪存市场数据，2026年第一季度全球NAND Flash市场规模达428.15亿美元，企业级SSD需求倍增并仍在加速。尽管消费类需求出现疲软迹象，但不改整体供不应求的局面，推动NAND Flash均价环比大幅上涨。CFM闪存市场预计2026年全球服务器出货中AI服务器占比将达20%，AI推理更是驱动企业级SSD成为2026年NAND最大应用市场。与此同时，由于产能优先保障服务器市场出货，移动终端及PC市场的供应受限局面进一步加剧，客户为避免因存储短缺而中断生产，纷纷积极锁定产能资源。

图表8　2025-2026年全球DRAM/NAND Flash市场规模

单位：亿美元

数据来源：CFM闪存市场，九思行研整理

2.2　中国存储芯片市场现状与地位

2.2.1　中国市场规模及增长态势

中国是全球最大的存储芯片消费市场，且在全球市场中的份额正在急剧攀升。据Omdia《2026年第二季度半导体应用领域市场预测工具（AMFT）-中国地区》报告，2026年中国半导体市场预计同比增长率将大幅上修至92.9%，达8120.8亿美元。其中，2026年中国存储芯片市场规模将达到4496亿美元，同比增长262.9%，市场份额从2025年的29.4%跃升至2026年的55.4%，预期未来仍然保持在半数以上的市场份额。与之相对应的全球存储芯片市场，2026年总体规模预计为8864亿美元，存储芯片占总体半导体市场规模54.8%。

2.2.2　中国本土供给能力与进出口贸易格局

中国存储芯片的本土供给能力正在快速提升，但整体自给率仍然偏低。2026年国产存储芯片国产化率预计提升至20%，自给率目标2026年达25%以上、2027年迈向30%至40%。中国作为全球最大的DRAM消费市场，占全球消费量的42%，但自给率长期不足5%。先进制程与高端HBM领域仍高度依赖进口。

在进出口贸易方面，中国存储芯片出口增长迅猛。据中国海关总署数据，2026年1-6月，集成电路（海关编码：8542）出口金额为177564.77百万美元，其中存储器（海关编码：854232）出口共计122934.64百万美元，占集成电路出口总额的69.23%。存储芯片已超过自动数据处理设备成为最大出口商品。

从进口端来看，据中国海关总署数据，2026年1-6月，集成电路（海关编码：8542）进口金额为298461.51百万美元，其中存储器（海关编码：854232）进口共计145251.03百万美元，占集成电路出口总额的48.67%。韩国仍是中国存储芯片最大的进口来源国。值得注意的是，存储芯片出口的爆发式增长，反映了中国存储模组制造能力的显著提升——出口产品多为经过模组加工的成品，附加值高于进口的存储晶圆和裸片。

图表9　2026年集成电路进口类别统计

数据来源：中国海关总署，九思行研整理（2026年1-6月）

图表10　2026年集成电路出口类别统计

数据来源：中国海关总署，九思行研整理（2026年1-6月）

2.2.3　中国市场的需求结构与应用特征

中国存储芯片市场的需求结构正在经历从消费电子主导向“AI服务器+端侧AI”双轮驱动的深刻转变。

在消费电子领域，智能手机和PC仍然是中国存储芯片最大的基本盘，但其对需求增量的贡献正在边际递减。在服务器领域，AI算力投资正在成为拉动中国存储芯片需求的最强劲引擎。中国头部云服务商和互联网企业大规模部署AI基础设施，对高密度DDR5、企业级SSD和HBM的需求呈现爆发式增长。2026年服务器DRAM占比预计将超过50%，服务器NAND Bit需求预计大增超60%并首次成为最大应用。

在政策层面，中国政府持续加码对存储芯片产业的支持。“十五五”规划将集成电路列为十大新产业新赛道榜首，明确推进存算一体、三维集成等先进封装与架构创新。国家大基金三期注册资本3440亿元，超过一期与二期总和，重点加码HBM高端存储、先进封装等短板环节。国资委2026年部署要求中央企业和地方国企2027年底前完成包括存储芯片在内的全栈国产化替代。2026年上半年，国家相关部委出台系列扶持举措，聚焦高端存储芯片、先进封装、存算一体等核心技术攻关。

2.2.4　中国市场价格走势与成本驱动因素

中国存储芯片市场的价格走势与国际市场高度联动。据集邦咨询存储器价格调查报告，2026年第二季度一般型DRAM合约价格较上一季度增长58%至63%。预计2026年全年存储器市场仍将维持结构性紧缺。

存储芯片价格的持续上涨正全面传导至中国消费电子终端市场。2026年以来，从手机到电脑，消费电子市场正经历一轮由存储芯片驱动的全面涨价。OPPO、vivo、苹果、微软等主流品牌先后调价，主流中端手机机型普遍提价300至1000元，部分专业数码产品涨幅超过3000元。过去连续多个季度内存储芯片累计涨幅近4倍，2026年以来手机、PC、智能相机等产品已持续将存储硬件成本压力传导至产品售价中。然而，消费电子的目标客群本身对价格高度敏感，各终端厂商只能分批次调涨。对于价格高度敏感的中低端手机市场而言，存储成本高企直接推高了终端售价，显著抑制了消费者的存量换机及新机升级意愿。

从成本驱动因素来看，中国市场的存储芯片价格受多重因素共同影响。首先是全球供需基本面——全球存储芯片的供不应求直接推高了进口成本。其次是地缘政治因素——美国对华技术出口管制增加了供应链的不确定性。第三是国内产能的释放节奏——随着长江存储和长鑫存储产能的逐步爬坡，本土供给的增加在一定程度上缓解了国内市场的供需紧张，但短期内难以扭转整体供不应求的格局。

2.2.5　中国在全球存储价值链中的位势变迁

从消费份额来看，中国已成为全球存储芯片最大的单一市场，2026年全球存储芯片总体规模预计为8864亿美元，中国存储芯片预计占总体市场规模50.7%（Omdia数据）。这一地位短期内难以被撼动——中国庞大的电子产品制造能力和不断增长的AI算力投资，确保了其对存储芯片的持续旺盛需求。

从产能占比来看，中国在全球存储芯片产能中的比重正在稳步提升。在NAND领域，据Counterpoint Research数据，2026年第一季度全球NAND闪存市场营收达到460亿美元，市场规模环比接近翻倍。长江存储的全球市场份额已攀升至约13%（Counterpoint数据口径）。在企业级SSD需求激增的背景下，NAND市场总量中企业级SSD已占据43%。在DRAM领域，长鑫存储2026年第一季度全球DRAM市场份额达7.7%，排名全球第四。

从技术代际来看，中国与世界领先水平仍存在一定差距。在3D NAND领域，长江存储凭借Xtacking架构实现了267层量产，与国际领先的300+层基本处于同一代际；但在HBM领域，中国尚处于追赶阶段，与国际巨头存在较大差距。在先进制程设备获取方面，美国对华技术管制持续加码，对128层以上3D NAND设备及先进制程DRAM制造设备实施出口限制，构成了中国存储产业技术追赶的最大外部约束。

综合来看，中国在全球存储价值链中的位势正在发生深刻变化——从“最大买家”向“重要产能基地”转型的进程已经加速，市场份额的急剧跃升是最直观的体现。但距离真正的“技术引领者”仍有相当距离，这一转型的深度和速度，将在很大程度上取决于国内企业在HBM等高端产品领域的突破进度，以及设备、材料等上游环节的自主化程度。

