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访谈时间： 2026年5月 | 受访专家： 前任某封测厂研发部长
Q：华为最近提出了一个韬（τ）定律，通过逻辑折叠（LogicFolding）等技术压缩信号传播时延，大幅提升芯片性能，请问您怎么看这个韬定律和相关技术？
A：华为提出的这个韬定律有一定意义，信号传播时延是决定芯片性能的关键因素，从我们业内的视角来看，华为为了规避美国制裁，确实在按照新的思路来解决芯片制程受到的限制，他们正在推动晶圆制造和封装产业链做3DIC、混合键合（Hybrid Bonding）、CoWoS-L等方面的工作，比如今年3月份中芯国际新成立了一家叫“芯三维半导体”的公司就是专门做3D封装的，大概率主要服务华为等大公司的需求。
Q：芯三维作为中芯国际先进封装平台的实体，进入市场后业务会怎么走？对通富、长电、华天这些传统封装厂会带来什么影响？
A： 芯三维的成立，市场普遍解读为中芯国际想要在先进封装领域抢先卡位。从目前的迹象看，他们大概率会优先从3DIC切入，短期内不会把CoWoS作为重点。
为什么这么判断？因为晶圆厂的习惯，通常是先做价值量高、跟前道制造结合更紧的技术，比如Hybrid Bonding、MicroBump、TSV这些，利润更好。传统封装收益低，他们没太大意愿去碰。CoWoS属于大规模封装整合，不符合他们先建技术护城河的习惯。
至于对通富、长电、华天的竞争压力，业内普遍认为不会形成明显的实质性压力，大家走的路线不太一样。
Q：那在制程微缩快到极限的背景下，芯三维如果做3D封装，技术路线选择和OSAT厂商有什么本质区别？混合键合会扮演什么角色？
A： 关键的区别在于设备和洁净室要求。混合键合（Hybrid Bonding）对洁净等级的要求远高于传统封装，设备投入和运营成本也高得多。所以像日月光、通富、长电这类OSAT厂商，一般不会把它作为首选。
芯三维如果真的布局3D封装，大概率会走wafer-on-wafer堆叠或者die-to-die的混合键合路线。具体实施上，可以先把TSV集成到SoC里，然后用混合键合把电源芯片或RF芯片堆在上面。当制程到了4纳米以下，想继续提升性能，3DIC几乎是绕不开的，混合键合自然就成了芯三维的技术重心。
Q：从工艺流程看，采用SoIC和混合键合的3D封装，跟传统的CoWoS-S相比，实际操作上有什么核心差异？这种先进封装对供应链协作模式有什么影响？
A： 以台积电为参照，CoWoS-S是很成熟的方案，用了十几年。如果拿3D封装的SoIC来比，工艺本身没有根本性区别。
关键差异在于流程顺序：逻辑芯片在晶圆厂做完后，要先送到台积电专门做Hybrid Bonding的工厂进行一次3D堆叠，堆叠完再送回CoWoS工厂继续后面的封装。对封装厂来说，收到的来料芯片上多了通过混合键合做出来的功能性结构，但整体操作逻辑没变。
Q：国内的通富、长电在推进3D封装时，工艺路径的选择逻辑是什么？中芯国际在CoWoS环节里会扮演什么角色？
A： 先说中芯国际。根据后续规划，中芯国际会继续向国内的CoWoS封装环节提供硅中介层（包括硅衬底）。
至于通富、长电这些厂商，他们推进3D封装时，核心工艺路径大概率还是会偏向热压键合（TCB），而不是混合键合。原因很简单：混合键合投入成本太高，对应的潜在客户规模又很小。TCB路线对一般封装厂来说就能执行，也适用于部分DDR和HBM产品。而3DIC本身有多种形态，把一颗芯片直接堆在另一颗上（die-to-die）也算3DIC范畴。
Q：传统封装厂在混合键合技术上到底有哪些核心壁垒？晶圆厂为什么更适合做这个？
