AI 算力带动硅光、CPO 大规模普及，CW 连续波激光器成为硅光必备外置光源；国内外高功率 CW 芯片无代差，这条赛道将重构全球光芯片格局，拥有 IDM 全产线的国内企业迎来国产替代黄金机遇
一、
行业逻辑
1.技术路线定型
行业分化为 EML 传统方案、硅光 / CPO 两大路线。硅芯片无法发光，必须依靠外置 CW 激光器提供连续光源；未来 800G/1.6T 乃至 3.2T 高速模块、英伟达 CPO 交换机都会以 CW 为标准配套，长期成为行业主流方案。
2.市场空间爆发
全球激光器芯片 2024 年 26 亿美元→2030 年 229 亿美元，年复合增速 44.1%；数据中心是核心增量，增速高达 53.4%。其中 100mW 以上高功率 CW 增速 276.2%，是整条产业链弹性最大细分赛道。
3.CW 对比 EML 天然优势
EML 芯片发光 + 调制一体化，工艺复杂、扩产周期 2 年以上，当前全球产能紧缺；CW 只负责输出稳定强光，调制交给硅芯片，设计难度更低。单颗大功率 CW 可多路分光，减少激光器用量，降低整机成本与散热压力。
二、
产业链核心壁垒
制造 CW 芯片两大卡脖子环节：MOCVD 外延设备、电子束光栅工艺。
1.MOCVD 单台三千万，采购 + 调试周期 18-24 个月，是全行业产能硬瓶颈；
2.电子束光栅单片加工，外协成本是自产 3 倍；
只有IDM 垂直一体化企业（自研外延、晶圆、封装全流程）才能实现快速量产、控制成本，毛利率普遍突破 50%。
三、
国产替代重大机遇
1.市场格局：Lumentum、博通、三菱、美日企业占据六成以上份额，高端光芯片国产化率仅 4%；
2.技术同步：国内源杰同步研发 400mW 高功率 CW，产品无代际差距；
3.时间窗口：海外产能排单至 2027 年后，国内 ID 厂商 2-3 年窗口期快速抢占市场。
四、
投资风险
1.硅光、CPO 商业化落地速度不及预期；
2.高功率 CW 量产良率难以爬坡；
3.海外厂商扩产、地缘贸易限制冲击国内供应链。