第三章　国内外存储芯片主要细分市场分析

3.1　DRAM细分市场发展分析

3.1.1　标准DRAM市场的发展现状

2025年，全球DRAM/NAND Flash市场规模首次突破2000亿美元，达2215.91亿美元，同比增长32.7%。进入2026年，DRAM市场迎来更猛烈的扩张。据TrendForce数据，2026年全球DRAM产值将达6187亿美元，同比增长303%；预计2027年进一步成长至9033亿美元。增长虽由HBM主导，但标准DRAM同样受益于价格上涨与服务器需求扩张。

三大原厂将70%至90%先进产能转向HBM和DDR5，DDR4产能被压缩至两年前的四分之一。三星于2026年4月正式停止接收LPDDR4/4X新增订单，并逐步停产DDR4系列产品；SK海力士将产能压缩至20%左右；美光正式发函通知停产，仅保留车用、国防等长生命周期市场的稳定供应。供给锐减推动价格飙升——截至2026年6月，DDR4 8Gb现货价升至29.08美元，主流型号合约价约20美元，摩根士丹利预计供不应求将持续至2028年。

DDR5方面，截至2026年6月底，DDR5 16Gb现货均价约46.7美元，合约价约37.5美元。64GB RDIMM服务器内存合约价从2025年第四季度的450美元飙升至2026年第一季度的900美元以上。LPDDR方面，AI服务器正大量抢占LPDDR内存资源，仅英伟达Vera Rubin机架在2027年的LPDDR需求量（60.41亿GB）即超过苹果与三星两家手机业务总和（约57亿GB）。TrendForce预测，2026年第三季度DRAM合约价仍将环比上涨13%至18%。云服务商为确保供货已开始签订一至二年长期协议，存储定价权正从消费电子厂商向云服务商和AI公司转移。

3.1.2　DRAM市场的企业竞争态势

DRAM市场长期由三星、SK海力士、美光三大巨头垄断，三者合计占据全球90%以上的市场份额。但2026年第二季度，这一格局出现了显著变化。

据Counterpoint Research发布的《2026年第二季度全球内存追踪报告》，三星电子以39%的市场份额重返全球DRAM市场第一，结束SK海力士此前领先的局面。相比之下，尽管SK海力士的季度营收同比增长高达214%，但其市场份额由2025年第二季度的39%降至2026年第二季度的26%。美光同样取得了较好的季度业绩，以25%的市场份额紧随其后，几乎可以与SK海力士争夺第二的位置。

这一份额变动的背后，反映出各厂商在HBM和通用DRAM之间战略取舍的差异。三星受益于通用DRAM涨价及HBM业务的双重扩张，市场份额恢复至2024年水平。SK海力士虽然营收创下新高，但由于HBM均价下滑及早期长期协议（LTA）锁价的影响，份额明显承压。美光则在HBM4的量产和通用DRAM市场之间找到了较好的平衡点，份额稳步提升。

值得关注的是，中国长鑫存储正在以惊人的速度崛起。据Counterpoint Research报告，按比特出货量计算，长鑫存储已占据全球DRAM市场约7%的份额，位列全球第四。2026年第二季度，长鑫存储营收同比增长716%。Counterpoint Research预计长鑫存储到2028年份额将提升至约11%。长鑫存储的份额在2026年有望超过10%。随着IPO融资推进及产能持续扩张，长鑫存储正在成为全球DRAM市场不可忽视的“第四极”。

图表11　2026年全球DRAM市场份额

数据来源：Counterpoint Research，九思行研整理（2026年第二季度）

3.1.3　HBM市场的爆发式增长与技术迭代

HBM是这一轮存储超级周期中当之无愧的主角。作为专为AI加速器设计的高性能DRAM，HBM通过TSV硅通孔技术将多颗DRAM Die垂直堆叠，实现了远超传统内存的带宽和能效，成为AI训练与推理中不可或缺的核心组件。

HBM市场的增长轨迹令人瞩目。SEMI指出，2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成。摩根士丹利报告显示，2026年HBM的消耗量将达到320亿GB，英伟达是最大的采购方，单颗HBM3E 12-Hi的价格超过1500美元。TrendForce则预计2026年HBM市场总出货量将突破300亿GB。

HBM的技术迭代同样在加速推进。HBM4是当前行业竞争的焦点。2026年上半年，三大原厂围绕HBM4的量产展开了一场激烈的竞速赛。三星电子于2026年2月12日宣布第六代高带宽内存（HBM4）量产上市，开创全球先河。三星电子原计划在春节假期之后启动HBM4量产，但经与合作公司协商，将相关计划提早一周落实。SK海力士亦同步启动供应，双方同步进入该产品的商业化交付阶段。SK海力士将量产时间调整至3至4月。美光科技专为NVIDIA Vera Rubin平台设计的12层堆叠36GB HBM4已于2026年第一季度量产出货，带宽超过2.8TB/s。美光已向客户送样16层堆叠48GB HBM4。预计HBM4的市占率将随着供应商持续放量而逐季提高，于2026年下半年正式超越HBM3e系列产品成为市场主流。

在HBM4的竞赛尚未分出胜负之际，下一代产品HBM4E的竞速已经开启。三星HBM4E样品预计于2026年下半年开始发放，定制HBM样品将于2027年根据客户规格陆续交付。SK海力士则计划在2026年下半年开始向客户提供HBM4E样品，并于2027年实现量产。美光预计最晚将于2026年下半年交付HBM4E样品。

图表12　HBM技术代际演进路线

资料来源：九思行研

3.1.4　HBM赛道的技术竞赛与产能博弈

HBM赛道的竞争是当前DRAM行业最核心的博弈焦点。据TrendForce 2026年6月的HBM市场快讯，三大HBM4原厂验证进度出现分歧——三星领先出货带动市占大幅提升，SK海力士因延迟下修出货，美光影响有限。英伟达已确认三星、SK海力士、美光三家均为HBM4供应商。

在产能端，HBM正在以前所未有的速度吞噬DRAM的晶圆产能。据TrendForce截至2026年1月的数据，三大原厂HBM总产能已突破35.5万片晶圆/月，占全球DRAM总投片量的比例从两年前的8%激增至23%。TrendForce估计，三大原厂2025至2027年HBM投片量占整体DRAM投片量的比例分别为18%、22%及约30%（以每年年底投片量计算）。更值得关注的是，HBM生产所需晶圆面积约为标准DDR5的3倍——这意味着HBM虽只占DRAM bit供给约9%，却吃掉了约22%的晶圆产能。每增加一片HBM产能，就会挤占数片通用DRAM的产能空间。

尽管三大原厂已将70%的新增或可调配产能倾斜至HBM，但HBM产能缺口仍达50%至60%。三大原厂的DRAM与HBM产能均提前售罄。HBM产能的稀缺性正在产生强烈的外溢效应——由于产能被HBM大量挤占，通用DRAM（DDR4、DDR5）的供给持续紧张，价格随之全面上涨，紧缺甚至一路外溢到DDR3、DDR2等更老旧的品类。