A： 传统封装厂普遍不看好混合键合，因为一旦介入，亏损风险很高，经济上很难维持。主要壁垒有三点：第一，设备投入极高，现有设备不够用；第二，制程开销也大；第三，也是最重要的，晶圆厂有RIE这类干法蚀刻设备，能自己做带TSV的晶圆，然后推进混合键合验证。而封装厂普遍没有前道设备，也没有验证用的晶圆和假片，从设备、材料到资金都难以承担。
在国内封装厂里，盛合晶微可能是极少数已经导入相关设备的厂商，被认为拥有硅穿孔封装能力。通富、长电、华天大多不会在这个方向加大投入，因为硅通孔制程本质上还是依附于晶圆厂的设备能力。盛合晶微虽然组建了团队，但目前仍停留在量产前阶段，还没进入规模化生产。
Q：3DIC封装的散热问题到底有多严重？这项技术适合哪些场景，是不是被过度宣传了？
A： 散热确实是个大问题。以AMD MI300为例，3DIC方案确实提升了算力，但代价是明显的散热负担。CoWoS本身对散热要求就高，再在逻辑芯片上面堆芯片，整机的热管理更复杂。
所以有一种观点认为，3DIC的优势没有宣传的那么突出，存在明显的应用局限。它更适合那些对算力需求极高、但热设计约束不那么严苛的少数场景。绝大多数产品不会选它，因为散热风险可能导致热失效，影响可靠性。可以说，在一定程度上，3DIC确实被赋予了较多的宣传意味。
Q：混合键合+Flip-chip方案的市场规模扩张，核心驱动力是什么？国内产业化进展到哪一步了？
A： 这类方案的客户集中度高、出货规模小，更多是算力产品里一些特殊需求的定向应用。整体市场容量大概率不会太大。只有当国内出现类似AMD MI300那样，必须依靠这条路线才能落地的明确产品定义时，市场空间才可能真正打开。
国内目前还没有清晰的实例证明有企业已将其推进到大规模量产。即使有布局，更多也是小批量。盛合晶微在推3DIC方向的混合键合，但还停留在工程样品验证阶段，离量产还有距离。
Q：芯三维在推进混合键合项目时，面临哪些上下游协同挑战？客户生态的局限性怎么制约它？
A： 芯三维现在的项目来源，基本上以中芯国际生态圈内的合作伙伴为主，圈外主动找上门的很少。
一个典型的例子：假设寒武纪把晶圆交给芯三维做3DIC和混合键合，但这只是中间一步。做完后，整片晶圆还要转给盛合晶微切割、做CoWoS-S封装，然后再进入Flip-chip流程，装配到PCB上做可靠性测试。整个链条很长，不是某一个环节能独立完成的。
所以，仅有3DIC或混合键合能力，不能自然形成完整的商业链路。如果最终客户不愿意把产品继续交给盛合晶微或通富做后段验证，项目根本推不下去。
Q：台积电的优势在于全流程turnkey服务。芯三维如果只有混合键合，没有CoWoS产线，商业化会面临什么结构性挑战？需要补什么能力？
A： 台积电之所以快，不只是技术强，更因为有AMD这样的稳定客户，能提供从前到后的整套服务：SoIC在3D封装厂做，CoWoS在自己的CoWoS工厂做，前后段都是自己的，可以无缝协同验证。
芯三维目前只有中芯国际的晶圆制造资源和自己的混合键合能力，没有配套的先进封装工厂。如果想走台积电路线，光有晶圆厂和混合键合厂不够，还需要另外建一条CoWoS产线。当然，也可以参考台积电产能紧张时的做法：自己先做CoW，把oS交给OSAT。但这种安排能不能成，关键看芯三维有没有主导搭建CoW环节的意愿和能力。
有一点判断很直接：如果只做混合键合这一个环节，不往后覆盖完整产业链，商业风险会非常大，甚至可以说“很危险”。想打通全产业链，必须同时搭建CoWoS相关的封装能力。
Q：在HBM和3DIC国产化进程中，为什么光靠长鑫的晶圆能力和通富、长电的封装能力还不够？华为、寒武纪这类大客户为什么不可或缺？
A： 以长鑫为例，他们已经在上海布局HBM业务，把HBM晶圆分别送给了通富和长电做验证。但光有晶圆生产和前段验证远远不够，还需要像海思这样体量的客户来提供需求支撑。通富做出来的HBM器件，后续可能还要交给盛合晶微合封。整个链条极其繁复。
