随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装已成为延续芯片性能、释放算力潜能的核心破局路径。作为先进封装领域的 “终极互连技术”，混合键合（Hybrid Bonding）通过介电键合与铜 - 铜直接键合的协同工艺，彻底摒弃传统焊料凸块的结构限制，实现了芯片间高密度、低功耗、短距离的三维互连 —— 这正是 AI 算力爆发下，HBM 高带宽内存、3D IC 异构集成等高端场景必选其作为核心工艺的底层逻辑(1、2)。
从产业节奏看，2025-2026 年是国内混合键合行业的关键量产拐点：技术端已实现从实验室研发到规模化量产的核心突破；市场端则完成从 “外资主导” 到 “国产设备切入主流产线” 的结构性转变；应用场景也从早期的图像传感器、低端存储领域，集中向 HBM 这一价值量最高、技术要求最严苛的赛道迁移(127)。
从国内产业的垂直发展维度看，2020 年以来的布局进程清晰呈现出 “技术追赶 — 国产替代 — 超越国际” 的三阶段特征：2020-2023 年是国内厂商的技术奠基与验证期，头部企业完成核心样机研发并通过下游客户工艺测试；2024-2025 年进入国产替代加速期，本土设备商在国内市场的份额显著提升，从不足 10% 跃升至 40% 以上；2026 年以后，行业将进入技术与国际头部厂商并行甚至局部反超的阶段 —— 这一进程中，国内厂商不仅实现技术量产的从 0 到 1，更在 HBM 这一全球算力竞赛的核心赛道上，与下游存储、封测头部企业完成了从设备选型到工艺适配的全链条协同绑定(140)。
当前，国内混合键合行业的商业化驱动逻辑已完全成熟：上游设备端形成以拓荆科技、芯慧联芯、迈为股份、北方华创为第一梯队的国产供应商矩阵；中游封测端以长电科技、通富微电、华天科技等头部企业为核心，建成一批具备行业标杆意义的混合键合先进封装产线；下游存储端以长江存储、长鑫存储两大国产存储龙头为核心，带动海量高端设备采购需求 —— 此外，在自主可控的行业底层逻辑下，国内产业链各环节的协同绑定趋势正持续强化(59)。
2026年8月5日至7日,第27届电子封装技术国际会议（ICEPT 2026）特别专题论坛——iHBC2026国际混合研讨会期待您的大驾光临，共续华章。本报告将采用 “2+3” 组合框架展开深度解读：第一部分锚定行业发展格局与产品技术竞争力这 2 大核心维度，拆解国内混合键合行业的发展现状、技术水位及全球定位；第二部分串联下游客户导入进度、实际量产落地情况、长期发展目标这 3 项业务支撑要素，完整呈现行业从技术端到产业端的商业化全链路，为参会者提供从底层逻辑到落地细节的全景式行业洞察。
第一部分：行业核心格局与产品技术竞争力（2 大核心维度）
iHBC2026会议前瞻核心宣讲逻辑，“2+3” 组合框架的前半部分，是从行业宏观格局与微观产品技术两个底层维度，锚定国内混合键合行业的当前产业定位与长期发展底气 —— 这是理解行业后续落地节奏的前提基础。
一、维度一：行业发展格局（2020-2026）
全球混合键合设备市场长期呈现 “海外双巨头主导” 的高度集中格局：荷兰 BESI 与奥地利 EVG 是全球绝对龙头，其中 BESI 的旗舰级混合键合设备拥有 100nm 的最高对准精度、每小时 2000 颗晶圆的加工吞吐量，其与全球半导体设备龙头应用材料（AMAT）达成股权层面的深度战略合作，进一步强化了在高端产线的综合服务壁垒；EVG 则在高端工艺应用领域布局深厚，拥有成熟的全流程工艺支持体系(40)。
但这一全球产业格局，正被国内厂商的国产化替代进程结构性重构 —— 而国内产业的突破节奏，完全是 “政策引导 + 技术攻坚 + 客户协同” 三重合力下的逆势崛起。
1.1 国内布局进程（2020-2026）
国内混合键合产业的布局启动时间节点，与全球行业发展的拐点高度重合 ——2020 年前后，全球先进封装行业开始明确从传统热压键合技术向混合键合技术迁移，国内头部设备商同步启动技术预研，正式切入这一赛道。从进展维度看，国内产业布局进程清晰分为三个明确的阶段：
•2020-2023 年：技术奠基与产品验证期：国内头部厂商完成混合键合技术从原理突破到工程样机落地的核心跨越，实现了关键工艺参数的量产级达标。这一阶段的标志性事件集中在 2023 年集中落地：拓荆科技的核心量产级混合键合设备 Dione 300（晶圆对晶圆 / W2W 键合模式）正式通过国内头部客户工艺验证，成为国内首台突破产业化壁垒的量产级设备；青禾晶元推出 SAB 82CWW 系列双模式混合键合设备，可适配晶圆对晶圆（W2W）、芯片对晶圆（D2W）两种主流键合场景，同步切入 Chiplet 先进封装赛道；芯慧联芯的母公司在这一阶段完成核心工艺模块研发，为后续设备量产交付奠定了技术基础(140)。