图表13　HBM占DRAM投片量与bit供给比重变化

数据来源：TrendForce集邦咨询，九思行研整理

3.1.5　HBM对DRAM市场结构的重塑效应

HBM的崛起正在从根本上改变DRAM市场的产业结构，其影响之深远不亚于当年智能手机对DRAM需求的拉动。

首先，HBM正在大幅提升DRAM的整体产值和均价。HBM的高单价（单颗HBM3E 12-Hi价格超过1500美元）显著拉高了DRAM的平均售价。据TrendForce数据，2025年全年DRAM价格涨幅高达386%。DRAM平均售价上涨的动力几乎全部来自HBM产品——传统DRAM合约价则呈现个位数缓跌。HBM正在将DRAM从一个“量增价跌”的大宗商品行业，转变为“量价齐升”的高端制造行业。

其次，HBM正在重塑DRAM的产能分配逻辑。在传统周期中，DRAM厂商根据市场需求灵活调配产能。而在HBM时代，由于HBM生产所需晶圆面积约为标准DDR5的3倍，且需要更先进的制程和封装技术，厂商不得不将最优质的产能优先分配给HBM。这意味着通用DRAM的供给将长期处于被挤压状态，其价格将更多地反映“剩余产能”的供需关系，而非整体市场的供需平衡。

第三，HBM正在改变DRAM行业的竞争重心。过去，DRAM厂商的竞争焦点在于制程微缩（从1xnm到1ynm再到1znm）和单位bit成本下降。如今，竞争的重心已经转移到HBM的堆叠层数、带宽、功耗和量产良率上。谁能在HBM的技术迭代中领先，谁就能占据DRAM行业的价值制高点。2026年HBM4的量产竞赛，正是这一趋势的集中体现。

SEMI指出，2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成。HBM已成为DRAM行业最大的单一价值贡献者，其对DRAM市场结构的重塑效应才刚刚开始显现。

3.2　NAND Flash细分市场发展分析

3.2.1　3D NAND层数演进与架构创新

与DRAM通过制程微缩提升性能不同，NAND Flash的性能提升主要依靠三维堆叠——通过垂直增加存储单元的层数来提升存储密度和降低单位成本。这场“层数竞赛”在2025至2026年进入了白热化阶段。

从全球领先厂商的量产进度来看，SK海力士凭借321层第九代V-NAND闪存量产，在层数上暂时领先。长江存储基于Xtacking 4.0架构的294层3D TLC NAND芯片已实现量产，良率稳定在90%以上。三星目前量产的最高层数为286层。美光为276层。铠侠与西部数据联合研发的产品停留在218层。300+层在2026年已属于全球最先进量产梯队，能够达到这一水平的仅有SK海力士、长江存储、铠侠等少数厂商。

在更前沿的技术探索上，三星电子已率先在全球范围内完成了900层V-NAND原型技术的研发，主要依托单元多重键合（CMB）工艺，将两片450层存储单元晶圆进行键合，从而构建出900层的整合系统。铠侠则正式将第十代BiCS10 3D NAND闪存的量产列为2026财年（2027年3月止）的首要战略重点，采用332层单元堆叠架构，相比现款218层的BiCS8增加约52%，密度提升高达59%。

在架构创新方面，长江存储的Xtacking架构是近年来最引人注目的突破之一。该技术将存储单元阵列与外围逻辑电路分开制造，再通过混合键合工艺垂直连接，从而突破了传统3D NAND在存储密度和I/O速度上的瓶颈。随着层数的持续攀升，深孔刻蚀的深宽比已达到90：1至100：1的极高难度，工艺挑战日益严峻。混合键合、串堆叠等新架构正在成为突破物理极限的关键手段。

3.2.2　企业级SSD市场的爆发与需求拆解

如果说HBM是DRAM市场的“皇冠明珠”，那么企业级SSD就是NAND Flash市场的“增长引擎”。

据Counterpoint Research数据，2026年第一季度全球NAND闪存存储市场营收达到460亿美元，市场规模环比接近翻倍，同比增长至2025年同期的3.5倍。其中，面向数据中心服务器的企业级SSD需求激增，在2026年第一季度已占据NAND市场总量的43%，预计到2026年底将超过60%。这一数据意味着，企业级SSD正在取代智能手机，成为NAND Flash最大的单一应用市场。

从出货容量来看，TSR预测2026年数据中心用企业级SSD出货容量将达到525EB，同比增长100%。摩根士丹利调研显示，2026年6月数据中心企业级SSD出货容量为46.33EB，同比增长124.5%。企业级SSD需求的爆发式增长，核心驱动力来自AI基础设施的持续扩张——从AI训练到AI推理，从大模型部署到Agentic AI应用，每一个环节都在创造海量的数据存储需求。

AI推理正在成为企业级SSD需求的新增长极。与AI训练阶段主要依赖HBM的高带宽不同，AI推理阶段需要存储海量的推理结果、KV Cache和模型参数，对SSD的容量和读取性能提出了更高要求。据TrendForce分析，AI推理系统和超大规模数据中心的需求依然强劲，足以让NAND供应持续受限。

3.2.3　NAND单元类型的渗透与企业选择

NAND Flash的单元类型从SLC（1bit/单元）到MLC（2bit）、TLC（3bit）、QLC（4bit），每一代都在提升存储密度、降低单位成本，但同时也牺牲了写入速度和耐用性。在AI驱动的企业级SSD需求爆发的背景下，QLC NAND的渗透正在加速。

据TrendForce数据，QLC SSD在企业级市场的渗透率预计2026年将达到30%。在AI推理场景中，QLC SSD替代HDD的速度远超预期——当HDD的交期已延长至52周，且每GB成本优势被功耗和机柜空间成本侵蚀时，QLC SSD的“每瓦性能密度”优势开始凸显。QLC的每晶粒储存容量较TLC高出33%，能够大幅降低存储巨量AI数据集的单位成本。

从实际部署来看，QLC在企业级温存储场景的渗透率在2026年第一季度已达到28%，预计2030年将超过55%。所有主要供应商均预期在企业级SSD领域实现同比两位数增长。

在更长远的技术路线上，PLC（每单元5比特）技术已进入工程验证阶段，部分厂商计划在2028年前后推出商用样品，这将进一步拉低每GB成本，但也会对写入耐久度和纠错算法提出更严苛的要求。

3.2.4　NAND Flash市场的企业竞争态势

NAND Flash市场的竞争格局相对DRAM更为分散，但同样由少数几家国际巨头主导。

据TrendForce集邦咨询数据，2026年第一季度全球前五大NAND Flash品牌合计营收季增83.7%。从市场份额来说，据Counterpoint Research数据，三星以29%的市场份额继续领跑。SK海力士以18%的份额位列第二。铠侠2026年第一季度营收表现强劲，季增80%至59.6亿美元，排名维持第三，市占率约为14%。

中国长江存储是NAND市场中增长最快的变量。据Counterpoint Research数据，2026年第一季度，长江存储市场份额从2025年同期的8%大幅提升至13%，进一步缩小与闪迪和美光之间的差距。长江存储2026年一季度营收同比暴涨近445%。目前，铠侠占据约14%的份额，美光、闪迪和长江存储的份额均在13%左右，竞争异常胶着。长江存储目标在2026年底将全球份额提升至15%。

在NAND市场，各大厂商的战略路径正在出现分化。部分厂商聚焦企业级高端市场（如SK海力士通过Solidigm布局QLC企业级SSD），部分坚守消费级性价比路线。随着企业级SSD成为NAND最大的应用市场，各厂商在企业级PCIe 5.0 SSD上的产品布局和客户开拓进度，正在成为决定未来市场份额的关键因素。