问题的关键不是把HBM器件生产出来，而是它是否被市场接受。没有下游头部客户导入、测试验证、带动系统整合，就谈不上真正的商业化。通富和长电能进入这些项目，前提就是有华为这样的客户主动联系、带动。所以，混合键合、HBM、3DIC、CoWoS-S的落地，离不开拥有AI算力需求的大型终端方（如华为、寒武纪）来主导牵引。没有他们给出清晰需求、带动产业链联动，光靠中芯国际说“愿意做”是推不动的。
Q：芯三维把混合键合作为优先方向，到底是真实的技术商业化布局，还是服务于资本叙事和融资目的？长期可行性怎么看？
A： 芯三维从起步就把混合键合作为主攻方向，而不是先做CoWoS再切换。但不管选哪条路，最终能否商业化，取决于寒武纪、华为等客户是否愿意付钱。
值得注意的是，如果中芯国际亲自进入CoWoS，现有封装厂商压力会很大，因为南方流片客户很可能把前后段都放在中芯体系内，形成很强的竞争门槛。
芯三维选择混合键合，意味着近期内很难跑通商业模式，收益兑现慢，大概率要经历一个很长的连续投入期。有业内人士说，从2019年切入国内市场，到第7年CoWoS-S才量产。3DIC技术成熟度更低，导入客户更少，前期可能也要经历至少7年的亏损或高强度投入。
至于为什么这么选，一种看法是与AMD的3DIC技术诉求有关。也有人认为，某些公司或投资方推动这类新业务，核心未必是扩产，更多是为了融资、资本运作、讲故事、拉股价。就像一家造燃油车的企业突然宣布做电动车，短期未必有商业收益，但能塑造新概念。因为从公开信息看，真正采用这项技术的几乎只有AMD，用户非常少。
Q：混合键合技术在手机芯片领域的应用潜力怎么样？为什么说华为最有可能率先推进？
A： 混合键合确实能对制程差异起到一定补偿作用，但散热是硬约束。热设计过不去，方案就不可行。AMD MI300是大面积芯片的例子；而手机SoC尺寸更小，用混合键合弥补制程差距也是有可能的。比如苹果手机的封装理念类似CoWoS-L，两颗芯片正反堆叠，导致散热问题，机身发烫，这就说明了挑战。
芯三维早期客户拓展可以面向手机厂商，华为被认为是最有动力的对象。因为华为的手机芯片如果不靠先进封装提升性能，很难在性能上与苹果2纳米、3纳米工艺对抗。手机行业里，既有意愿又有实力做这类高复杂度封装的厂商极少，几乎只有华为。小米等其他品牌不会这样投入，更倾向于用高通或联发科的成熟平台。
Q：华为和中芯国际的潜在合作，会不会成为类InFO封装本土化的关键变量？
A： 国内手机品牌绝大多数用高通和联发科的处理器，几乎没有厂商去推类似台积电为苹果做的InFO封装。紫光是个例外，他们在做InFO工艺用于手机SoC，路线和海思不同。
如果要从国内手机品牌里挑一个最可能牵头推进的，华为是首选。他们既有资金又有执行力，看不到第二家。关键前提是华为会不会和中芯国际联手推进。如果这一点没坐实，指望其他厂商主动承接这种投入巨大、结果不明朗的任务，很不乐观。目前更常见的做法，还是终端品牌直接向台积电、日月光、矽品采购封装好的芯片成品。
Q：在3D堆叠芯片混合键合的量产推进中，工艺周期、供应链瓶颈、产能扩张决策的关键制约因素是什么？交期情况如何？
A： 单独算3DIC工艺启动到封装测试完成，至少需要2-3个月，这还不包括前段晶圆制造的时间。总交期会远长于这个数。
产能扩张决策上，只有订单落实、需求足够明确，才会从小规模试制扩展到大规模量产线。
供应链瓶颈非常突出，尤其集中在刻蚀环节，Applied Materials的设备被明确指出是目前重要的限制因素。
Q：芯三维规划的miniline产能建设进展如何？潜在客户结构和与长鑫合作的可行性怎么看？
A： 芯三维已经着手推进1条miniline的投资建设，起步阶段月产能大约1000片。这条线建成后，起步阶段最可能把验证任务交给它的客户，预计是华为。