•2024-2025 年：国产替代与商业化爬坡期：国内混合键合行业的突破节奏从技术端完全切换到市场端，国产设备从 “实验室样机” 正式升级为 “可稳定量产的工业级成熟装备”，国产化率实现显著提升。在头部厂商进展方面：拓荆科技的 Dione 300 设备实现批量交付，截至 2024 年上半年已持续获得重复订单，其针对芯片对晶圆（D2W）场景开发的 Pleione 300 型设备，也在 2025 年进入头部客户端量产验证环节；芯慧联芯在江苏常熟举行盛大的设备出机仪式，旗下 SIRIUS RT300（D2W 键合场景）、CANOPUS RT300（W2W 键合场景）两款核心混合键合设备正式下线，成为国内少数可实现全流程量产供应的设备商；迈为股份在 2025 年第四季度正式发布首代量产级混合键合装备 HybridBond-X1，随后进入头部客户送样验证阶段。从行业数据来看，2025 年国内新建的 2.5D/3D 高端封装产线中，国产混合键合设备的采购占比达到 43.7%，较 2024 年的 29.5% 大幅提升 14.2 个百分点；整个行业的国产化率（以国内市场营收占比计）也从 2024 年的不足 10%，跃升至 2025 年的 68.5%，实现了行业级的国产替代跨越(121)。
•2026 年及以后：全球竞争与技术反超期：国内混合键合设备商的技术和市场突破，开始从 “国内替代” 切换为 “全球范围与头部厂商同台竞技”。这一转变的核心支撑有三点：一是技术端，国内设备商已覆盖 W2W、D2W 两大主流技术路径，形成了完整的产品矩阵；二是客户端，国产设备已进入头部存储厂商的核心供应商名单，获得了长期、稳定的批量订单；三是产业生态端，国内设备商已从单一设备供应，升级为覆盖键合前预处理、键合工艺、键后检测的全流程解决方案提供商 —— 以拓荆科技为例，其混合键合业务已覆盖 Propus 表面预处理设备、Crux 300 量测设备、Ascella 300 强度检测设备的全流程配套设备体系，可向下游客户提供覆盖工艺全环节的量产级整体方案(121)。
1.2 市场份额与竞争格局
2025 年是国内混合键合行业的分水岭 —— 此前行业的主要矛盾是 “国产设备技术能不能用”，而 2025 年之后主要矛盾完全切换为 “国产设备能用、好用，且客户愿意批量用”。从市场结构来看，2025 年国内混合键合行业呈现出 “外资巨头仍占优，但国产头部厂商快速抢占核心增量市场” 的鲜明格局：
•全球厂商格局：在国内市场，外资头部厂商仍占据传统高端市场的主要份额 ——2025 年，BESI、EVG、应用材料（AMAT）三家外资企业合计占据国内混合键合设备市场的近八成份额，剩余份额则由国产头部厂商抢占；但从增量市场看，外资厂商的客户结构已从传统存储、逻辑封装领域，部分转向功率器件、MEMS 传感器等新兴细分封装赛道。
•国产厂商格局：国内头部厂商已在存量市场形成明确的技术梯队，且彼此间形成了差异化的技术壁垒：拓荆科技是国内混合键合行业的绝对头部，其 2025 年混合键合业务营收占国内主流市场份额的 10%，是国内唯一实现混合键合设备批量量产供应的企业；芯慧联芯是国内关键技术自主可控的核心标杆，其核心设备的关键工艺参数达到国际行业领先水平；迈为股份、北方华创等企业，则在 2025 年下半年完成了首代混合键合设备的交付，切入国内高端存储封装市场。
•国产化节奏：最具行业标志性的指标是国内新建产线的国产设备采纳率 ——2025 年国内新建的 27 条高端封装产线中，国产设备采购占比达 43.7%；而 2026 年这一比例预计将进一步攀升至 52.1%，标志着国产设备已从 “能用” 跨越到 “敢用、愿用” 的产业新阶段(121)。
二、维度二：产品性能与技术核心竞争力
混合键合技术的核心逻辑，是 “用铜 - 铜直接互连，替代传统焊料凸块”—— 这一技术路径的重构，直接将芯片层间的互连密度、功耗、带宽三大核心指标，提升了数个量级。而国内混合键合技术的追赶进程，本质上就是对这三大核心指标的量产级达标，以及在 HBM 这一高端场景的适配性突破。
2.1 混合键合技术原理与关键优势
混合键合技术并非单一工艺，而是 “介电键合 + 铜 - 铜直接互连” 两种工艺的协同结合 —— 先通过介电材料（如二氧化硅）的表面活化处理，实现芯片或晶圆间的精准对准，再通过高温退火工艺，让上下两层的铜电极直接结合，形成垂直互连结构。这一工艺完全消除了传统微凸块结构的物理限制与寄生效应，其技术优势可通过三组行业级量化数据直观体现：
•超高互连密度：混合键合技术可实现的典型互连间距缩小至 9μm（当前行业主流量产工艺基线水平），领先的研发工艺线正在攻克 3μm 级别的量产技术；对应的单位面积 I/O 连接点数量可超过每平方毫米 1 万个 —— 这一水平比传统微凸块技术高出三个数量级（1000 倍）以上。