图表14　2026年全球NAND Flash市场份额

数据来源：Counterpoint Research，九思行研整理（2026年第一季度）

3.2.5　消费级与企业级应用的结构性此消彼长

NAND Flash市场正在经历一场深刻的需求结构转型——服务器正全面取代手机，成为NAND需求的第一大应用市场。

过去二十余年，智能手机始终是NAND Flash最大的需求来源。每一部手机的存储容量从16GB、64GB到256GB、512GB乃至1TB的不断升级，构成了NAND需求增长的核心动力。然而，这一格局在2026年被彻底改写。据CFM闪存市场分析，2026年服务器NAND占比首超手机至37%。企业级SSD首次超过智能手机，成为NAND需求占比第一的应用市场。

这一结构性变化的背后，是AI算力基础设施建设带来的企业级存储需求爆发式增长，与消费电子市场增长放缓的鲜明对比。智能手机市场已进入存量竞争阶段，出货量增长趋于平缓，单机容量的提升虽然仍在继续，但其对NAND需求增量的贡献已无法与AI服务器相提并论。

这种“此消彼长”的影响正在沿着供应链传导。由于产能优先保障服务器市场出货，移动终端及PC市场的供应受限局面进一步加剧。消费电子客户为避免因存储短缺而中断生产，纷纷积极锁定产能资源。存储芯片的定价权正在从消费电子厂商向云服务商和AI公司转移——谁能出得起更高的价格，谁就能优先获得产能。

3.3　NOR Flash及其他利基存储市场分析

3.3.1　NOR Flash在汽车电子与物联网中的不可替代性

在NAND Flash占据闪存市场绝对主导地位的格局下，NOR Flash凭借独特的技术特性，在特定领域保持着不可替代的生态位。NOR Flash支持芯片内执行（XIP）、具备快速随机访问能力和极低的读取错误率，这些特性使其在小容量、高可靠性、快速响应的场景中具有天然优势。

据IIM信息数据，预计到2026年底，全球NOR Flash市场规模将突破48.5亿美元，其中车规级NOR Flash占比提升至22.4%，成为增长最快的细分赛道。从技术演进看，55nm及以下制程节点出货量占比已超过67%，2026年第一季度40nm产品良率稳定在91%以上，推动单颗芯片成本下降约12%。

NOR Flash的增长动力主要来自两大领域。汽车电子是当前NOR Flash最核心的增长引擎。数字座舱要求在通电瞬间完成启动，NOR Flash是满足这一要求的最优选择；ADAS系统中智能传感器（前置摄像头、成像雷达、激光雷达等）的普及，进一步放大了对高密度NOR Flash的需求。车载信息娱乐系统与ADAS相关NOR Flash用量占比已达18.3%。物联网则是另一大增长极——从智能家居、可穿戴设备到工业传感器，每一个物联网终端都需要NOR Flash来存储启动代码和固件。

3.3.2　利基存储市场的需求稳定性与增长前景

在存储芯片的版图中，除了DRAM、NAND和NOR这三大品类外，还存在一个规模虽小但不可或缺的利基存储市场，主要包括利基型DRAM和SLC NAND等产品。

利基存储市场的一个显著特征是需求稳定性较高、波动性相对较低。与主流DRAM和NAND市场受AI需求和消费电子周期剧烈波动不同，利基存储产品的下游应用（工控、车规、通信设备、物联网等）需求相对刚性，产品生命周期更长，价格波动幅度也更小。在主流存储产能被HBM和企业级SSD大量挤占的背景下，利基存储市场反而因其“非主流”的定位而获得了一定的供需缓冲空间。

3.3.3　新型存储技术方向的发展探索

在传统存储架构面临“内存墙”瓶颈日益严峻的背景下，产业界和学术界正在探索一系列新型存储技术方向，试图从根本上改变存储与计算的关系。

CXL（Compute Express Link）内存池化是当前最受关注的方向之一。CXL技术允许CPU、GPU与内存设备跨越机箱边界直接对话，把原本焊死在单台服务器里的内存变成可以池化、可以按需切片的共享资源。2026年，澜起科技率先在业界试产CXL 3.2内存扩展控制器芯片；Marvell推出基于CXL技术的Structera X内存扩展方案，支持机架级内存扩展和资源池化。

存算一体与近存计算则是另一条重要的技术路径。其核心理念是将计算单元嵌入存储阵列、在存储内部完成计算，彻底消除数据搬运的核心损耗。2026年7月，中国东方算芯发布了全球首颗软件定义近存计算3D芯片DF1000，采用“软件定义＋3D堆叠近存计算”的技术路线，通过DRAM-Logic晶圆级混合键合3D垂直封装，在14纳米制程上实现了每秒520万亿次浮点运算的算力。该芯片采用3D混合集成模式，拉近存算距离，同等条件下带宽可达HBM的5倍以上。

这些新型存储技术方向虽然目前仍处于产业化的早期阶段，但它们共同指向了一个清晰的趋势——存储正在从被动的“数据容器”向主动的“数据处理单元”演进。这一趋势将在中长期深刻改变存储芯片的产品定义和产业格局。

第四章　国内外存储芯片企业竞争力分析

4.1　全球存储芯片企业竞争格局

4.1.1　全球主要存储企业的营收规模与梯队划分

2026年上半年，全球存储芯片企业的业绩普遍实现了历史性突破，形成了清晰的竞争梯队。

第一梯队由三星电子、SK海力士、美光科技三家构成。三星电子2026年第一季度实现营收133.8734万亿韩元（约897亿美元），营业利润57.2328万亿韩元；2026年第二季度营收达171.5万亿韩元，营业利润89.5万亿韩元，同比暴增1813.8%，其中DS（半导体）部门营业利润高达89.2万亿韩元，贡献了全公司99.7%的营业利润。SK海力士2026年第一季度营收52.58万亿韩元，营业利润37.61万亿韩元；2026年第二季度营收79.32万亿韩元，营业利润60.54万亿韩元，净利润93.9226万亿韩元。美光科技2026财年第三季度（截至2026年5月28日）实现营收414.6亿美元，同比增长346%，Non-GAAP毛利率达84.9%；第四季度营收指引为490至510亿美元。

第二梯队以中国存储企业为代表。长鑫存储2026年第一季度实现营收508亿元人民币，同比增长719.13%，归母净利润247.62亿元。长江存储2026年第一季度营收突破200亿元人民币（约合26亿美元），同比增长约100%。据Counterpoint Research数据，2026年第一季度，长鑫存储以8%的市场份额稳居全球DRAM第四位；2026年第二季度，长鑫存储市场份额达7%。Counterpoint Research预计，随着产能持续扩张，长鑫存储的份额在2026年有望超过10%。

图表15　2026年全球存储芯片企业竞争梯队划分

资料来源：九思行研

4.1.2　高度寡头垄断的市场结构及其历史成因

全球存储芯片市场是半导体产业中集中度最高的细分领域之一，呈现典型的寡头垄断格局。在DRAM领域，三星电子、SK海力士和美光科技三大厂商合计占据全球约90%的市场份额。在NAND Flash领域，虽然竞争格局相对分散，但三星、SK海力士、铠侠、美光、闪迪等前五大厂商同样控制着绝大部分市场份额。