至于和长鑫存储的合作，判断上倾向于谨慎。因为长鑫自己也有可能布局混合键合，不一定外包。外界设想的合作模式是：长鑫把前段（含TSV）做到一定阶段，再交给芯三维代工。但这种模式风险很高，客户的人员可能长期驻场，在量产阶段掌握工艺经验后，再带回自己的封装厂复现。
Q：在国产刻蚀设备技术成熟度有限的背景下，新建miniline在设备选型上有什么核心权衡？过度依赖国产设备有什么风险？
A： 国内刻蚀设备有研发基础，但性能和成熟度与海外产品有差距，短期内无法全面替代。像中芯国际这样资金充足的公司，首条产线通常会先考虑采购国外设备，不会把国产核心机台放在优先顺位。
对于miniline，初期首要任务是尽快打通样品流转和验证链路。如果一开始就大范围用国产关键设备，整体先利的概率会偏高。结果要么项目难以完成，要么市场更怀疑它有融资包装色彩。
Q：混合键合封装技术要推动客户导入，良率门槛大概是多少？有没有良率偏低但仍被市场接受的案例？
A： AMD MI300采用混合键合后的真实良率没有公开信息。对于芯三维miniline的良率，有一种看法是：当良率提升到20%-30%，甚至30%-40% 时，客户可能就会开始尝试导入。
20%-40%这一档良率并非一定被拒绝。可以参考2019-2020年美国制裁华为时的案例：华为从台积电采购的14纳米、16纳米晶圆，良率大约只有50%-60%，但依然正常投入使用。这说明良率偏低并不必然构成市场拒绝的理由，关键在于各方是否愿意接受。
Q：通富微电与华为合作的HBM项目为什么陷入停滞？具体短板在哪里？
A： 盛合晶微、通富、长电都具备3D封装产线能力，但目前主要服务于存储器领域，逻辑芯片相关的3DIC还没有明显落地。
关于通富与华为的HBM项目，有消息称已接近停摆，通富已被指将大部分相关设备出售清理。未能推进的原因，业内流传的说法集中在：一、通富团队技术能力存在短板，削弱了客户合作意愿；二、产品性能相比三星芯片落差较大；三、异常情况较多。更具体的是，产品被送往盛合晶微最终封装后，可靠性测试无一通过，这被视为项目失败的重要原因。
Q：在台湾头部厂商向CoWoS和CPU高利润业务集中的背景下，传统封装订单向大陆转移的趋势会持续吗？这个格局如何受AI需求走势影响？
A： 目前不仅是先进制程，连高端封装和常规封装都已接近满载。客户对提价更多是无奈接受，因为替代选择有限。
日月光在产能满载时会有选择地放弃低回报项目，这些订单流向大陆封装企业后，盈利能力并不差。因为台湾地区厂商正把扩产重点放在利润更高的CoWoS和CPU业务上，传统封装订单因此更快地流向大陆。至于价格是否会下降，主要看AI热潮是否降温，或者真实需求是否不及预期。整个封装领域的供需不匹配和价格起伏，最终都与CoWoS带来的连带效应有关。
Q：在AI需求快速扩张、竞争者涌入的背景下，先进封装和传统封装的价格走势有什么分化？消费电子低迷如何制约FCBGA的提价空间？
A： 有意思的是，传统封装提价弹性更强，先进封装可上调空间反而受限，CoWoS的报价甚至可能下探。因为AI热潮带动需求后，大量厂商涌入，通过低价抢份额。封装本身技术门槛并不高，价格走高不是因为技术稀缺，而是订单在台湾过度聚集导致产能承压。
至于FCBGA，后续提价空间不被看好，阻碍较大。根源在于消费电子行业整体低迷，凡是依赖消费端需求的产品，盈利能力都被挤压，FCBGA价格上行空间因此受限。
Q：在原材料成本上涨、终端需求未明显复苏的背景下，国内封装行业的价格传导机制有效吗？头部厂商和中小厂商的竞争格局如何演变？
A： 国内封装厂商提价的核心驱动力是原材料价格走高，而不是终端需求回暖。例如PSPI光刻胶，产能排满，供应端优先满足通富、华天等头部客户，小企业可能连货源都拿不到。
