每日公司深度报告 | 第64期：长鑫科技

7月27日长鑫正式登陆科创板，是中国大陆DRAM产业从0到1产业化里程碑事件，十年自主研发打破海外三巨头长期寡头垄断。

先说赛道：DRAM属于寡头垄断赛道，三星、SK海力士、美光长期占据90%以上份额。AI算力催生结构性超级上行周期，海外大厂优先扩产HBM，主动收缩传统DRAM产能，行业库存处于历史低位。国内是全球最大DRAM消费市场，但本土自给率不足10%，国产替代空间巨大。

企业基本面层面，长鑫是大陆唯一DRAM全流程IDM厂商，全球第四大DRAM供应商。三座12英寸晶圆厂，2025年末等效月产能28~30万片，全年产能利用率95.73%。2025年完成上市后首次年度盈利，2026Q1单季归母净利润247.62亿元，远超2025全年利润，业绩弹性彻底释放。股权结构国资深度绑定，无实控人，资金逆周期持续托底扩产。

商业模式上，IDM一体化是核心优势，研发、制造协同提速；2024年底全面停产DDR4，产能集中投向DDR5、LPDDR5X高端颗粒。本次IPO募集295亿元，全部用于产线技改、高端产品升级与HBM前瞻研发。

技术端自研17nm工艺，依靠DUV规避EUV管制，手握6972项海内外专利，叠加和美光专利交叉许可，扫清全球出货法律障碍。短板同样明显：HBM仅小批量试产，对比海外龙头存在1~2代技术代差。

财务亮点十分突出：上行周期量价齐升带来极强杠杆效应，2026Q1主营业务毛利率接近80%，经营现金流持续大额流入，资产负债率持续下行。但也要留意，公司仍存在366.5亿元累计未弥补亏损，短期无法现金分红。

最后梳理核心逻辑：短期吃DRAM周期红利，中长期依靠国产替代与产能扩张。风险必须重视：DRAM天生3-4年强周期，若后续供给释放价格回落，容易遭遇业绩估值双杀；海外设备管制、高端技术迭代不及预期、上市估值提前透支都是潜在隐患。