这一高度集中的市场结构，是数十年产业演进的结果。存储芯片行业具有三大核心壁垒：资本壁垒——一座先进晶圆厂的投资动辄百亿美元级别，仅2026年三星电子一家企业的半导体资本支出即超过110万亿韩元（约合733亿美元）；技术壁垒——从制程微缩到三维堆叠，每一代技术迭代都需要数十亿美元的研发投入和数以万计的专利积累；客户认证壁垒——存储芯片进入服务器、汽车电子等高端应用需经过长达18至24个月的产品验证周期，一旦确立供应关系则极难被替换。三重壁垒叠加，使得后来者几乎无法在短期内撼动现有格局。

4.1.3　行业进入壁垒与竞争博弈的核心维度

存储芯片行业的竞争博弈，早已超越了单纯的技术和产能竞争，演变为资本、技术、客户、供应链的多维度角逐。

在资本维度，头部企业每年的资本支出动辄数百亿美元，且呈现逐年递增态势。2026年三星电子资本支出超110万亿韩元，SK海力士达40万亿至50万亿韩元区间高段，美光达270亿美元。这种量级的资本投入，构成了后来者难以逾越的资金门槛。

在技术维度，存储芯片的制程演进和堆叠层数竞赛从未停歇。DRAM领域从1xnm到1α、1β、1γ的制程迭代，NAND领域从200+层向300+层乃至更高层数的攀升，每一项技术突破都建立在数十年研发积累之上。

在客户维度，长期供货协议（LTA）正在成为新的竞争壁垒。一旦客户与供应商签订3至5年的长期协议，不仅锁定了价格区间，更锁定了产能分配优先级。后来者即便具备产能，也难以切入已被长期协议锁定的核心客户供应链。

图表16　存储芯片行业三重壁垒示意

资料来源：九思行研

4.1.4　地缘政治对全球竞争格局的扰动

地缘政治因素正在以前所未有的深度重塑全球存储芯片的竞争格局。美国《芯片与科学法案》以约527亿美元的直接补贴推动存储制造回流。美光科技已获得61.65亿美元的直接资金支持，并宣布了超过2500亿美元的本土投资计划。韩国则通过国家级芯片集群计划投入800万亿韩元建设晶圆厂。日本以5360亿日元补贴美光广岛工厂。

中国则通过“十五五”规划、国家大基金三期（注册资本3440亿元）等政策工具，持续加码存储芯片的自主可控。与此同时，美国对华技术出口管制持续加码，对128层以上3D NAND设备及先进制程DRAM制造设备实施出口限制，直接影响了中国存储产业的扩产节奏和高端产品获取能力。地缘政治正在将全球存储市场切割为相互博弈的多个区域生态。

4.2　中国存储芯片企业的竞争现状与突围路径

4.2.1　长江存储与长鑫存储的技术突破与产能爬坡

中国存储芯片企业的技术突破和产能爬坡，是2026年全球存储行业最引人注目的变化之一。

长江存储凭借Xtacking 4.0架构实现了294层3D TLC NAND芯片的量产。2026年第一季度，长江存储营收突破200亿元人民币（约合26亿美元），同比增长约100%；据Counterpoint Research数据，全球NAND市场份额从2025年同期的8%大幅提升至13%。其武汉基地一期和二期生产线产能已逼近设计上限，最新建成的三号生产线正处于全面投产前的最后阶段。长江存储正计划在中国筹备IPO。Counterpoint Research预计，长江存储有望超越铠侠和美光，成为全球第三大NAND存储厂商。

长鑫存储2026年第一季度实现营收508亿元人民币，同比增长719.13%，归母净利润247.62亿元；2026年第二季度营收同比增长716%。DRAM全球市场份额从2026年第一季度的8%微调至2026年第二季度的7%。2026年第一季度市场份额为8%，稳居全球第四大DRAM原厂。长鑫存储已更新IPO招股书。Counterpoint预计长鑫存储的份额在2026年有望超过10%。

图表17　2026年中国存储企业业绩

数据来源：长鑫存储招股书，Counterpoint Research，九思行研整理（2026年第一季度）

4.2.2　中国企业在全球产业链中的实际地位与客观差距

在充分肯定进步的同时，也必须客观评估中国存储企业与世界龙头的真实差距。

在技术代际上，长江存储的294层3D NAND与国际领先的300+层基本处于同一代际。但在HBM领域，中国尚处于追赶阶段——长鑫存储目前尚未有量产HBM的消息，与国际巨头存在明显差距。在先进制程设备获取方面，美国对华技术管制持续加码，对128层以上3D NAND设备及先进制程DRAM制造设备实施出口限制，构成了中国存储产业技术追赶的最大外部约束。

在市场规模上，长鑫存储7%至8%的DRAM份额与三星（39%）、SK海力士（26%）、美光（25%）仍有显著差距。长江存储13%的NAND份额与三星29%的份额差距同样明显。当前中国存储芯片整体自给率仍处于较低水平。

在高端产品布局上，HBM、企业级PCIe 5.0 SSD等最高价值产品仍由国际巨头主导。中国存储企业要真正跻身全球第一梯队，仍需在HBM等前沿领域实现关键突破。

4.2.3　中国存储产业的资本运作与生态构建

2026年，中国存储产业在资本运作和生态构建上取得了显著进展。长鑫存储IPO招股书已更新披露，科创板IPO已过会。长江存储已启动IPO辅导备案。两大存储龙头相继走向资本市场，标志着中国存储产业从“政策驱动”向“资本驱动”的转型升级。

在生态构建方面，中国存储产业已形成从设计、制造到封测的完整产业链。长江存储的Xtacking架构、长鑫存储的DRAM制程技术，带动了上游设备、材料、EDA工具等环节的本土化进程。国产存储在介质、芯片与系统层面已实现三级突破，头部云服务商完成了从控制器、分布式存储到整机的垂直整合。

长江存储三号工厂计划于2026年底投入量产，2027年月产能达5万片。三座新厂投产后，公司总产能将提升超100%。长鑫存储月产能持续扩张。中国正从全球存储芯片的“最大消费市场”向“重要产能基地”加速转型。

图表18　长江存储与长鑫存储产能扩张规划

资料来源：九思行研

4.2.4　国产替代进程面临的机遇与阶段性约束

国产替代进程正面临前所未有的机遇窗口。全球存储芯片的供应短缺和价格暴涨，使下游客户对供应链多元化的需求空前迫切。国内云厂商、AI算力企业加速导入本土供应链。“十五五”规划将集成电路列为十大新产业新赛道榜首，国家大基金三期注册资本3440亿元重点加码HBM高端存储、先进封装等短板环节。

但阶段性约束同样显著。设备与材料的对外依赖是最大的“卡脖子”环节——先进光刻机、刻蚀机等关键设备仍受出口管制。HBM等高端产品的技术积累不足，量产良率与国际领先水平存在差距。产能扩张受制于晶圆厂建设周期（1.5至2年）和资本投入规模。

4.3　存储芯片企业资本支出竞赛与产能博弈

4.3.1　全球存储原厂资本开支进入新一轮上行期

2026年，全球存储原厂的资本开支全面进入爆发式增长阶段。经历了此前数年的产能收缩和亏损阵痛后，面对AI驱动的需求爆发，各大厂商纷纷开启了一场史无前例的扩产竞赛。

