展会时间：2023年8月30日-9月1日
展会地点：苏州国际博览中心
展位号：E3-42
1200V 75/40/12mΩ NovuSiC® MOSFET
短路耐受时间＞3μs
栅氧化层长期可靠
低导通电阻，低开关损耗
高雪崩耐量
20kW直流充电模块中，与硅基器件相比，蓉矽NovuSiC®方案可减少器件数量50%；降低总损耗50%以上；提升效率约2%，峰值可达97%以上。
1200V 10/20/30A NovuSiC® EJBS™
高抗浪涌电流能力：11倍(1200V/20A)
低正向导通压降
低反向漏电流
高结温性能稳定:175℃
1100V光伏系统Boost PFC应用场景
在11kW光伏逆变器应用中，相较FRD， NovuSiC® EJBS™可降低约30%的系统总损耗，分别降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二极管温升。
MCR®
与肖特基相当的低导通压降
极低的反向漏电
低反向恢复损耗
最高30倍抗浪涌电流能力
储能高频整流应用场景
在500W便携式储能电源应用中，相较FRD，蓉矽MCR®器件可降低18.7%的损耗和13℃的器件结温；在损耗不变的前提下，可提升50%的开关频率，缩小磁性器件体积约30%。
成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年，是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业，拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障，致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。
蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC®”和高可靠性“DuraSiC®”产品系列，涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET；硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR®，应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。
蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证，涵盖设计、晶圆制造和封测等环节，建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链，严格按照AEC-Q101标准考核验证。在国内率先投资引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统，保障碳化硅晶圆出厂质量与可靠性超越行业最高标准。
