「美光Micron」FY26Q2财报电话会全文/简评:存储脱离大宗周期,化身AI战略资产_展会资讯_资讯

「美光Micron」FY26Q2财报电话会全文/简评:存储脱离大宗周期,化身AI战略资产

【前言】

1、存储的高景气笔者在此前长文和讨论中多次阐述过，刚发布的美光26财年Q2财报的内容，是进一步观察AI驱动存储赛道重要的投资指引；

2、先看财报的核心财务数据，均大幅超出华尔街预期，当然这也在预期之内，所以美光盘后小跌，但不影响财报靓丽和存储超高景气的产业实际情况；

3、核心财务数据

营收：238.6 亿美元（同比增长约 190%），大幅超出市场预期的 196 亿。

盈利：非GAAP 每股收益（EPS）12.20 美元，远超预期的 8.80 美元。

毛利率：本季达到75%，下季指引直接给到了 81%。这是什么概念？存储正跑出软件公司甚至顶级 H100 芯片的利润率。

核心驱动：DRAM 业务营收占比近 80%，HBM4 贡献开始显著爬坡。

4、公司经营层面亮点

1）5年期战略客户协议（SCA）的里程碑意义

美光首次披露与核心大厂签署了5 年期的长约。

过去存储是典型的强周期“大宗商品”，现在变成“战略资产”，下游巨头宁愿锁定 5 年产能也要保供。

这标志着存储行业周期性的波动幅度正在被AI 刚需“熨平”并进入多年的超级成长周期。

2）HBM4 提前量产：Vera Rubin 时代的入场券

美光确认针对英伟达下一代Vera Rubin 架构的 HBM4 36GB 12H 已量产。HBM4 的工艺复杂度是 HBM3e 的数倍，且占用晶圆面积更大。这意味着：即便产能翻倍，产出的位元（Bits）增长也极为有限。存储供给端的约束将是长期常态。

3）资本开支（Capex）的真相：投的是“未来空间”而非“当前过剩”

美光宣布2026 财年资本开支超 250 亿美元，并追加 100 亿美元建筑支出。过去强周期逻辑下，市场恐慌存储扩产带来再一次严重亏损。

但从台积电到美光、三星等AI巨头的真金白银的大幅扩产，其中市场调研的深度、对客户需求理解的深度、对AI理解的深度，一定远超华尔街卖方，未来从推理侧需求、智能体时代开启、具身智能、以及AI端侧的需求，系统性的构成了对存储的强劲需求。

5、未来指引

1）AI Server 依旧是绝对主力

2026 年 AI 推理和训推一体化对内存的消耗量较 2025 年再翻番。

这点从英伟达的GTC中反复强调的智能体、推理需求、具身智能场景等需求契合，如HBM3E、HBM4，是AI 训练/推理的核心存储，满足CPX处理长文本、大上下文的高带宽需求。包括：

企业级DDR5（带 ECC），服务器级大容量内存，配合 CPX 完成大规模数据的预填充与注意力计算；

企业级NVMe SSD，适配云端推理的吞吐量需求；

低延迟DDR5/LPDDR5X，匹配 LPX“实时交互、毫秒级响应”的核心需求；

片上SRAM（On-Chip SRAM），适配LPX 内置的高带宽、低延迟存储，辅助快速完成解码生成环节；

随着Vera Rubin 等超大规模计算架构的落地，单台服务器的 HBM 搭载容量呈指数级上升。存储不再是算力的附属品，而是成为了制约算力释放的关键瓶颈。这种供需错配支撑了行业高溢价的存续时间。

2）消费电子需求超预期+产品结构升级新增需求

同时，电话会中阐述了消费级存储的高景气预期，一方面是2025年PC等消费电子超预期实现了两位数增长；

一方面智能手机AI Phone 和 AI PC 对 LPDDR5X 及更高规格内存的起步要求已从 16GB 转向 32GB/64GB，未来32GB/64GB 的起步标准将支撑消费电子业务在“量平”的背景下实现“价升”，这种“存量市场、规格翻倍”的逻辑，使得存储公司DRAM 平均售价（ASP）仍具韧性；

同理，兆易创新的高端NOR Flash 与车规级 MCU 受益于智驾及工业自动化对高可靠性、长周期的刚需。普冉的超低功耗 NOR Flash 与高可靠性 EEPROM 则受 AIoT 及车载摄像头模组规格升级驱动；两司均通过“高价值量产品占比提升”抵消了通用型产品的波动，在供给端产能受限+需求端平稳+价格上涨的逻辑下，同样呈现出景气特征和成长性。

5、存储的高景气，已经率先在佰维存储这类模组厂的2026年1-2月的营收业绩上“暴力体现”了，模组厂今年上半年仍能持续受益于去年低价库存红利；

同时，兆易这种拥有充足颗粒保障（依托长鑫）的设计厂，在全行业抢货的背景下，手里有稳定的产能供给就是绝对的议价权，同样享受“量价齐升”红利，比单纯消耗去年低价库存的模组厂更具长线弹性；

同理，普冉这种在利基市场NOR/EEPROM卡位精准的公司，下游客户对涨价接受度更高，正踩中端侧 AI 对小容量存储规格翻倍的红利期。公司业绩预告中表述：“采取较为积极的供应链策略，有效增加存货库存水位，使得公司库存维持在较高水平，存货周转率有所下降，公司基于谨慎原则对存货计提减值”，实际上这个高库存，将会转变为26年的业绩弹性。