三星电子2026年资本支出和研发投入规模将达110万亿韩元（约合733亿美元），超过2025年的90.4万亿韩元，创下历史新高。预计大部分投资将集中在负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门。三星电子正致力于缩短平泽园区第四工厂的建设周期，并积极推进第五工厂核心设施的建设。

SK海力士2026年资本开支预计将达到40万亿至50万亿韩元区间高段（约48至50万亿韩元）。公司正推进韩国清州M15X工厂大规模生产，并于2027年初加速龙仁Fab1工厂产能扩张。

美光科技在扩产上最为激进。公司2026财年资本开支已上调至约270亿美元。美光CEO表示，2027财年各季度的资本支出还将高于2026年第四财季的水平。

图表19　2026年全球主要存储原厂资本开支对比

数据来源：各公司公告，九思行研整理

4.3.2　HBM产能挤占通用DRAM的结构性影响

HBM的产能扩张本质上是一场与通用DRAM的零和博弈。HBM生产所需晶圆面积约为标准DDR5的2.5至3倍。TrendForce估计，三大原厂2025至2027年HBM投片量占整体DRAM投片量的比例分别为18%、22%和约30%（以年底投片量计算），HBM位元供给占整体DRAM位元供给的8%、9%和约13%。HBM虽只占DRAM bit供给约9%，却吃掉了约22%的晶圆产能。这一“结构性抽血”效应，使得通用DRAM的净新增产能趋近于零。

4.3.3　产能扩张的时间窗口与供给约束

存储芯片的产能扩张面临着刚性时间约束——一座晶圆厂从动工到量产通常需要约两年时间。这意味着，即便厂商在2026年启动建设，新增产能也要到2028年前后才能释放。

三大原厂对此已形成共识：三星DS事业部正研判全球存储半导体市场或于2028年前后出现逆转的可能性。SK海力士多次公开表态，将以“实际需求而非乐观预期”作为扩产依据。两家巨头对通用型DRAM的扩产计划均十分审慎，将更多产能投入到能带来高额利润的HBM。相比之下，美光科技显得更为激进，其产能将在2028年前后集中释放。

4.3.4　全球产能布局的地域重构

全球存储芯片的产能高度集中于东亚地区。根据Yole数据，2024年全球DRAM与NAND合计月产能约320万片（按晶圆厂所在地统计），韩国占约45%，中国大陆占约24%，中国台湾占约16%，美国本土产能占比不足2%。

然而，这一格局正在发生变化。在美国《芯片与科学法案》的驱动下，美光科技正推动约40%的DRAM产量放在美国本土生产。在韩国，三星与SK海力士在龙仁、平泽等地大规模扩建产能。在中国，长江存储和长鑫存储的产能持续爬坡。全球在建的12英寸晶圆厂中，存储芯片产线占相当比例，主要集中在韩国平泽、中国武汉与合肥、以及美国德州。全球存储制造的产能版图正在经历一场深刻的地域重构。

4.4　存储芯片企业盈利能力与经营策略分化

4.4.1　全球巨头的业绩爆发与盈利水平

2026年上半年，存储芯片企业的盈利能力达到了历史峰值。

三星电子2026年第一季度实现营收133.9万亿韩元（约897亿美元），营业利润57.2万亿韩元；2026年第二季度营收171.5万亿韩元，营业利润89.5万亿韩元，同比暴增1813.8%。2026年第二季度存储事业部营业利润率大约为75%。

SK海力士2026年上半年累计营收首次突破100万亿韩元。其中2026年第二季度营收79.32万亿韩元，营业利润60.54万亿韩元，营业利润率高达76%。

美光科技2026财年第三季度（2026年3-5月）实现营收414.6亿美元，同比增长346%，毛利率84.9%。2026财年第四季度（2026年6-8月）营收指引为490至510亿美元。

图表20　2026年全球存储巨头业绩对比

注：FY26Q3指2026年3-5月数据。

数据来源：各公司财报，九思行研整理

4.4.2　毛利率的结构性分化

毛利率的分化直接反映了各企业在产品结构上的差异。美光科技毛利率从2026财年第一季度的74.9%提升至2026财年第三季度的84.9%。SK海力士2026年第二季度营业利润率高达76%。三星电子整体营业利润率从2026年第一季度的45%提升至2026年第二季度的52.2%（存储事业部营业利润率更高）。各企业毛利率普遍处于历史高位，这在半导体行业历史上极为罕见。

4.4.3　长期协议（LTA）对盈利周期的平滑效应

长期供货协议正在从根本上改变存储芯片行业的盈利周期特征。LTA指签订多年特定芯片产品供货合约，基准期限约5年。美光科技已签署16份战略客户协议，覆盖约20%的DRAM出货量和约三分之一NAND出货量，并采用take-or-pay等更强约束结构。SK海力士已与约10家客户完成长期供货协议谈判，依托LTA可匹配客户技术路线图同步研发下一代存储产品。三星电子也在推进3至5年的多年供应合同。LTA正在将存储芯片从标准型商品转变为具有稳定现金流特性的“类公用事业”产品。

4.4.4　产品结构差异对盈利能力的决定作用

产品结构的差异，正在成为决定各企业盈利能力的关键变量。

SK海力士的营收中HBM占比最高，这使其在HBM价格上涨周期中获得了最大收益，但也使其在HBM均价下滑时面临更大压力。据Counterpoint数据，2026年第一季度SK海力士HBM市场份额为58%，三星和美光各占21%。三星凭借在DRAM和NAND双赛道的全面覆盖，以规模效应抵御了单一品类的价格波动风险。美光则在HBM4量产和通用DRAM市场之间找到了较好平衡。产品结构差异，正在将三大巨头的盈利能力推向不同的方向。

图表21　2026年HBM市场份额

数据来源：Counterpoint Research，九思行研整理（2026年第一季度）

4.5　存储芯片企业战略路径的分化与竞合

4.5.1　技术路线的差异化选择

2026年，各大存储厂商在技术路线上呈现出日益明显的分化。

在NAND领域，三星于2026年8月FMS大会上发布了面向AI基础设施的3D内存路线图，展示了zHBM和zNAND-O概念模型。zHBM突破传统将HBM放置在处理器旁边的设计范式，将HBM直接垂直堆叠在AI加速器上方。三星还展示了业界首款V10 BV-NAND，存储密度提高约58%。SK海力士凭借321层第九代V-NAND闪存量产在层数上暂时领先。长江存储基于Xtacking 4.0架构实现了294层3D TLC NAND芯片的量产，良率稳定在90%以上。铠侠则将第十代BiCS10 3D NAND（332层）量产列为2026财年首要战略重点。

在DRAM领域，三星在HBM4中采用1c nm DRAM工艺配合4nm逻辑Base Die的技术组合，并于2026年2月率先启动HBM4量产出货。SK海力士HBM4已于第二季度面向主要客户开始批量出货。美光12层36GB HBM4产品已量产出货。

4.5.2　产品重心的战略取舍

三大巨头在产品重心上做出了截然不同的战略取舍。

SK海力士全力押注HBM，将最先进产能优先分配给HBM产品。但SK海力士也在调整策略，部分缩减HBM扩产转向通用DRAM市场。

三星电子坚持DRAM和NAND双赛道全面覆盖战略。在HBM领域加速追赶（已被英伟达和AMD指定为HBM4供应商），在传统DRAM和NAND领域保持规模优势。三星正在华城基地推进1b DRAM制程转换，并以平泽工厂为核心扩建新产线。