•极致低功耗：由于取消了传统焊料凸块的中间连接结构，铜 - 铜直接互连的信号传输路径大幅缩短，这让单位数据传输功耗显著降低 —— 根据 SK 海力士的公开测试数据，采用混合键合工艺的 HBM 芯片，其数据传输功耗较传统工艺降低了 30% 以上；这一优势在大规模算力集群场景中，将被放大成极致的能效比。
•超高带宽：更短的信号传输路径，搭配更密集的互连结构，让混合键合工艺可以支撑 HBM 堆栈的超宽总线并行传输 —— 这是 HBM 从第三代（HBM3）开始，带宽实现跨越式提升的底层技术支撑，也是其能匹配 AI 芯片高带宽数据传输需求的核心基础。
正是这些技术优势，让混合键合从 “可选技术” 升级为 “必选技术”—— 尤其是在 HBM、3D IC 异构集成这类对互连密度、功耗有着硬性技术门槛的高端场景中，已经没有其他技术路径可以替代。而国内设备商的技术进展，也正是在这三大指标上实现了量产级的全面突破(31)。
2.2 国内厂商技术突破亮点
2025-2026 年，国内混合键合设备商在核心技术指标上，实现了对国际头部厂商的追赶 —— 部分关键工艺指标甚至实现了反超，足以支撑 HBM3 及更高阶 HBM3E、HBM4 的量产工艺要求。从头部厂商的核心技术进展来看：
•拓荆科技：作为国内混合键合设备的领军企业，其核心技术优势在于 “把薄膜沉积工艺的技术壁垒，平移到了混合键合工艺中”—— 这是其天然的技术协同壁垒。其主力量产级设备 Dione 300（晶圆对晶圆 / W2W 键合场景），可实现常温条件下多材料表面的高精度键合，关键工艺参数、设备连续运行稳定性、工艺覆盖均匀性均达到了国际同类产品的量产级水平；该设备在 2023 年通过头部客户验证，截至 2024 年上半年，首台订单均实现重复采购，标志着其已彻底突破商业化壁垒；另一款针对芯片对晶圆（D2W）场景开发的 Pleione 300 型设备，是国内少数可适配这一主流场景的量产级设备，2025 年进入头部客户端量产验证环节。
•芯慧联芯：作为行业技术 “隐形冠军”，其核心技术水位足以比肩国际头部厂商 —— 根据公开行业数据，其混合键合设备的静态对准精度可达 16nm、动态对准精度可达 50nm，这一水平与国际头部厂商 EVG 的旗舰级产品完全持平；在键合工艺质量层面，其设备实现的铜 - 铜键合接触电阻可控制在 5mΩ 以下，界面漏电水平低于 1nA，寄生电容小于 1fF—— 这一工艺水平，足以支撑 HBM 的多层堆叠量产要求。更关键的是，该企业是国内少数同时掌握 W2W、D2W 两种键合场景量产级技术方案的供应商，其 D2W 混合键合设备 SIRIUS RT300、W2W 混合键合设备 CANOPUS RT300 均已实现量产交付，是国内头部存储厂商的核心合作方。
•迈为股份：2025 年第四季度正式发布首代量产级混合键合装备 HybridBond-X1，随后进入头部客户送样验证阶段 —— 该设备的核心工艺指标，已针对性匹配国内 HBM3 量产的工艺需求，是长鑫存储 HBM 产线的重点扶持国产供应商。
•北方华创：在 2026 年 SEMICON 半导体展会上，正式推出首代混合键合工艺设备 Qomola HPD30—— 其核心技术竞争力在于 “全工艺链路的协同整合能力”：该设备可实现高精度键合、表面预处理的一体化集成，其配套工艺模块可与公司前道晶圆制造设备的工艺体系实现无缝衔接，是国内唯一具备这一整合能力的供应商。
值得强调的是，国内厂商的技术突破，并非单一设备参数的突破，而是构建了覆盖 “键合前晶圆表面预处理→高精度对准→批量键合→键合后工艺检测” 的全流程工艺壁垒 —— 这是国产设备能进入头部客户核心产线的关键前提。此外，国内厂商的技术方案，还针对性优化了国产高端存储产线的适配性 —— 比如针对长江存储、长鑫存储不同类型的 HBM、3D NAND 产线工艺特点，定制化调整设备的工艺参数细节；这是国际头部厂商短期内无法匹配的技术服务优势(69)。
2.3 应用于 HBM3 的优势与技术指标
HBM 是当前混合键合技术价值量最高、技术要求最严苛的应用场景 —— 也是全球头部设备商的必争之地。从技术适配性来看，国内混合键合技术已完全达到 HBM3 及 HBM3E 的量产工艺要求，在关键技术指标上，与国际头部厂商的产品无明显代差，且在部分工艺细节上，针对性优化了适配国内存储产线的本地话优势。
具体而言，国内混合键合技术在 HBM3 场景中的支撑性优势，可以细化为三个维度的量化表现：
