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存储调研:国产机遇与下一个黑马市场

   日期:2026-06-20 01:40:37     来源:网络整理    作者:本站编辑    评论:0    
存储调研:国产机遇与下一个黑马市场

现在的供需缺口,比我们年初预想的要大得多。”一位存储芯片领域的资深专家在接受调研时直言不讳。

这次的专家调研围绕全球DRAM和NAND市场。核心结论令人震惊:2026年至2028年,存储芯片供需缺口将持续存在,预计要到2029年才能看到明显收敛。

这不是一个简单的涨跌周期,而是一场改写全球存储芯片产业格局的“持久战”。

一、三年内供给追不上需求

根据专家披露的数据,2026年DRAM的Bit需求年增长率预计在22%左右,NAND约为23%。而供给端,两者的年增长率均约为17%。需求与供给之间,存在明显的剪刀差。

更令人焦虑的是,这个缺口在未来三年内不仅不会缩小,反而可能维持甚至扩大。

“2027年DRAM的需求增速预计达到28%,NAND是29%。供给只能做到21%和23%。”专家强调,“供需缺口呈现微弱收敛的趋势,但2028年依旧如此。”

那么,2028年之后呢?

专家给出了两种情景:如果当前正在谈判的长期协议进展顺利,2028年DRAM需求增速有望达到29%-30%,NAND可达31%-32%,而供给增速预计将提升至25%、26%左右。

“尽管供给增速有所加快,但与需求增速相比仍存在较大缺口。缺口可能要到2029年才进一步缩小,但市场仍将处于供应紧张状态。”专家的话,给所有想等“降价”的人泼了一盆冷水。

二、这场“长协”谈判,才是真正的胜负手

这次调研中最值得关注的部分,是正在进行的长期协议谈判。

“目前各主要厂商的长期协议谈判正在火热进行,预计将在2026年第三季度内完成。”专家透露,“这个时间点至关重要,如果谈判延迟,将难以在2028年第四季度实现显著的供应量增加。”

谈判的目标是签订为期三至五年的协议,可能会先推出三年期版本。谈判的优先对象,是美国的CSP客户(云服务提供商)。

这些客户有多重要?专家给出一个数字:这些客户的需求在全球产能分配中占比超过30%。

更关键的是,一旦美国客户的版本敲定,原厂可能会以此为蓝本与国内的服务器和手机客户进行谈判。如果国内客户也纳入协议范围,那么中美两地客户所锁定的三年期产能,将覆盖全球总产能的90%以上

这个数据意味着什么?意味着未来三年,大部分存储芯片的供应已经被“锁定”,普通客户想“捡漏”几乎不可能

“这次长协和以往完全不同。”专家特别强调,“过去的年度长协更像是合作备忘录,约束力很弱。双方即使违约也无实质性后果。而本轮长协引入了定金、明确的价格条款和赔偿条款这三大核心要素,约束力显著增强。”

这轮协议,不是签着玩的。

三、价格何时见顶?真相可能超出预期

很多人在问:存储芯片什么时候会降价?

专家的答案,可能让很多人失望。

“预计2026年内不会出现价格拐点,价格将持续上涨至年底。”

2027年呢?专家认为,对于签订长协的客户,价格可能在2026年Q4的基础上温和上涨10%-15%;对于非长协客户,涨价幅度会更高。“2027年行业均价仍有较大可能实现20%到30%的同比增长。”

直到2028年,随着供应规模扩大,对长协客户可能出现小幅让利,比如价格下调5%到8%。但对于非长协客户,“价格可能不会松动”。

换句话说,至少未来一年半内,存储芯片的价格或只会往上走,不会往下掉

四、产业逻辑:资本支出的“豪赌”

“预计三大原厂2026年的平均Capex同比增长率将达到40%左右,这一预期远高于年初预测的20%以上。展望2027年,Capex增速预计会进一步提升。”专家透露。