美光科技将HBM定为核心战略产品，同时保持多元化终端市场覆盖。公司2026年全年HBM产能已全部售罄，同时在高容量DDR5、PCIe Gen6 SSD等领域全面布局。

4.5.3　市场定位的分化

在高端市场，三大巨头在HBM、企业级SSD等领域正面交锋。在HBM4量产竞赛中，三星率先启动量产出货。SK海力士以58%市占率稳居HBM龙头。美光积极追赶。

在“非主流”品类中，错位竞争格局明显。长鑫存储在DDR4、DDR5等通用DRAM市场快速扩张。南亚科、华邦电等厂商在利基型DRAM和NOR Flash领域深耕。兆易创新在NOR Flash市场占据重要份额。

4.5.4　行业整合与并购重组趋势

存储芯片行业的并购重组在2026年继续保持活跃。SK海力士收购Intel NAND业务成立Solidigm后，持续整合企业级SSD业务。西部数据与闪迪的整合进一步改变了NAND市场的竞争格局。

在中国市场，长江存储和长鑫存储双双推进IPO进程，通过资本市场融资加速产能扩张和技术研发。资本市场对存储芯片赛道的高度看好，正在为行业整合提供充足的资金弹药。

第五章　中国存储芯片发展趋势与前景展望

5.1　存储芯片政策环境与产业生态建设

5.1.1　关键产业政策的支持导向梳理

2026年是中国“十五五”规划的开局之年，存储芯片产业获得了前所未有的政策支持力度。2026年3月，全国两会正式通过《中华人民共和国国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要》。纲要明确提出“提升高端芯片、光电子器件、基础软件和工业软件等产业水平”“推进存算一体、三维集成、光电融合等技术突破应用”。2026年《政府工作报告》将集成电路产业明确列为重点打造的新兴支柱产业之首。

国家大基金三期注册资本达3440亿元人民币，超过一期与二期总和。超70%投向存储设计、制造、设备、材料与封测全链条，设备材料国产化与先进封装、AI存储为双主线。国家大基金三期首批资金已到位，重点支持长江存储产线及长鑫存储HBM研发。

另外，2025年8月工信部与市场监管总局联合印发的《电子信息制造业2025-2026年稳增长行动方案》明确支持人工智能、先进存储等前沿技术方向，推进人工智能服务器、高效存储等先进计算系统建设。

5.1.2　资本市场对存储产业的赋能效应

2026年是中国存储产业资本运作的关键之年。2026年5月，长鑫科技IPO申请获上交所科创板上市审核委员会审议通过。长江存储于2026年5月19日在湖北证监局完成IPO辅导备案登记，正式开启IPO进程。长江存储IPO估值约3000亿元。两大存储龙头相继走向资本市场，标志着中国存储产业从“政策驱动”向“资本驱动”的转型升级。

模组与封测环节同样活跃。江波龙2025年12月披露定增计划，拟募集资金不超过37亿元。通富微电拟定增不超过42.20亿元用于存储芯片封测产能提升。同有科技拟定增不超过10亿元投向AI全场景存储研发。资本市场正在为存储产业链的各个环节提供充足的资金弹药。

5.1.3　产业协同生态的构建进展

中国存储产业的生态构建取得实质性进展。在产能布局上，长江存储和长鑫存储于2026年第三季度开始陆续释放新产能。长江存储当前合计月产能约20万片，核心扩产项目武汉三期工厂新增月产能10万片，达产后总月产能将提升至30万片。长鑫存储月产能持续扩张。2026年中国在全球半导体整体产能的市占率可能扩大至45%。

在设备国产化方面，中国半导体设备国产化率有望从2024年的16%跃升至2026年的26%，预计2028年达到43%。国产设备龙头企业在刻蚀、薄膜沉积等关键制程设备的市占率上逐步攀升。国家大基金三期向存储领域注资超千亿元，重点支持长江存储产线及长鑫存储HBM研发。国产存储在介质、芯片与系统层面已实现三级突破。

5.1.4　全球产业博弈下的中国政策应对

面对美国对华技术出口管制持续加码的挑战，中国正在形成一套从“被动应对”向“主动创新”转变的政策框架。在技术层面，中国企业正探索通过逻辑折叠与先进封装技术的架构创新来取代传统摩尔定律的物理缩放，减轻对EUV等尖端海外设备的依赖。在产业层面，“十五五”规划将集成电路产业列为新兴支柱产业之首。在资本层面，大基金三期落地提供了充裕且长期的资金支持。在需求层面，国产替代从趋势变为刚性落地——国内云厂商、AI算力企业加速导入本土供应链，国产存储产能优先保障区域订单。

5.2　存储芯片技术演进趋势与产业升级方向

5.2.1　三维堆叠层数的持续攀升

3D NAND的层数竞赛在2026年进入了新的阶段。当前量产市场中，SK海力士以321层4D NAND暂时领先。三星正筹备在2026年量产400层以上的第十代V-NAND产品。长江存储已实现294层闪存量产，其自研的Xtacking 4.0技术更是将堆叠层数推向更高水平。

更前沿的技术探索已在路上。2026年5月，三星宣布全球首次成功实现900层V-NAND闪存原型技术，距离1000层NAND时代更进一步。其核心方案是通过Cell Multi Bonding（CMB）技术将两块450层NAND晶圆键合为一体，构建900层以上的堆叠结构。三星已公布面向2030年的V-NAND技术路线图——NAND行业刚刚步入400层时代，2029年将实现420层，2030年突破560层，随后在下一个十年初期冲击1000层以上。层数堆叠带来的首要挑战是晶圆翘曲——层数越多，堆叠应力越大，晶圆在制造过程中容易弯曲变形。三星通过Upper Chuck Design专用夹具控制翘曲，配合Overlay Correction技术修正层间对位误差。

中国企业同样在加速追赶。长江存储武汉三期工厂预计2026年下半年投产，月产能目标冲刺30万片晶圆。长江存储正以300层量产为目标追赶韩国企业。

图表22　3D NAND主要厂商堆叠层数对比

资料来源：九思行研

5.2.2　先进封装技术的深化应用

先进封装技术是存储芯片从二维走向三维的关键支撑。TSV硅通孔技术已在HBM中广泛应用——通过垂直贯穿硅片的金属通孔实现多颗DRAM Die的电气互联，是HBM堆叠的基础工艺。

混合键合技术的应用路径在2026年出现了重要转折。此前行业普遍预期HBM4将率先导入混合键合技术——与传统热压键合不同，混合键合无需凸点即可直接连接相邻DRAM芯片的铜互连线，使HBM封装更加轻薄，同时提升散热性能和电源效率。然而，2026年7月，三星电子和SK海力士双双决定在HBM4阶段继续使用传统热压键合技术。这一调整的直接原因是JEDEC放宽了HBM封装厚度标准——从HBM4开始，厚度限制从720微米放宽到775微米。厚度标准的放宽降低了业界对芯片间距最小化的需求。混合键合技术最早可能在16层HBM4E（第七代HBM）芯片上得到应用。三星电子、SK海力士和其他主要存储器公司仍在继续研发混合键合技术，随着HBM I/O数量的急剧增加，其需求将会再次出现。