•极致互连间距压缩，支撑更高堆叠层数：国内设备的量产级键合间距已达到 9μm 的行业基线水平，这一技术水平是支撑 HBM 实现更高堆叠层数的核心前提 —— 以 SK 海力士的 HBM3E 技术方案为例，其 12 层 DRAM 裸片堆叠的总高度被严格限制到 775μm 以内，这一工艺要求的底层支撑，正是混合键合技术的超细间距互连能力；而国内设备的工艺水平，足以匹配这一量产级要求；更关键的是，国内头部设备商的研发线，已在攻克 3μm 级别的下一代量产工艺 —— 这是支撑未来 20 层以上堆叠的 HBM5 的关键技术储备。
•优化的互连工艺，提升带宽与能效比：采用混合键合工艺后，HBM3 的 DRAM 裸片层间互连长度，较传统工艺缩短了约 40%—— 这一改进的直接效果，是信号传输延迟的显著降低，以及带宽的对应提升；以英伟达 H200 计算卡的核心架构为例，其正是通过混合键合工艺，将 HBM3E 显存与计算核心的垂直堆叠距离大幅缩短，最终让有效带宽利用率提升了 92%；同时，这一工艺改进还将单位数据传输功耗降低了 30% 以上 —— 这一优势，在超大规模 AI 数据中心集群场景中，是降低运营成本的核心支撑。
•国产化工艺协同，保障供应链稳定性：这是国内厂商在 HBM 赛道上的独有关键壁垒 —— 国产存储厂商标配国产混合键合设备，可实现从设备到工艺的全流程本土化技术协同，避免海外设备供应的交付周期、地缘政治风险等不确定性问题。2025 年的行业数据已验证这一优势的可落地性：国内头部存储厂商的 HBM3 验证线，采用国产混合键合设备生产的 HBM3 样品，关键工艺参数、封装良率均达到国际头部厂商的同等水平。
正是这些技术优势，让咱们国内混合键合设备商成功切入了头部存储厂商的核心供应商短名单 —— 也为后续 HBM 量产阶段的批量采购，奠定了坚实的技术基础(101)。
2.4 与国际头部厂商的技术差距对比
尽管国内厂商已实现技术量产的从 0 到 1，完成了国产化替代的关键跨越，但从全球产业技术水位来看，国内设备商与国际头部厂商仍存在三个维度的明显技术代差 —— 这也决定了当前国内设备商的主流应用场景，以及后续技术迭代的核心方向：
•设备工艺稳定性差距：这是国内设备商最核心的技术短板 —— 在高精度对准工艺的长期一致性、核心工艺模块连续运行稳定性、复杂工艺下的良率保障性等关键维度上，国产设备仍有明显差距。实测数据显示，国际头部厂商的设备可实现连续运行 30 天以上无工艺偏差；而国产设备的连续运行无工艺偏差时长，仅为其 1/3 左右 —— 这一差异直接反映在客户产线的综合运维效率上。
•关键零部件自主化差距：国内设备商的核心子系统仍存在明显的进口依赖 —— 超高精密运动控制模块、高精度压电驱动模块、真空腔体核心部件等关键子系统，仍主要依赖德国、日本、瑞士等国的供应商；这一现状不仅推高了国产设备的整体制造成本，也延长了设备的交付周期，同时还存在供应链弹性不足的潜在风险。
•量产工艺整合能力差距：国际头部厂商的设备，已在全球多家头部存储厂商的 HBM4/5 先进封装产线中，实现了千片级量产的工艺验证；而国内设备商的量产级工艺整合能力，仍局限于中低工艺难度的场景，尚未在头部存储厂商的高端产线中，爷没实现大规模量产级的工艺验证。
但需要强调的是，这一技术代差的影响，正随着国内产业协同的加速而逐步收窄 ——2025 年国内混合键合设备的核心零部件国产化率已达 67.5%，较 2024 年提升了近 15 个百分点；同时，国内设备商与下游头部存储、封测厂商的联合工艺验证节奏也在加快 —— 双方已成立联合工艺攻关小组，针对性优化国产设备在 HBM 场景下的工艺稳定性。从行业趋势来看，这一技术代差有望在 2028 年进一步收窄，部分场景甚至有望实现局部反超(121)。
第二部分：下游客户导入、量产情况与长期发展目标（3 大支撑要素）
“2+3” 组合框架的后半部分，是从产业落地端，通过下游客户导入进度、实际量产落地情况、长期发展目标三大核心支撑要素，完整呈现国内混合键合行业从技术端到产业端的商业化闭环 —— 这也是行业高景气度的最直接佐证。
三、支撑要素一：下游客户导入进度
混合键合设备的下游客户结构高度集中 —— 主要是存储芯片厂商（HBM、3D NAND）与先进封装厂商（Foundry/OSAT）。由于工艺验证门槛极高、设备价值量巨大，客户导入是行业发展节奏的核心支撑点 —— 而国内产业的客户导入节奏，已在 2025 年完成了从 “外资设备主导” 到 “国产设备进入主流供应商名单” 的关键转折。
3.1 核心下游采购商群体
从全球产业的价值传导逻辑来看，混合键合设备的下游需求发起端，是存储芯片厂商的 HBM 扩产计划；而先进封装厂商 / 代工厂商，则是连接设备商与存储厂商的工艺落地中间节点（有意思的是国内顶级的封装厂一亿买了海外的设备一直停放在产线里）这一逻辑下，国内行业的核心采购商群体清晰分为三大类，且彼此间形成了严格的 “工艺验证 - 订单释放” 联动机制：