价格传导上，如果终端需求没复苏，封装端又因原材料涨价推高成本，压力会顺着产业链向下扩散，最终反过来压制终端需求。头部厂商上调报价有一定支撑，但小厂商却把这当作抢订单的机会，通过压价甚至无序低价竞争来维系接单，加剧了行业分化。展望后续，这轮回调大概率还会延续3至5年。
Q：CoWoS-S和CoWoS-L产线的设备通用性有多高？如果想把S产线转型为L，技术和资金上的挑战有多大？
A： 两者能共用的只有Bumping制程和部分Bonding机台，像RIE这类设备不能共用。核心原因是晶圆翘曲量差异显著：CoWoS-S的翘曲约1毫米，而CoWoS-L常见为2-3毫米，设备规格需求不同。因此，如果要把S产线改造为L，现有设备中大约70%无法继续使用，必须重新购置，这意味着相当大的资金投入。
Q：国内CoWoS市场，通富等厂商以远低于台积电的价格竞争，价格战对盈利能力影响多大？寒武纪等客户需求的不稳定性会怎样影响供需格局？
A： 国内CoWoS市场的价格战已经相当激烈。市场传闻通富开出的价格比台积电低40%-50%。即便如此，CoWoS业务目前仍有获利余地，因为早期毛利率高，还没有被彻底削弱。
价格竞争何时缓和？目前产能和供给基本均衡，接下来主要看寒武纪等客户后续真实提货的表现。这类客户需求起伏明显，短期难有稳定节奏，给未来供需格局带来不确定性。
Q：通富、盛合晶微、长电在CoWoS-S良率上已接近台积电水平。但面对客户向CoWoS-L转移的趋势，国内厂商在CoWoS-L上的成熟度和量产能力处于什么阶段？
A： 国内三家在CoWoS-S上的良率，业内普遍判断可以超过99%，台积电也能做到99%。但CoWoS-L在国内仍未达到成熟阶段，各厂商目前主要精力还在研发推进上。由于部分客户需求从S转向L，而国内L工艺还不成熟，这带来了新的不确定性。
Q：目前国内CoWoS-S封装领域的产能格局如何？各主要厂商的月产能是什么水平？
A： 国内CoWoS-S封装产能格局大致如下：
盛合晶微暂时领先，月产能约4000-5000片
长电约2000片
通富约1000片
此外，广东还有一家公司已完成产线建设，正在准备小批量量产。整体上，国内CoWoS产能布局积极的参与者不多，市场集中度较高。
Q：国内CoWoS封装市场的竞争格局和各厂商的技术能力差异具体是怎样的？
A： 通富在CoWoS扩产上偏谨慎：CoWoS-S规划目标约2000片，CoWoS-L只搭了约300片的mini line。技术门槛较高，真正拥有量产实力的厂商不多。多数企业瞄准CoWoS-S，但还有不少厂商没落地。
具体技术能力：甬矽普遍被认为还不具备；通富已经把S和L两类方案都做出来了；盛合晶微的CoWoS-L版本至今未开发完成。目前国内CoWoS-L已实现量产的只有长电、盛合、通富三家。
Q：在主要客户转向CoWoS-L的背景下，CoWoS-S的市场需求会明显萎缩吗？长期需求空间怎么演变？
A： 以AMD为例，新一代产品基本都转向CoWoS-L，因为L利润空间更大（S定价高但L成本低）。部分旧型号也逐步切换，但不打算重新设计的老产品仍会沿用CoWoS-S。因此，CoWoS-S出货规模预计不会明显收缩，仍有一定市场体量。
国内客户中，愿意选CoWoS-L的主要是海光、寒武纪、百度昆仑、沐曦这类大公司，因为只有他们有资源承担投入，且国内L工艺成熟度不足。封装厂的S产线没有必要提前退出，维持运行直到折旧完成是合理的，因为利润还不错，需求也未中断。台积电的CoWoS-S已稳定量产超过十年，至今未退出，说明S路线产品周期很长。
境外客户中，英伟达、AMD、博通更有意转向L。但部分客户不接受为升级L而再投入研发费用，认为浪费资源，所以仍会沿用CoWoS-S量产，只是收益不如L亮眼。