资本支出加速增长,是因为长期协议的谈判前景乐观。“由于资本投资需要提前布局,以满满足两三年后的需求,强劲的长期需求预期使得厂商在2027年加大投资力度。”

这些钱都投在哪里?专家指出,主要分为两部分:技术改造和基础设施建设。其中,新建厂房和产线基建是“大头”,而技术改造的开支相对较少。

技术改造是成本效益更高的方式,但大规模产能扩张仍需依赖高投入的基建。

五、国产存储的“逆袭”与隐忧

专家特别关注了中国大陆存储厂商的表现。

“中国大陆主要DRAM厂商的产能扩张速度较快,但bit位元产出增速预计略低于行业17%的平均水平。”专家指出,“这主要是因为其制程技术相对落后,与海外领先厂商存在约三代的技术差距。”

具体来看,中国大陆厂商目前最先进的量产DRAM制程是1z(16nm级别),而海外领先企业正在攻克1d制程,预计2026年底可实现量产。两者之间的技术差距为三到四代

更严峻的是,由于EUV光刻机无法获取,技术追赶面临巨大挑战。

“在没有EUV的情况下,追赶可能要四到五年。中国大陆厂商或许可以尝试使用DUV技术推进到1b制程,但将面临严峻的良率问题。”专家坦言。

那么,国产存储的真正机会在哪里?

专家认为,中国厂商市场份额的显著提升将出现在2028年之后,至少需要两年时间才能显现规模效应。而其核心驱动力,将是规模扩张,而非技术改进。

“单纯依靠技术改进难以缩小与海外领先厂商的差距,因为海外厂商在技术上持续进步,且不受设备限制。”

一个有意思的细节是:“当前整个行业正处于有史以来盈利能力最强的时期”,为国产产能扩张提供了强大支撑。

六、车载存储:下一个“黑马”市场

在所有终端应用中,车载存储被认为是最值得关注的细分赛道。

车载市场是一个显著的亮点,增速非常快。”专家强调,“这主要得益于单车搭载容量的大幅增加。ADAS和智能座舱都需要大容量存储,特别是ADAS系统会使用大量存储芯片。”

更重要的是,车载市场对高价的接受度远高于手机市场。“车载和机器人市场的增长,有望弥补手机市场的下滑。”

专家甚至警告:“2026年车载存储市场可能面临比服务器市场更严重的缺口。”

七、机器人:两年后的“爆点”

如果说车载是当下的亮点,那么机器人就是未来的“爆点”。

“机器人单机内存容量巨大,虽然目前不及汽车,但预计两三年后可能超过高端汽车。”专家分析,“预计在2027或2028年,随着特斯拉等厂商实现规模化生产,将带动整个行业放量,形成可观的市场规模。其远期需求可能与汽车市场相当。”

值得注意的是,机器人和车载市场所用的产品类型相似,多为车规级产品。这意味着,这两个市场将成为存储芯片厂商新的“金矿”。

八、写在最后:谁将成为最后的赢家?

在当前这轮超级周期中,存储芯片厂商的地位正在发生微妙变化。

海外厂商正加速向北美迁移产能。三星和公司已承诺在美国投资建厂,最快可能在2028年底投产。而国产厂商则在积极布局国内市场,同时争取北美消费类产品订单。

一场围绕产能、技术和客户关系的鏖战,正在上演。

对于那些等待存储芯片降价的朋友,专家的建议很明确:“抓紧时间锁定供应,别等到最后一刻。”

而对于产业人士而言,或许更应该关注长期协议的谈判结果——它将是未来三年全球存储芯片市场格局的“风向标”。

以下是调研提纲,加入星球看原文。

Q:2026 年至 2028 年全球 DRAM 和 NAND 市场的供需缺口预计将如何演变?缺口是在放大还是在收敛?

Q:关于影响 2028 年供需格局的长期协议,其谈判预计何时能有定论?协议的期限、主要谈判对象以及覆盖的产能范围是怎样的?

Q:在新的长期协议模式下,锁定的出货节奏与客户的真实需求是否匹配?