•存储芯片原厂：是混合键合设备需求的最终定义方，也是行业级扩产需求的源头 —— 决定着整个产业链的长期扩产节奏。国内核心主体主要是长江存储、长鑫存储两大行业龙头：长江存储是国内 3D NAND Flash 领域的龙头，其混合键合技术布局不仅支撑自家高端堆叠 NAND 的生产，也计划未来向 HBM 领域延伸；长鑫存储是国内 DRAM 领域的头部厂商，其 HBM3 量产计划是国内混合键合设备的核心驱动需求。
•先进封装厂商 / 代工厂商（OSAT） ：是混合键合设备的直接采购主体，也是工艺落地的关键承载方 —— 是连接设备商技术方案与存储厂商量产需求的核心中间环节。这类企业的行业话语权，取决于其在高端封装领域的客户资源与工艺整合能力。
•头部晶圆代工厂：是逻辑端先进封装（如 3D IC、Chiplet）的核心需求方，也是混合键合设备的重要补充类客户 —— 这一赛道的需求价值量，长期来看将向存储端的核心需求靠拢。国内以中芯国际为核心主体，其在先进封装领域的布局进展，将决定后续逻辑端混合键合设备需求的增量规模(59)。
3.2 国内客户导入与订单分布进展
2025 年是国内混合键合行业的订单拐点 —— 此前国内客户的混合键合设备订单，基本全部来自国际头部厂商；但 2025 年，国产设备开始获得头部客户的批量订单，客户结构与订单分布都发生了实质性变化。从行业维度看，下游采购与订单分布呈现出三个明确的集中性特征：
•客户集中度高，头部订单决定行业景气度：2025 年国内键合设备（含传统键合与混合键合）的下游采购高度集中 —— 前五大封测厂商合计采购金额占全行业的 73.6%。其中，长电科技、通富微电、华天科技、瑞幸咖啡、盛合晶微是国内最主要的混合键合设备采购方；这五家企业的混合键合设备采购量，决定了国内行业的短期增长节奏。
•存储是核心应用场景，国产设备订单高度集中：从应用场景结构看，2025 年国内混合键合设备的新增订单中，83.6% 来自存储芯片厂商的 HBM 产线配套需求；其中，长江存储贡献了总订单量的 41.2%，长鑫存储贡献了 29.7%—— 这两家头部存储厂商的订单增量，直接决定了国内混合键合设备行业的短期增长节奏。剩余订单中，16.4% 来自逻辑芯片代工厂（如中芯国际）的 3D IC 先进封装产线需求。
•头部设备商的客户绑定格局已成型：国内头部设备商均与下游头部存储、封测厂商，形成了明确的定点合作关系 —— 部分二线封测厂商甚至专门在存储原厂聚集地附近建厂，以贴身对接客户的产线落地节奏。更关键的是，国内头部设备商已进入核心客户的核心供应商名单，获得了长期、稳定的批量订单。
这一订单结构变化，本质上是国内混合键合产业协同从 “技术验证” 转向 “批量落地” 的直接信号 —— 而这一信号的后续传导，将直接决定 2026 年及以后的行业增长节奏(121)。
3.3 头部存储厂商技术进度与设备采购倾向性
国内头部存储厂商的 HBM 技术进度，是行业发展的核心风向标 —— 而其设备采购的倾向性，直接决定了国产设备的长期增长空间。从公开信息来看，长江存储、长鑫存储两大头部厂商的技术路线、扩产节奏及国产设备采购偏好，均已明确落地：
•长鑫存储：作为国产 HBM 赛道的核心领先玩家，其 HBM 技术路线图对于国内产业链的支撑价值极高 —— 跳过 HBM2E 直接布局 HBM3，样品已送样华为昇腾算力平台。其技术进度节点，与国产设备的适配节奏完全匹配：2025 年下半年，将迈为股份、北方华创列为 HBM 产线核心国产设备供应商；2026 年上半年，其 HBM3 产线完成国产混合键合设备的工艺验证，进入小批量采购阶段；规划 2026 年末实现 HBM3 的小批量量产，2027 年升级量产 HBM3E。更关键的是，长鑫存储已在内部供应商名录中，将国内头部设备商与国际头部厂商列为同一优先级供应商 —— 后续扩产将优先选用符合工艺标准的国产设备。
•长江存储：作为国内 3D NAND 领域的龙头，其技术布局采用 “两手抓” 策略 —— 一方面将混合键合技术应用于高端堆叠 3D NAND 产线，支撑其 430 层以上堆叠的 NAND 产品量产；另一方面，同步布局 HBM 级存储堆叠工艺，计划将混合键合技术延伸至 HBM 领域。在设备采购端，长江存储已将拓荆科技、芯慧联芯列为核心供应商，在部分高端产线中实现了国产混合键合设备的批量采购；根据行业公开信息，长江存储 2026 年新建产线中，混合键合设备国产化采购占比已超过五成。
值得补充的是，两家头部存储厂商对混合键合设备的技术选型标准，已完全与国际头部厂商的标准接轨 —— 设备商需要在 “多层堆叠的工艺兼容性”、“量产级良率稳定性”、“工艺配套整合能力”、“后期运维成本水平” 这四个核心维度达到客户量产级标准。这也意味着，国产设备商的技术水位，已完全达到行业级的量产准入门槛(149)。
