报告延伸：大中华半导体——内存扩产与华为τ定律双催化（文末附全文PDF） 出 品 方：大摩
1. 核心结论：中国半导体设备市场逆势增长
摩根士丹利所出这份报告的核心观点为, 在全球半导体设备市场呈现强劲复苏这一背景下, 中国市场显得格外引人注目, 报告预估2026年中国WFE（晶圆厂设备）市场会实现增长15%, 进而达到480亿美元, 2027年还会增长18%。这主要是受益于两大驱动力, 其一为国内存储芯片厂（长江存储、长鑫存储）的大肆疯狂扩产, 其二是华为所提出的“τ定律”带来的技术路线变革。
2. 长江存储和长鑫存储之间展开了如同军事装备竞赛般的竞争态势
相关报告对中国两大存储巨头的产能预测进行了大幅上调, 长鑫存储（CXMT）正在筹备科创板上市, 其资金较为充沛, 预计它在2028年的产能会从之前所预测的50kwpm（千片/月）急剧猛增至100kwpm, 长江存储（YMTC）同样开启了IPO辅导, 其Fab 3工厂会在2026年启动量产, 预计到2028年产能也会达到100kwpm。这种超出预期的扩产行为, 直接带动了对于刻蚀设备的需求拉动, 且带动了沉积设备的需求拉动, 还带动了清洗等核心设备的需求拉动。
3. 华为“τ定律”：绕开光刻机封锁的新路径
关于华为5月所发表的“τ定律”论文, 报告着重了对于后者的解读, 认定其所阐述之内容乃是中国半导体实现突破封锁的症结所在。具体而言, 以往芯片性能提升依赖于持续逐次减小晶体管尺寸, 此即摩尔定律所涵盖范畴, 然而达成这一目标需凭借顶级光刻机支持。与之不同的是, 华为的“τ定律”开辟了全新思路, 借助“LogicFolding”技术, 把多个芯片以类似“折叠”的方式进行垂直堆叠, 从而有效缩减互联距离, 即便采用成熟工艺诸如7nm或者14nm, 也能够达成近乎先进工艺例如3nm那般的性能表现。这般情形就如同运用盖楼的方式, 达成了土地面积欠缺的问题的解决。
4. 技术变革带来设备新机遇
华为所拥有的这个被称作“堆叠”的技术, 它并不依靠光刻机, 然而却格外依赖另外的两种设备, 分别是混合键合那被叫做（Hybrid Bonding）的设备, 以及硅通孔那被叫做（TSV）的设备。前面所说的前者是用来将不同的芯片给“粘”在一起的, 后面提到的后者是用来在芯片之上打孔然后填充金属从而实现互联的。这样的情况直接就对能够提供这两类设备的厂商是有益好作用的。报告专门指出, 用于清洗设备的龙头ACM Research（也就是盛美半导体）其ECP（即电化学镀铜）设备, 此乃TSV工艺里头的关键所在, 会成为华为新路线的直接受益对象。
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