Q:全球主要 DRAM 厂商的产能扩张计划是怎样的?

Q:在考虑了技改因素后,三星、公司和美光在 2026 年的产出增速分别是多少?以及他们各自的市场份额情况如何?

Q:中国大陆主要 DRAM 厂商,与其产能扩张速度相比,其 bit 位元产出增速表现如何?

Q:中国大陆 DRAM 厂商在制程技术上与海外领先企业存在多大差距?在当前设备限制下,其技术追赶的前景如何?

Q:考虑到美光在技术和产能扩张上相对保守,而中国大陆厂商则积极扩大晶圆投片量,这是否意味着中国厂商能够通过规模扩张来持续提升市场份额,从而对美光及韩国厂商构成风险?

Q:中国存储厂商通过大规模扩产实现市场份额显著提升的时间拐点预计在何时?其主要驱动力是技术改进还是规模扩张?

Q:为什么判断中国存储厂商的扩产速度在 2028 年之后会比当前(2026-2028 年)更快?

Q:与国内厂商依赖新建工厂扩产相比,海外厂商的产能增长模式有何不同?从资本效率角度看,技术改造是否比新建工厂更优?

Q:海外领先厂商在 DRAM 技术上是否存在技术瓶颈?下一代 3D DRAM 技术的研发进展和潜在壁垒是什么?

Q:DRAM 和 NAND 的终端价格预计何时出现拐点?未来几年(2026-2028 年)的价格走势如何?

Q:三大存储原厂在 2026 年和 2027 年的资本支出增速预期如何?增速提升的主要原因是什么?

Q:资本支出在技术改造和新建产能之间是如何分配的?

Q:如何理解晶圆产能扩张中投资与产出的时间关系,以及相关的成本构成?

Q:未来几年中国国产晶圆产能释放的确定性?

Q:当前的 DRAM 与 NAND 周期与以往相比有何不同?

Q:与过去相比,本轮周期中存储原厂与客户签订的长协有何显著变化?

Q:考虑到国产存储产能的扩张,其对全球市场价格的影响将在何时显现,具体会通过何种方式产生影响?

Q:预计到 2029 年,国内存储产能的投片量增速将达到什么水平?

Q:在同等口径下,国产存储厂商与韩国厂商的成本结构和毛利率有何差异,未来这一趋势将如何演变?

Q:HBM 市场的供需状况、价格趋势以及中国厂商的追赶情况如何?

Q:您如何评价 AI、PC、消费电子、车载及物联网等终端应用在未来几年的需求前景,以及存储价格上涨是否会对这些领域的需求产生抑制作用?

Q:各类存储应用未来的市场前景和增长预期如何?

Q:国产 LPDDR5 的量产进度如何,预计何时能实现规模化供应?

Q:国产 NAND 的产能增速预期如何,其技术追赶速度与 DRAM 相比有何差异?

Q:关于三星和公司将 80% 的 Capex 投向 HBM 领域的说法是否准确?资本支出在不同产品间的实际分配情况是怎样的?

Q:AI 对存储需求的拉动作用是否被低估?以及国产存储的扩张对市场格局的长期影响如何?

Q:在 HBM 和 NAND 领域,1 美元的投资分别能产生多少销售额?

Q:从景气度持续性的角度看,企业级 SSD 与消费级 NAND 的市场前景如何?

Q:考虑到地缘政治因素,海外存储厂商是否会主动将其产能向北美迁移?国产存储厂商是否有机会获得北美市场的订单?

Q:跟踪存储行业景气度的关键指标有哪些?现货市场价格是否具有参考意义?

Q:下一次存储长协价格出现重大变化预计在何时?其谈判节奏与以往有何不同?

免责声明:本文内容基于公开报告/纪要整理,仅为信息分享。文中观点基于报告/纪要翻译与总结,或有不正确之处,请以原文为准。所有内容包括评级随时会有调整,不构成任何具体的投资建议。
 
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