四、支撑要素二：下游实际量产落地情况
相较于仍在爬坡阶段的国内设备供应端，下游存储与封测端的量产落地情况，更直接决定了国内混合键合行业的短期兑现节奏 ——2025-2026 年，国内产业的量产落地环节，已完成 “产线规划→建设完成→工艺验证→批量采购” 的核心落地链路。
4.1 头部封测厂商量产落地进展
作为混合键合设备的直接使用主体，国内头部封测厂商的混合键合产线落地进度，是行业级量产节奏的最直接风向标 —— 这一环节的产能释放节奏，将直接决定上游设备商的订单交付节奏。从公开进展来看，头部封测厂商均已完成混合键合产线的布局建设，且完全匹配了下游存储原厂的扩产节奏：
•长电科技：作为全球第三、国内第一的头部 OSAT 厂商，是国内混合键合产线布局最明确的企业 —— 也是国内存储厂商的首选核心封装合作方。2025 年，其江阴基地、滁州基地的多条混合键合产线先后投产；其中，江阴基地的 3 条 HBM 配套混合键合产线，是国内最早实现量产的混合键合产线。根据行业公开信息，长电科技 2025 年的混合键合设备采购量，占当年国内总采购量的两成以上；其新增产线的混合键合设备中，国产设备占比超过四成。
•通富微电：作为国内头部 OSAT 厂商，其布局节奏完全匹配国内头部存储厂商的扩产节奏 —— 武汉封测产线专门配套长江存储三期扩产项目，2026 年存储封测订单规模同比增长 60% 以上；其中，混合键合工艺的存储封测订单增速翻倍。为匹配这一需求，通富微电在合肥基地新建的先进封装产线，已批量采购国内头部设备商的混合键合设备，且部分核心工艺产线，已实现国产设备的完全替代。
•华天科技：其昆山基地的 AI 芯片异构集成封装产线，已完成混合键合工艺的量产级验证 —— 是国内少数同时具备存储、逻辑芯片混合键合封装能力的企业。2026 年，该产线批量采购国内头部设备商的混合键合设备，重点对接国内中低端 HBM 封装需求。
•深科技：是国内 HBM 封装的头部企业，其 HBM3 封装产线的工艺良率已达 98% 以上 —— 这一工艺水平，足以支撑头部存储厂商的量产级订单需求。2026 年，该产线批量采购国内头部设备商的混合键合设备，实现了国产设备的量产级落地。
需要强调的是，这些头部封测厂商的新扩建产线，并非单纯的设备采购叠加，而是与上游国产设备商联合完成了大量工艺验证环节 —— 这一产业级协同验证过程，是后续国内混合键合行业稳定量产的关键基础(121)。
4.2 头部存储厂商量产级工艺验证进展
混合键合设备的量产级工艺验证，是行业落地的核心壁垒 —— 不仅需要设备达到技术标准，更需要设备与下游存储芯片产品、以及封测厂商的工艺体系实现长期稳定的兼容。这一验证周期长达 6-12 个月，是行业从技术端转向量产端的关键必经环节。
从公开进展来看，国内头部存储厂商的混合键合工艺验证已完全落地，标志着行业正式进入量产阶段：截至 2026 年上半年，长鑫存储的 HBM3 产线，已完成国产混合键合设备的工艺验证，进入小批量采购阶段；长江存储的 3D NAND 产线，已批量采购国产混合键合设备，实现量产级落地 —— 这一验证完成，意味着国内混合键合产业的全流程商业化链路已完全闭环。
基于这一验证成果，下游封测厂商的新扩建产线，已完全采用国产混合键合设备；部分头部封测厂商的高端产线，甚至将国产设备列为核心工艺环节的唯一选型 —— 这是国内混合键合行业从 “技术验证” 转向 “量产落地” 的核心标志性信号(149)。
4.3 国产化设备订单落地情况
尽管国际头部厂商仍占据国内混合键合设备市场的较大份额，但国产设备的订单落地增速，已远超行业平均水平 ——2025 年国内混合键合设备的国产化替代进度，实现了超出行业预期的突破。
具体来看，国产设备订单在国内新建先进封装产线中的占比，已实现阶段性快速提升：2025 年国内新建的采用混合键合工艺的高端封装产线中，国产设备的采购占比达 43.7%；这一数据在 2026 年预计将进一步攀升至 52.1%，增长幅度超过行业预期。更关键的是，这一采购量增长，并非泛泛的行业级增量，而是集中在头部存储厂商的 HBM 核心产线中 ——2025 年国内头部存储厂商的 HBM 核心产线中，国产混合键合设备的采购占比已超四成；这一数据在 2026 年预计将进一步攀升至五成以上，直接落地产能对应 HBM3 的年出货量超百万颗。
这一订单结构变化，本质上是国内混合键合产业协同的直接佐证 —— 也意味着国产设备，已真正意义上进入了行业级的主流应用场景(121)。
五、支撑要素三：长期发展目标（2028 年行业目标展望）
基于 2025-2026 年的行业落地基础，国内机构对 2028 年混合键合行业的发展目标，给出了明确的量化预测 —— 这一预测的核心支撑逻辑，是 HBM 的高景气度，以及国产化替代的长期趋势。
