随着磁性随机存储器（MRAM）在汽车电子、边缘计算、人工智能系统和高性能计算等高速增长领域的应用不断扩展，全球网络存储工业协会（SNIA）于2026年4月13日正式宣布成立MRAM联盟特别兴趣小组（MRAM Alliance Special Interest Group，简称SIG），并邀请从晶圆代工厂到芯片与系统公司等全产业链相关方参与协作。
从技术开发到生态协同
SNIA此次成立的MRAM联盟SIG，旨在将代工厂、芯片制造商、内存制造商、设备供应商和系统公司汇聚起来，加速MRAM技术的推广应用。该小组将为产业链各环节提供一个协作框架，在关键优先事项上达成共识，提升教育与行业认知水平，必要时推动标准制定，并促进产品落地实施。
该举措建立在已有的“MRAM技术小组”行业合作基础之上，此前已汇聚了业内领先企业和研究机构。如今，这一合作在SNIA框架下进一步扩展，覆盖更广泛的半导体价值链以及多个应用垂直领域。
MRAM联盟SIG联合主席Jean-Pierre Nozières表示：“MRAM已在领先代工厂量产多年，当前的重点已不再是技术开发，而是生态系统的协同。这一倡议旨在将整个价值链的利益相关方——从代工厂到芯片制造商再到系统公司——汇聚起来，在关键优先事项上达成一致，最大化终端系统产品的效益。”
SNIA董事会主席J. Metz博士补充道：“SNIA致力于推动不断演变的存储领域协作。将MRAM联盟整合进SNIA社区，加强了我们对MRAM等新兴技术的支持能力，并确保行业拥有一个值得信赖的论坛，共同协同、教育与创新。”
MRAM：兼具速度与持久性的新型存储技术
MRAM是一种基于电子自旋力矩写入信息的非易失性存储技术，通过磁隧道结的磁电阻变化读出数据。它兼具非易失性（断电数据不丢失）、高速读写、低功耗、接近无限的擦写次数以及宽温域、抗辐射等优势，被认为是“后摩尔时代”最具潜力的通用型非易失存储方案之一。
从技术发展来看，MRAM已经历了三代演进：
第一代Toggle-MRAM 以磁场驱动，已率先实现产业化应用。
第二代STT-MRAM（自旋转移矩） 通过垂直于磁性隧道结的电流翻转磁矩，速度接近SRAM，耐久性超过10¹⁵次，目前已实现商业化量产，在航空航天、嵌入式存储和工业自动化等领域得到广泛应用，并正积极拓展汽车电子和神经网络计算等场景。
第三代SOT-MRAM（自旋轨道矩） 利用具有强自旋轨道耦合作用的材料产生自旋轨道力矩，通过三端结构设计将读写电流路径完全分离，实现了纳秒级写入、万亿次耐久，同时兼顾低功耗与高可靠性，被视为未来高速缓存和存内计算架构的核心候选技术。2026年2月，自旋芯片与技术全国重点实验室发布了全球首款单片容量达到4Mb的全功能SOT-MRAM芯片，实测写入时间仅1ns，耐久性超过10¹²次循环，标志着SOT-MRAM产业化进程取得重大突破。
产业链加速协同
SNIA成立于1997年，是由厂商和用户组成的非营利性行业协会，拥有420多家企业成员和7100多位个人成员，核心成员包括AMD、博通、思科、戴尔、慧与、华为、IBM、英特尔、铠侠、美光、三星、西部数据等15家全球领先厂商。
此次MRAM联盟SIG的成立，恰逢行业正经历从单一技术突破向全产业链协同的关键转型期。在台积电、三星、英特尔等半导体巨头持续加码MRAM研发的背景下，一个跨产业链的协作平台对加速技术标准化和商业落地至关重要。
值得关注的是，此次成立公告发布之际正值2026年4月13日至17日在英国曼彻斯特举行的INTERMAG 2026国际磁学大会。MRAM联盟SIG在会议期间举办了一场专题研讨会，聚焦“MRAM的磁免疫能力：从认知风险到实用解决方案”，由Jean-Pierre Nozières与IBM的Daniel Worledge联合主持，邀请了恩智浦、格芯、三星等多家企业的专家参与讨论。业内人士认为，磁免疫问题正是当前用户对MRAM大规模部署的主要顾虑所在，专题研讨会的举办体现了SIG从行业痛点出发、务实推动技术普及的定位。
市场前景广阔
从市场数据来看，MRAM正处于快速增长通道。据QYResearch分析，全球MRAM市场规模将以25.9%的年复合增长率从2025年的1.58亿美元增长至2032年的8.39亿美元。另据市场研究机构预测，2026年全球磁阻RAM市场规模约为62.4亿美元，预计到2034年将增长至867.8亿美元，年复合增长率达38.97%。
在应用端，MRAM正加速渗透多个关键领域。2026年3月，国内首套搭载MRAM芯片的“天目山十三号”工业级无人机成功试飞，实现了国产SOT-MRAM在低空经济领域的商用落地。Everspin Technologies也在不断推进高可靠性产品线，其128Mb xSPI STT-MRAM预计于2026年5月完成量产认证，256Mb版本计划于同年7月完成认证并于下半年实现批量供应。同时，Everspin还推出了UNISYST统一存储器架构，密度覆盖128Mb至2Gb，支持AEC-Q100 Grade 1车规认证，在125°C下提供10年数据保持能力，目标应用涵盖边缘AI、航空航天、汽车电子等领域。
结语
SNIA MRAM联盟特别兴趣小组的成立，标志着MRAM产业的发展重心正从技术研发转向生态系统的全面建设。通过汇聚全产业链力量，在标准制定、教育培训和产品落地等维度形成合力，MRAM有望加速从“梦幻存储技术”走向规模化商业应用，成为后摩尔时代存储架构变革的关键推动力。SNIA表示，有意参与这一协作倡议的组织可通过SNIA会员页面了解更多信息，或发送邮件至membership@snia.org联系。
