特别声明:报告版权归作者所有,本公众号仅做技术分享。
核心速览
致瞻科技针对特斯拉TPAK主驱电控模块的痛点,首创

















,打造出兼具极致成本、极致体积与平台化特性的电控解决方案,可覆盖新能源汽车主流功率段需求,同时介绍了公司概况与产品布局。
****本报告已放入《知识星球》****
****私信博主加入星球,优惠多多*****
****知识星球已加入300+文件****

行业方案分析
- 特斯拉TPAK方案优劣势
:该方案优势在于具备极高的功率拓展性,兼容SiC和IGBT;采用与TO-247类似的极简工艺,生产制造成本低;叠层母排设计使换流回路杂感极低,可支持1000V母线电压,高温塑封能充分发挥SiC MOSFET性能。但存在明显劣势,逆变器生产工艺复杂、尺寸大,铜排结构复杂且激光焊点多,散热器有效利用面积小;碳化硅芯片热耦合严重,散热性能差,多模块并联在大电流工况下易出现栅极谐振风险。
ZPAK模块核心特点
- 3D换流回路布局
:对比Semikron的eMPack方案(杂感约6nH但结构复杂、良率低)和PCB内埋式方案(杂感约5nH但工艺成熟度低、缺乏可靠性数据),ZPAK方案以最简工艺实现3D换流回路布局,杂感约9nH,生产良率高,还能改善多碳化硅芯片并联的均流效果、消除栅极谐振风险。 - 极致芯片得房率
:相较于HPD类方案,ZPAK模块大幅缩减了AMB基板的“公摊面积”,仅保留正极Spacer焊接区域、AC Clip铜夹焊接区域,最大化芯片有效利用区域,实现最小模块尺寸。 - 功率和信号出PIN布局
:对比DCM500方案需约45mm的绝缘安规避让空间,ZPAK模块将DC+端子放置在中间部位,利用纵向尺寸满足绝缘安规距离,上下端口的AC、DC-端子与对应GE管脚无需高压安规避让,GE信号管脚上下对称布置,既方便驱动板布线,又能在振动场景下保持管脚与PCB板的应力均衡,整体仅需约22mm的相关距离。 - 极低BOM和工艺成本
:HPD类模块封装物料包含灌封硅凝胶、多个信号PIN针、Bonding线等多种部件,需5种前道工艺、8种后道工艺且仅能单颗模块处理;ZPAK模块封装物料仅为塑封料、铜框架、铜块等少量部件,采用4种前道工艺、4种后道工艺,一次可注塑48颗模块,大幅降低了物料和工艺成本。
ZPAK模块系统层面优势
- 平台适应性与功率拓展性
:采用ZPAK半桥模块可组成全桥和BOOST等拓扑,能适配不同功率、不同动力架构,覆盖100/200/300kW功率段以及混动、增程、纯电等多种车型。 - 体积缩减
:一颗Zpak模块相当于4颗Tpak模块,功率模块和水冷板等面积大幅缩小,与mini HPD相比,ZPAK三相全桥模组的面积减小了51%;同时直流和交流铜排无需立体堆叠,激光焊接难度大大降低。 - 系统集成优势
:基于ZPAK模块可搭建电力电子积木式模组,从半桥功率模块、全桥功率模组到逆变砖,再到集成EMC组件、高低压接插件等的电控总成,采用模块化、组件化设计,易于平台拓展。
主流功率段适配能力
ZPAK封装方案可覆盖新能源汽车主流应用场景:适配GCU增程器(300Arms@470V)、纯电(510Arms@470V、600Arms@470V)、DHT混动(P1:350Arms、P3:510Arms)等不同电流需求,对应不同的ZPD模组、基板类型与逆变砖形态,功率密度可达100kW/L-140kW/L,是覆盖多场景的低成本解决方案。
方案整体价值
- 成本与体积优化
:与常规灌封模块的逆变砖方案相比,致瞻基于ZPAK的方案成本可降低30%以上,体积降低30%以上。 - 开发效率提升
:以极致体积、单平台的逆变砖产品适应主机厂多样化需求,帮助主机厂降低成本,缩短开发周期。 - 可靠性保障
:逆变砖采用高集成模块化方式,将母线电容、电流传感器、驱动控制板卡、散热器等一体集成,母线电容与功率模块之间由全叠层铜排以激光焊接方式连接,实现极低杂感和极高可靠性。


















更多文件关注——“信息共享95888”~
*-----------------下载链接-----------------*
*资料收集不易,扫码私信获取解压密码*

*-----------------下载链接-----------------*
Y调研报告:奥迪e-tron电驱用日立双面水冷功率模块逆向分心(附下载)
Y调研报告:600/650V硅基氮化镓HEMT与超结MOSFET对比分析(附下载)
Y调研报告:汽车级低压硅Si MOSFET比较分析(附下载)
英飞凌:功率MOSFET应用手册和失效模式分析(2份-附下载)
英飞凌:功率MOSFET应用手册和失效模式分析(2份-附下载)
Y调研报告:650V Si IGBT技术、工艺与成本对比分析(附下载)
Y调研报告:2025年MEMS行业现状-市场和技术分析(附下载)
Y调研报告:1200V Si IGBT技术、工艺与成本对比分析(附下载)
Y调研报告:2024年SiC碳化硅晶体管-技术、工艺与成本对比(附下载)
Y-行业报告:《人工智能应用驱动下半导体行业发展展望》(附下载)
Y-GaN专刊2:《氮化镓半导体认证和可靠性》(5份-附下载)
Y-GaN专刊1:《氮化镓功率晶体管-器件、电路与应用》(5份-附下载)
Y-GaN专刊2:《氮化镓半导体认证和可靠性》(5份-附下载)
Y-GaN专刊1:《氮化镓功率晶体管-器件、电路与应用》(5份-附下载)
Y调研报告:《2025年功率电子行业现状——市场与技术报告》(附下载)


