存储板块再迎重磅信号！SK 海力士 2026 财年一季度业绩全面刷新历史纪录，营收、营业利润、净利润三大核心指标均创下单季峰值。当季营收52.58万亿韩元，环比增长60%、同比大涨 198%；营业利润37.61万亿韩元，环比激增 96%、同比暴涨 405%，营业利润率升至72%的历史高位；净利润 40.35 万亿韩元，净利润率高达 77%。
这份超预期财报核心驱动来自 DRAM 与 NAND 产品价格大幅上行，叠加高附加值产品结构持续优化。公司明确指出，AI 计算对高性能存储的需求持续攀升，而供给端仍处于紧平衡状态，有利的定价环境有望延续。
全球存储芯片行业正站在关键十字路口。一方面资本开支急速扩张，摩根大通最新研报将 2027 年全球存储行业资本开支预测从 830 亿美元大幅上调至 1440 亿美元，涨幅达 74%；另一方面产能释放远滞后于投资规模，供给约束短期难以缓解。受 HBM 芯片产能损耗、制程复杂度提升、设备交期拉长及基建周期延长等因素影响，同期 DRAM 与 NAND 比特供应量仅上调 12%-14%，资本开支未能同步转化为有效产能。
行业即将进入财报密集披露期：SK 海力士于 4 月 23 日率先发布，三星电子 4 月 30 日跟进，铠侠定于 5 月 15 日公布业绩。2026 年二季度将成为存储行业关键压力测试季，核心观测三大维度：客户对涨价的接受度、长期供应协议（LTA）推进进度，以及 HBM 路线图落地效果。
当前存储板块估值相对 2027 年盈利增速明显偏低，主要源于市场对明年资本开支持续性的悲观预期。后续任何提振 2027 年需求前景的信号，都有望成为股价上行催化剂。
从细分趋势来看，HBM 作为 AI 训练与推理核心组件，受益于模型参数扩容、KV 缓存与上下文窗口增长，需求持续爆发，未来三年供需缺口将持续存在。各大 DRAM 厂商均优先保障 HBM 产能，叠加谷歌、亚马逊 ASIC 项目需求强劲，HBM 增长将成为财报重点亮点。摩根大通预计 2027 年 HBM 价格偏向上行，市场投资者定价预期更为激进。
价格层面，继一季度强势上涨后，市场普遍预期二季度存储价格环比涨幅可达 30%-50%，消费级（PC、移动端）涨价幅度有望超越服务器企业级。当前企业级与消费级每 GB 单价差距持续扩大，厂商正优化客户结构平衡盈利，已有部分消费终端客户接受超 50% 的涨价方案。
长期供应协议（LTA）方面，继美光在业绩会上提及后，行业普遍预计本轮史上规模最大的存储供应合约即将落地，具体细节尚待披露。LTA 正式官宣后，厂商后续的中长期战略、资本投入规划及股东回报方案，将成为衡量其对行业信心的重要标尺。
