报告导读：
高带宽内存（HBM）是一种基于3D堆栈工艺的图形DDR类型DRAM技术，通过TSV（硅通孔）和芯片堆叠架构实现高速数据传输与低能耗特性4.1，可满足AI的高带宽需求，已逐步成为AI加速卡（GPU、TPU等）的搭载标配，价值量占比最高且仍在进一步提升。高带宽内存（HBM）是AI时代的必备品，行业正处于快速发展阶段，人工智能、高性能计算等领域对HBM需求持续增长。2023年，全球HBM出货量1.5BGB，HBM产业收入为43.5亿美元；2024年全球HBM出货量2.8BGB，HBM产业收入为170亿美元；2025年，全球HBM出货量约4.1BGB，收入金额约307亿美元；预计2026年，全球HBM出货量有望达到5.7BGB，收入金额有望达到500亿美元。
为探究高带宽内存（HBM）行业变化趋势（怎么变）、用户需求（要什么）、投放选择（投向哪）、运营方法（如何投）及实践案例（看一看），智研咨询发布了《2026年中国HBM行业市场现状分析及未来趋势研判报告》。
观点抢先知：
行业定义及优势：高带宽内存（HighBandwidthMemory，HBM）是一种基于3D堆栈工艺的高性能半导体存储器，具备高带宽和能效，常被用于高性能计算、网络交换及转发设备等需要高存储器带宽的应用场合。HBM相比传统采用DRAM的方式，具有高带宽、高容量、低功耗和小尺寸四大优势。
行业相关政策：高带宽内存(HBM)是当前高性能计算领域最具革命性的内存技术之一。作为一种高性能内存解决方案，为人工智能技术的发展提供了强有力的支持。近年来，国家发布了一系列政策，为推动大力支持存储芯片行业发展，广泛应用于高性能计算、数据中心等领域的高带宽存储器行业将快速渗透。如《"十四五”数字经济展规划》《“十四五”国家信息化规划》等。
产业链核心节点：高带宽内存（HBM）行业产业链上游主要包括电解液、前驱体、IC载板、GMC等原材料，以及光刻机、刻蚀机、涂胶显影设备、薄膜沉积设备、离子注入设备、CMP设备等半导体设备；行业中游为高带宽内存（HBM）生产制造；行业下游主要应用于人工智能(AI)、互联网和数据中心、高性能计算、云计算等。
价值量占比：高带宽内存（HBM）是一种基于3D堆栈工艺的图形DDR类型DRAM技术，通过TSV（硅通孔）和芯片堆叠架构实现高速数据传输与低能耗特性4.1，可满足AI的高带宽需求，已逐步成为AI加速卡（GPU、TPU等）的搭载标配，价值量占比最高且仍在进一步提升。
HBM出货量：高带宽内存（HBM）是AI时代的必备品，行业正处于快速发展阶段，人工智能、高性能计算等领域对HBM需求持续增长。2023年全球HBM出货量1.5BGB，2024年全球HBM出货量2.8BGB，2025年全球HBM出货量约4.1BGB，预计2026年全球HBM出货量有望达到5.7BGB。
收入金额：2023年全球HBM产业收入为43.5亿美元，2024年全球HBM产业收入为170亿美元，2025年全球HBM收入金额约307亿美元，预计2026年全球HBM收入金额有望达到500亿美元。
竞争情况：HBM需求旺盛，且长期被国外厂商垄断。2024年从市场格局看，海外厂商仍占据主导地位：SK海力士以53%的份额领先，且率先实现HBM3E量产；三星电子占比38%，正在进一步推进其HBM3E，并研究下一代HBM4，同时锁定重要的供应合同以满足AI和HPC的需求；美光科技目前份额为9%，美光科技正在加强其HBM组合研发，目标是2025年将市占率提升至20%以上。
国内企业布局：中国已有一批企业在HBM产业链的关键环节取得了重要突破，已经从材料、设备到芯片，撕开了一道口子，正加速构建自主可控的生态，国产化率有望提升。国内布局HBM的企业有长鑫存储、长电科技、通富微电、华天科技、深科技、晶方科技、华进半导体、中芯国际、长江存储、兆易创新、北京君正、澜起科技、聚辰股份等。
市场趋势：高带宽内存（HBM）作为下一代动态随机存取存储器（DRAM）技术，其结构使HBM的带宽（数据传输速率）远高于GDDR等传统内存解决方案。未来的AI内存版图将是异构多元的层级体系：HBM聚焦训练场景，PIM内存服务于高能效推理，专用片上内存架构适配超低延迟应用，新型堆叠DRAM与光子互连等技术也将在系统中占据一席之地。
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《2026年中国HBM行业市场现状分析及未来趋势研判报告》基于最新、最全的中国产业链数据，融合权威官方统计、深度企业调研、资本市场洞察及全球信息，通过严格的智能处理和独家算法验证，确保分析结论高度可靠、透明且可追溯。
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