5.1 2028 年 HBM3 堆叠层数及年产量目标
从全球头部存储厂商的公开规划来看，2028 年，HBM 将正式完成从 HBM3E 向 HBM4 的迭代过渡 —— 混合键合将从高端 HBM3E 的可选工艺，彻底迭代为 HBM4 及以上世代的必选工艺；而国内存储厂商的技术进度，将与全球行业节奏基本持平，部分场景可能略有滞后。
从国内头部存储厂商的公开技术规划来看，2028 年的 HBM 产能目标，已完全匹配这一行业级技术迭代节奏：在堆叠层数技术指标上，长鑫存储计划在 2028 年实现 16 层堆叠的 HBM4 的量产 —— 这一技术水平，与全球头部存储厂商（SK 海力士、三星）的量产级技术基线完全持平；长江存储则将在 2028 年，实现基于混合键合工艺的 400 层以上 3D NAND 的量产，同步完成 HBM 级堆叠工艺的验证。在产能规模上，结合集邦咨询、华金证券、博研咨询的行业综合预测数据，2028 年国内 HBM 系列产品的总产能规模将突破每月 20 万片；其中，采用混合键合工艺的 HBM3E 及以上产品的占比，将超过六成 —— 这一产能增量，将完全由国内头部存储厂商的新扩建产线来支撑。
而这一产能目标的核心底层支撑，是国内混合键合技术的量产级落地进展 —— 后续的行业级数据验证压力，将完全落在国内设备商的工艺稳定性支撑能力上(144)。
5.2 2028 年国内混合键合设备采购量预测
HBM 堆叠层数的提升，将直接推动混合键合设备需求的爆发式增长 —— 而国内存储产线的国产化设备偏好，将进一步放大这一增量的弹性空间。行业机构对 2028 年国内混合键合设备采购量的预测，基于 HBM 扩产与国产化替代双重逻辑，形成了明确的量化支撑：
•行业级总需求预测：根据博研咨询、华金证券及集邦咨询的行业综合预测数据，2028 年国内混合键合设备市场规模，将在 2026 年近 20 亿元的基础上实现翻倍增长；这一需求增量的核心支撑逻辑，是混合键合在 HBM 领域的渗透率快速提升 —— 根据 Yole 的行业预测数据，2028 年全球混合键合在 HBM 市场的渗透率，将从 2025 年的 1% 跃升至 36%；而国内市场的渗透率增速，将高于全球行业平均水平。
•国产化设备需求增量预测：基于国内存储厂商的国产化替代偏好，国产混合键合设备的采购量增速，将显著高于行业整体增速 —— 这一预测的支撑逻辑有两个：一是国产设备客户覆盖面的持续提升，二是国内 HBM 扩产的单位产线设备用量提升。行业数据显示，2026 年国内每条 HBM 产线平均配置混合键合设备 2 台；而 2028 年，这一配置数量将提升至 2.5 台 —— 这一增量，主要源于多层堆叠的工艺复杂度提升，以及国产设备工艺配套用量的增加。
•细分场景需求结构预测：从应用场景的结构来看，2028 年国内混合键合设备的需求增量，将主要来自 HBM 封装领域 —— 这一赛道的需求占比，将超过六成；剩余需求中，约两成来自逻辑端的 3D IC 异构集成封装场景，其余来自 3D NAND 堆叠场景。
值得强调的是，这一国产化设备需求增量的确定性，完全来自下游存储厂商扩产的明确节奏 —— 而国内设备商的技术进展，已完全匹配这一需求的技术标准。
5.3 行业长期发展的核心支撑逻辑
2028 年国内混合键合行业的发展目标，是技术迭代、下游需求、国产化替代三重长期逻辑的叠加，而非单纯的短期行业红利。具体而言，支撑行业实现长期增长的核心逻辑，可拆解为三个维度：
•技术端：从 “可用” 到 “好用” 的迭代：国内混合键合设备商将在 2028 年，完成核心技术的迭代升级 —— 键合间距将从当前的 9μm 缩小至 5μm 以内，对准精度、空洞率控制等核心指标将进一步收窄与优化，达到国际头部厂商 HBM4 产线的技术标准；同时，国内设备商将在高产能、高精度、低工艺成本的综合技术层面，形成独有的本土化技术壁垒，完全匹配国内 HBM 产线的量产级需求。这一技术迭代的核心支撑，是国内设备商与下游存储、封测厂商的联合工艺验证 —— 双方已成立长期联合攻关小组，针对性优化国产设备在 HBM 场景下的工艺稳定性、运维效率与综合制造成本。
•产业端：全链路协同的成熟闭环：国内混合键合行业的产业链配套完整性，将在 2028 年进一步提升 —— 设备商的核心零部件国产化率，将从当前的六成左右，提升至八成以上；这将大幅改善国内设备商的供应链弹性，降低成本水平，进一步提升在国内市场的竞争力。更关键的是，上游设备商、中游封测厂商与下游存储厂商之间的 “三位一体” 联合研发模式，将在 2028 年完全成型 —— 形成 “设备商前置工艺开发→存储厂商提前技术选型→封测厂商系统整合验证” 的三阶段协同闭环，彻底缩短国产设备的客户验证周期和量产适配周期。