5.2.3　AI驱动下的存储架构变革

AI大模型的爆发正在倒逼存储架构从“以计算为中心”向“以内存为中心”转型。CXL（Compute Express Link）技术是这一变革的核心推手。CXL支持灵活的内存扩展、内存池化和新型系统架构，允许计算资源更高效地运行。

2026年3月，Marvell在OFC 2026上推出了Structera S 30260 CXL交换芯片，支持260个通道、16或32个CPU/GPU，共享内存高达48TB，累积带宽达4TB/s。该产品预计将于2026年第三季度开始向客户提供样品。Marvell还推出了Structera A近内存加速器，集成16个Arm处理器核心、高达200GB/s的内存带宽，将处理能力向内存靠近。Structera X内存扩展控制器与Structera S协同工作，允许数据中心运营商访问服务器外部的解耦内存资源。

存算一体与近存计算是另一条重要技术路径。2026年7月，中国东方算芯发布了DF1000芯片，采用晶圆级混合键合3D堆叠工艺，基于国内成熟14nm制程完成全流程研发制造。存储正在从被动的“数据容器”向主动的“智能数据引擎”演进。

5.2.4　高端产品的价值量提升

高端存储产品的价值量正在以前所未有的速度提升。HBM是这一趋势的典型代表。据WSTS数据，2026年存储芯片销售额同比上升约250%，一举超过8000亿美元，其中最大一块就是HBM。

AI推理正在成为企业级SSD需求的新引擎。据TrendForce数据，2026年第一季度全球前五大企业级SSD品牌厂营收突破184.6亿美元，较前一季度增长86.1%。随着AI Agent服务普及与CSP强劲订单带动，企业级SSD市场将在2026年全年维持上升走势。AI推理对存储的需求呈指数级增长——单请求情况下，若上下文从4K Token扩展至128K Token，KV缓存会膨胀32倍，若是100个并发请求，缓存需求则达TB级。

5.2.5　存储与计算的深度融合趋势

存储与计算的深度融合是长期演进方向。“十五五”规划明确提出推进存算一体、三维集成、光电融合等技术突破应用。存储芯片正从数据的被动存放地，变成数据处理链条中的主动参与者。三星发布了面向AI基础设施的3D内存路线图，展示了zHBM概念模型——突破传统将HBM放置在处理器旁边的设计范式，将HBM直接垂直堆叠在AI加速器上方。

在产业层面，中国正在加快打造世界级存算一体化产业基地。2026年4月，湖北省委召开世界级存算一体化产业基地建设推进会，明确聚焦存算一体芯片、下一代闪存芯片、先进封装等重点方向。存储与计算的深度融合，将从芯片架构、系统设计到产业生态的多个层面展开。

5.3　存储芯片市场发展前景展望

5.3.1　中国在全球存储产业链中角色的渐进式演变

中国在全球存储产业链中的角色正在经历从“最大消费市场”向“重要产能基地”的深刻转变。

在NAND领域，长江存储全球NAND市场份额从2025年同期的8%大幅提升至2026年第一季度的13%。据Counterpoint Research数据，长江存储2026年一季度市场份额与美光、闪迪并列，均为13%。长江存储有望超越铠侠和美光，成为全球第三大NAND存储厂商。在DRAM领域，长鑫存储2026年第一季度市场份额达8%，稳居全球第四。据Counterpoint Research数据，长鑫存储的DRAM营收同比增长超过700%。目前，长鑫存储正准备通过即将启动的IPO募集资金，以进一步扩充DRAM产能，并在未来几年全面进军AI数据中心HBM市场。

中国正从“政策推着走”变成“市场抢着要”。2026年中国存储芯片自给率有望进一步提升。国产存储芯片自给率从2020年的不足10%提升至2025年的约15%-20%。预计2026年国产存储芯片国产化率预计提升至20%以上。

5.3.2　存储芯片市场规模预测与核心增长动力

据WSTS 2026年春季预测，2026年全球半导体市场规模将达1.51万亿美元，同比增长90%；存储芯片销售额同比上升约250%，一举超过8000亿美元。据Omdia《2026年第二季度半导体应用领域市场预测工具（AMFT）-中国地区》报告，2026年中国存储芯片市场规模将达到4496亿美元，同比增长262.9%，占中国半导体市场份额从2025年的29.4%跃升至2026年的55.4%，预期未来仍然保持在半数以上。对应全球存储芯片市场，2026年总体规模预计为8864亿美元。

核心增长动力来自三大引擎。AI服务器是首要引擎。据TrendForce分析，2026年服务器敞口预计达50%至60%。端侧AI是第二引擎。AI手机、AI PC存储需求年增100%以上，旗舰手机16GB内存+1TB闪存成标配。智能驾驶是第三引擎。汽车正变成“移动数据中心”，车规级存储需求暴涨。存储行业正逐步摆脱传统消费电子库存周期，向成长属性转型。存储涨价趋势可持续至2027年上半年。

图表23　2026-2027年中国存储芯片市场增长引擎

资料来源：九思行研

5.3.3　从“数据仓库”到“智能数据引擎”的长期展望

存储芯片的长期价值重估才刚刚开始。存储芯片正从数据中心的“粮仓”变成数字世界的“心脏”。未来将构建HBM（核心带宽）+DRAM（大容量缓存）+NAND（持久存储）的三级金字塔架构。

在技术层面，三维堆叠层数将持续攀升——从300+层向400+层、乃至1000层迈进。先进封装从TSV向混合键合演进。CXL内存池化将重新定义数据中心的内存架构。

在产业层面，中国存储企业正从“追赶者”向“竞争者”转变。长江存储有望跻身全球前三，长鑫存储正冲击全球前三。中国正从全球存储芯片的“最大消费市场”向“重要产能基地”加速转型。

在价值层面，存储芯片在AI计算价值链中的价值占比将持续提升。存储芯片已不再是BOM表中的普通元器件，而是数字经济时代的核心战略资源。存储芯片占半导体总收入的比重有望从当前的约25%至30%进一步提升。存储芯片的故事远未结束——它正从数据的被动存放地，变成驱动AI时代前行的核心引擎。

图表24　存储芯片长期价值重估路径

资料来源：九思行研

5.3.4　行业面临的结构性挑战与不确定性分析

在看到机遇的同时，也必须清醒认识行业面临的结构性挑战。

外部技术封锁是最严峻的挑战。美国对华技术管制持续加码，对128层以上3D NAND设备及先进制程DRAM制造设备实施出口限制。先进光刻机、刻蚀机等关键设备仍高度依赖进口。

HBM等高端产品差距是另一个短板。长鑫存储已推出HBM3样件，向华为等国内AI芯片厂商供货，正处于量产前的验证环节，同时规划2027年实现12层HBM3E的量产。如果该计划顺利落地，长鑫存储与三星电子、SK海力士、美光三家头部存储厂商的技术差距将缩短至2到3年。但与国际巨头相比仍有明显差距，技术追赶需持续投入。

产能周期错配需要审慎应对。晶圆厂建设周期1.5至2年。产能集中释放后可能带来供给过剩风险。三星DS事业部正研判全球存储半导体市场或于2028年前后出现逆转的可能性。SK海力士多次公开表态，将以“实际需求而非乐观预期”作为扩产依据。

消费端承受力也是一重隐忧。在合约价攀至新高的情况下，PC、智能手机等消费端客户承受力达到极限。消费电子目标客群对价格高度敏感，存储成本高企直接推高了终端售价，显著抑制了消费者的换机意愿。

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