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兆易创新(603986)研究报告(二)

   日期:2026-06-20 02:27:23     来源:网络整理    作者:本站编辑    评论:0    
兆易创新(603986)研究报告(二)
上一篇请参考兆易创新(603986)研究报告(一)

三、瓶颈强度评估(5维度)

以下评分综合考量兆易创新的瓶颈节点复合地位。

3.1 市场集中度(Concentration)

评分依据:14/20 — NOR Flash全球第二/MCU国内第一,利基存储中国龙头

  • NOR Flash全球市占率23%,排名第二(仅次于华邦27%),CR4达76%(来源:国盛证券250612/国盛证券260507)
  • SLC NAND全球第六、中国大陆第一(来源:国盛证券250612/国盛证券260507)
  • 32位ARM通用MCU国内第一,量产69大系列、700+款产品(来源:兆易创新2025年报/36氪/毛利率57%)
  • 利基DRAM:通过长鑫科技独家合作快速崛起,26Q1收入占比已达约1/3(来源:兆易创新26Q1业绩说明会/36氪/毛利率57%)
  • 光模块MCU国内市场高份额,行业主流厂商大多采用GD32系列(来源:国盛证券260507)
  • 但全球利基存储仍有华邦、旺宏、南亚科等强竞争对手,非垄断格局

3.2 替代难度(Substitutability)

评分依据:13/20 — 长鑫独家绑定+多产品协同形成差异化,但单品替代性存在

  • 创始人朱一明同时任兆易创新+长鑫科技董事长,形成「设计+制造」深度绑定(来源:Tiger/存储对决/Futunn/年报分析)
  • 26年DRAM采购额从11.82亿暴增至57.1亿——产能锁定力度前所未有(来源:中泰证券/DRAM采购57亿/Futunn/年报分析)
  • NOR Flash 45nm制程量产提升技术壁垒(来源:36氪/毛利率57%/国盛证券250612)
  • 但NOR Flash可被华邦(27%份额)替代,MCU竞争者众(意法/NXP/国内同行)
  • 利基DRAM产品(DDR3/DDR4)本身技术壁垒不如HBM,长鑫产能是关键约束(来源:Magnanet/NOR Flash供应链)

3.3 扩产周期(Capacity Lead Time)

评分依据:15/20 — HBM产能转换不可逆+CXMT扩产周期2年+,利基产能恢复缓慢

  • HBM资本开支2024年三倍增长,利基制程投资持平——产能再分配不可逆(来源:Magnanet/NOR Flash供应链/EnkiAI/HBM危机)
  • 新建DRAM晶圆厂需2年+建设周期,设备交期12-18个月(来源:EnkiAI/HBM危机)
  • 三星/SK海力士/美光DDR4以下产线退役进度已定,不会因短期涨价重启(来源:36氪/毛利率57%/Tiger/存储对决)
  • 长鑫科技扩产亦受设备和工艺限制,产能增量需逐步释放(来源:Futunn/年报分析)
  • NOR Flash供应商内部资源竞争:DRAM/NAND需求挤压NOR产线资源(来源:Magnanet/NOR Flash供应链)

3.4 供需缺口(Supply-Demand Gap)

评分依据:18/20 — DDR4价格倒挂DDR5、Q1利润+523%、毛利率飙至57%

  • DDR4价格反超DDR5——历史罕见的价格倒挂,说明利基DRAM供给断层(来源:Tiger/存储对决)
  • 26Q1利润14.61亿(+522.8%),单季度已接近2025全年(16.48亿)
  • 26Q1毛利率57.08%,环比提升12.17个百分点(来源:兆易创新26Q1业绩说明会)
  • 26Q1营收41.88亿(+119.4%),存储量价齐升
  • 利基DRAM合约价持续上行约1年,议价周期已缩短(来源:兆易创新26Q1业绩说明会)
  • NOR Flash Q1季度涨幅30-100%,SLC NAND 25H2起量价齐升(来源:Tiger/存储对决/中原电子260515)
  • 26年全年DRAM采购额57.1亿vs25年11.82亿(+383%),需求极强(来源:中泰证券/DRAM采购57亿/Futunn/年报分析)

3.5 定价权/提价能力(Pricing Power)

评分依据:16/20 — 三大品类全线涨价,毛利率+12pp验证定价权

  • NOR Flash中高容量产品Q3/2025季度涨价10-20%,Q1/2026涨幅扩大至30-100%(来源:Tiger/存储对决)
  • 利基DRAM合约价持续上行1年+,公司表示不追求激进涨价以维护客户关系(来源:兆易创新26Q1业绩说明会)
  • SLC NAND 25H2量价齐升,毛利率环比明显改善(来源:中原电子260515/兆易创新2025年报)
  • 26Q1综合毛利率57.08%——IC设计公司中属于优秀水平(来源:兆易创新26Q1业绩说明会/36氪/毛利率57%)
  • 但公司主动控制涨价节奏(「不追求激进涨价」),实际定价权可能高于已行使水平(来源:兆易创新26Q1业绩说明会)

四、瓶颈强度总评

维度
评分
满分
关键判据
市场集中度
14
20
多品类利基存储领军地位+长鑫独家合作构成稀缺组合
替代难度
13
20
CXMT关系构成中国DRAM市场的独特壁垒,但NOR Flash/MCU有竞品
扩产周期
15
20
三大原厂不会在HBM景气期回头扩利基产能,结构性短缺持续2-3年
供需缺口
18
20
多维度硬数据验证利基存储供需极度紧张
定价权/提价能力
16
20
存储涨价周期中公司展现出强劲的盈利弹性

瓶颈强度五维度评分汇总

? 瓶颈强度:76/100 — 强瓶颈(AI挤出效应型)

兆易创新的瓶颈属性来自一种独特的机制:AI HBM超级周期的产能虹吸效应。三大原厂将产能不可逆地转向HBM/DDR5,在利基存储市场创造了结构性供给真空。兆易创新凭借NOR Flash全球#2、长鑫CXMT独家DRAM合作、MCU国内#1的组合优势,成为填补这一真空的核心标的。26Q1利润+523%和毛利率57%是瓶颈红利的直接体现。与「卡脖子」型瓶颈(如东山精密的EML光芯片)不同,兆易的瓶颈护城河更依赖于行业产能再分配的持续性,而非不可替代的技术壁垒。

五、投资结论

综合评定 76分

瓶颈强度76/100(强瓶颈)。兆易创新的瓶颈价值来自AI HBM超级周期的产能虹吸效应——三大原厂不可逆地退出利基存储,创造结构性供给真空。公司凭借NOR Flash全球#2(23%)、长鑫CXMT独家DRAM合作、MCU国内#1的组合,是中国利基存储市场的绝对龙头。26Q1利润+523%、毛利率57%是瓶颈红利的硬数据验证。

主要风险是存储周期拐点——若AI HBM需求放缓导致产能回流利基市场,涨价逻辑将逆转。当前毛利率57%处于历史高位,下行风险大于上行。估值方面,一致预期46.54亿明显滞后,但即使按券商高值76.89亿计算,前瞻PE仍达57x(2026年),需要持续超预期才能消化。长鑫依赖和地缘制裁风险为中期隐患。

 
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