•需求端：HBM 与国产化的双重红利叠加：这是行业增长的最直接支撑 —— 在 HBM 需求维度，AI 大模型算力竞赛的核心驱动下，全球 HBM 供需缺口将持续至 2028 年以后；而国内存储厂商的扩产节奏，将完全匹配这一行业级增量需求。在国产化替代维度，国内存储厂商的新扩建产线中，国产混合键合设备的采购占比将持续提升 —— 这一增量需求，将完全由国内设备商承接。
基于这三重逻辑的叠加，行业机构对国内混合键合行业的长期增长确定性，给予了高度正面的预期 —— 可以说，国内混合键合行业的长期发展红利，已在产业端形成了明确的支撑闭环(121)。
最后结语
当前，国内混合键合行业正处于从 “技术量产导入” 向 “规模化应用” 转型的关键临界点 —— 这一行业级跨越，是技术突破、产业协同、市场红利三重合力下的必然结果。从技术维度看，国内头部设备商已完全掌握混合键合的量产级核心技术，成功实现了从 “无法量产供应” 到 “批量供应头部客户” 的实质性跨越；从产业维度看，行业已形成覆盖 “设备供应 — 封装工艺 — 存储量产” 的全链路国产化协同闭环；从市场维度看，HBM 的高景气度与国产化替代的长期趋势，为行业提供了确定的长期增量红利。
可以确定的是，在 “2+3” 组合框架下，国内混合键合行业的产业级竞争力将持续提升 ——2 大核心发展维度（行业格局 + 技术竞争力），清晰锚定了行业的当前水位和长期发展底气；3 项业务支撑要素（客户导入 + 量产落地 + 长期目标），完整展示了行业从技术端到产业端的商业化落地节奏。
2026年8月5日至7日,第27届电子封装技术国际会议（ICEPT 2026）华丽归回，海内外上千名精英领袖齐聚大唐帝都，共叙千秋伟业，缔造强芯基石。同期专题论坛iHBC国际混合键合研讨会再度引领思潮、锐意创新。iHBC2025年度分享嘉宾来自台湾欣兴电子公司科学家刘汉诚博士、奥地利EVG公司首席科学家Viorel Dragoi博士、拓荆科技股份有限公司高级副总裁叶五毛博士、哈尔滨工业大学教授王晨曦博士、东南大学教授李力一博士、星空科技装备有限公司技术总监赵滨先生、芯慧联芯（江苏）科技有限公司总经理任潮群先生、中国科学院微电子研究所研究员金仁喜博士、中科晶禾公司董事长母凤文博士。iHBC2026国际混合合研讨会期待您的大驾光临，共续华章。对于参会者而言，iHBC国际混合键合研讨会所传递的核心产业信号可总结为三点：
第一，行业格局已发生实质性逆转：尽管海外头部设备商短期内仍占据国内市场的部分高端份额，但国产设备商已凭借对国内客户工艺需求的快速响应能力，以及本土化的技术服务优势，在国内市场奠定了技术和客户的双重基础；
第二，技术国产化水平已具备规模化落地条件：国内混合键合技术的量产级工艺水平，已完全匹配 HBM3 及以上世代的高端存储封装需求，足以支撑下游客户的大规模量产落地；
第三，产业长期红利的核心落脚点，是国产化的全链路协同：下游存储厂商的扩产需求，将直接转化为上游设备商的订单增量 —— 而这一增量红利，将由国内产业链协同完全承接。
随着 HBM 渗透率的持续提升，以及国产化进程的加速落地，国内混合键合行业必将在全球先进封装产业链中占据核心地位 —— 而这一进程的关键节点，将在 2026-2028 年集中落地，值得全产业持续关注和投入。
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[133] 科睿斯ABF载板量价齐升:营收利润与估值天花板深度测算核心结论速览:科睿斯三期全_财富号_东方财富网 https://caifuhao.eastmoney.com/news/1695316340
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[149] 长鑫存储内部公开口径，已经把迈为股份(宸微半导体)列为存储前道+先进封装两大板块_财富号_东方财富网 https://caifuhao.eastmoney.com/news/20260519200219364143580
[150] 路演原文摘录·长鑫& 长存相关问答问:公司对长鑫存储、长江存储供货体量如何，25年_财富号_东方财富网 https://caifuhao.eastmoney.com/news/20260521161816529191800
[151] 宏姐记的微博 https://m.weibo.cn/detail/5303687480345721
[152] 瑞银大幅上调北方华创、中微公司目标价，半导体设备ETF招商(561980)逆市涨超3%_21世纪经济报道 http://m.toutiao.com/group/7647421142046851620/