Q：通富微电在传统封装业务订单不足、毛利承压的情况下，新增存储器封装产能聚焦什么方向？对整体业务有什么影响？
A： 通富的传统封装产线整体未充分利用，订单不足，毛利一般，压力较大。但存储器封装是景气更高的细分方向，DDR需求尤为旺盛。通富新增的存储器封装产能对应的是DDR产品线，不是HBM。这个布局会优化业务结构，对盈利能力形成一定支撑。
Q：这一轮封装价格上行，为什么涨价红利难以惠及全行业？供需结构和竞争格局有什么特征？
A： 部分台湾订单转向大陆，但大陆传统封装产能总体未全面满载。中小封装厂经营并不弱，因为海外订单持续流入，但还没有到非提价不可的地步。原因是中国传统封装厂商基数大，竞争充分，供给端分散。
这一轮价格走强的受益范围大概率集中在行业龙头，难以重现上次缺芯潮时全行业普遍涨价的局面。比如长电的倒装封装还可以，但普通封装受华天挤压，利润空间已收窄。国内OSAT后续扩产更可能投向2.5D/3D先进封装，传统封装基本是守住现有产能。在封装测试产业中，资源总是先向核心客户和高利润订单倾斜，小客户往往只能承接头部厂商溢出的订单。
Q：通富近期把部分传统封装产能转移到记忆体封装线，背后的业务逻辑是什么？如果未来倒装封装出现新需求，会重新扩产吗？
A： 通富近期记忆体业务接单亮眼，毛利更高，所以公司内部将原本用于传统封装的WireBond和FlipChip机台转移到了记忆体封装线。需要说明的是，业界对“传统封装”和“先进封装”没有统一标准。严格来说，只有CoWoS和CPU封装算先进封装，其他都不算。不过，只要倒装封装业务后续出现能带来明确利润的新需求，相关生产线依然有进一步扩充的可能。
Q：当前市场环境下，小型封装厂商在定价和扩产上的优先级怎么排序？背后的经营逻辑和资金维系方式是什么？
A： 小型厂商现在多半不会同步涨价。他们的当务之急是守住开工率、维持营收现金流，从而继续消耗政府资源和投资方资金。尽管上游原材料涨价，但小厂商短时间内还能消化压力，因为当前最重要的目标是拿到订单、实现营收，同时依靠吸引新投资方或地方政府扶持来维系经营。
优先级上，小厂商更应优先扩大营收和订单规模，而不是增强盈利能力。扩产方面，他们通常先把手头产线的使用率推高到满载，消化完现有产能后再评估新增资本开支。投资方和地方政府的注意力，也会集中到实际产出是否真正落地。
Q：大型封装企业与核心客户的合作黏性如何体现？以通富和AMD的关系为例，这种深度绑定对业务规模和产能布局有什么影响？
A： 一旦建立起紧密协作，高价值业务通常不会流向小厂。通富和AMD的黏性非常强，AMD大概率不会把订单改给其他厂商。通富的收入对AMD依赖明显，AMD业务扩张，通富同步增长。在bumping环节，通富多年来一直为AMD提供产能，并不断加码新产线，主要就是为了稳固和深化与AMD的合作。
另外，在订单分配上，那些边缘、盈利不高的客户订单，通常会先分配给华天；华天不接才会转向更小的封装厂。
Q：对于未上市的封装企业以及已上市的甬矽，外界如何看待其技术实力和经营质量？甬矽引进台湾从业者，是否足以支撑其未来量产交付能力？
A： 对于未上市封装企业，我的判断比较谨慎，暂时没有需要重点留意的对象。这些企业普遍存在技术积累偏弱、管理团队能力不足的问题。更深一层说，他们似乎更看重获取资金支持，而不是把主业做扎实。
至于甬矽，虽然已上市，但从披露的经营表现看，能给予的评价空间仍然不大。我不是完全看空，还是保留一点正面判断——至少他们有主观投入意愿，因为曾针对性吸纳了三十余名台湾从业者。但甬矽是否真正具备执行与交付能力，依然有待检验，因为到目前为止，外界还没有见到清晰且能核实的量产成绩。
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