备注：截图为佰维存储1-2月营收披露

6、华尔街习惯性恐慌“资本开支增加=产能过剩”，但本次扩产逻辑有着本质区别。

原厂投下去的几百亿美金，很大比例是用来建厂房（土建周期长）和购买昂贵的先进封装设备，而不是简单粗暴地增加晶圆投片量。更核心的物理限制在于：HBM4 晶圆消耗量极大，相当于消耗 3 颗甚至更多普通 DDR5 的产能，才能做出一颗 HBM。这就导致了“名义资本大增，实际产出严重受限”。只要原厂的产能被 HBM 死死锁住，普通 DRAM 和利基型存储的供给就会一直被挤压，国内拥有充足颗粒产能保障的厂商，其“产能溢价”逻辑就依然坚挺。

（英伟达GTC文章晚几天写，最近事情太多。本文先跟踪下存储赛道产业。）

【电话会全文】

公司参与者

Satya Kumar - 企业副总裁兼投资者关系及财务主管；

Sanjay Mehrotra - 首席执行官、总裁兼董事长；

Mark Murphy - 执行副总裁兼首席财务官

Sanjay Mehrotra首席执行官、总裁兼董事长

谢谢萨蒂亚。美光在2026财年开局表现出色，第一季度营收、毛利率和每股收益均远超我们此前的预期上限。这一财务业绩得益于我们在供应紧张的环境下，在终端市场和产品方面取得的强劲执行力。

我们在第一财季取得了多项纪录。公司总营收、DRAM和NAND营收、HBM和数据中心营收以及各业务部门的营收均创下新高。我们已就2026年全年HBM供应的价格和数量达成协议，其中包括美光业界领先的HBM4。我们预测，到2028年，HBM市场规模将以约40%的复合年增长率增长，从2025年的约350亿美元增长到2028年的约1000亿美元。这一1000亿美元的HBM市场规模里程碑预计将比我们之前的预测提前两年实现。值得注意的是，我们预测的2028年HBM市场规模将超过2024年整个DRAM市场的规模。我们对定制化的HBM4E客户合作项目感到非常兴奋，这些项目为我们提供了更多差异化发展的机会，并且我们在HBM路线图方面也持续取得显著进展。

如今，内存对于人工智能的认知功能至关重要，其角色已从系统组件转变为决定产品性能（从数据中心到边缘）的战略资产。这种结构性转变意味着系统能力高度依赖于先进的内存进行实时上下文处理，这对于在人工智能数据中心以及从自动驾驶汽车到高级医疗诊断等各种应用中实现自主智能行为至关重要。

<简评：以前文章阐述过，存储超级成长周期的底层逻辑，即随着长文本（Long Context）技术的爆发，KV Cache 对显存的占用呈线性增长，这使得存储容量成为维持“基础事实准确性（Grounding）”的物理边界。所以理论上，这种推理侧爆发对存储的需求，逻辑上没有需求上限，除非技术性变革解决存储需求问题。随着AI进入推理和智能体时代，存储确实从过去的边缘产品成为战略资产。>

凭借技术领先优势、差异化的产品组合、强大的运营能力和稳健的资产负债表，美光科技处于其历史上最佳的竞争地位，并且是半导体行业人工智能领域最重要的推动者之一。

我们预计2026财年第二季度和全年营收、毛利率、每股收益和自由现金流都将创下新高，并且我们预计全年业务表现将持续走强。

持续强劲的行业需求，加上供应受限，导致市场供应紧张，我们预计这种情况将持续到2026年以后。我们正在与客户就签订包含具体承诺的多年期合同进行磋商，并取得了进展。

<简评：美光披露的新增产能，也要2027年年中实现量产，存储的重资产属性导致其注定无法快速释放产能，这点在投资上优于光模块光器件等，所以才反复强调存储的投资机会。美股算力各细分的表现上，存储更是顶着地缘波动新高，就是产业强劲基本面的体现。>

与此同时，我们致力于最大限度地利用现有空间进行生产，提升我们行业领先的技术节点，并投资建设新的洁净室空间，以增强我们的供应能力。

美光的技术领先地位是我们强大竞争优势的基石。美光在DRAM领域已连续4个工艺节点领先业界，在NAND领域也已连续3个工艺节点领先业界，并且每个节点的良率提升速度都越来越快。我们的1-gamma DRAM节点正在稳步提升。1-gamma将成为我们2026年DRAM位容量增长的主要驱动力，并将在下半年占据我们DRAM位容量的大部分。展望1-gamma之后，我们正在开发1-delta和1-epsilon节点，这些节点将采用创新技术，我们预计这些创新将进一步巩固我们的差异化优势和技术领先地位。

在NAND闪存方面，我们的G9工艺节点正稳步推进，数据中心和客户端SSD的良率均实现了强劲增长。本季度，包括G9 QLC在内的QLC NAND闪存产品组合达到了历史新高。向G9工艺节点的过渡将成为我们2026年NAND闪存容量增长的主要驱动力，我们预计G9将在2026财年晚些时候成为我们最大的NAND闪存工艺节点。

我很高兴地宣布，2025 年对于美光来说，无论从内部还是客户质量指标来看，都将创下历史新高，这使我们能够更好地履行作为存储器行业质量领导者的职责，为客户提供优质服务。随着我们的产品越来越多地集成到高价值应用中，我们在质量方面的领先地位正成为一项日益重要的差异化优势。

再来看看我们的终端市场。随着全球领先的科技公司向通用人工智能(AI) 迈进，并重塑全球经济，我们的客户正致力于在未来数年内大规模建设数据中心。AI 数据中心容量的增长正显著推动对高性能、大容量内存和存储的需求增长。服务器需求已显著增强，我们现在预计 2025 年服务器销量增长率将达到 10% 以上，高于上次财报电话会议中 10% 的预期。我们预计服务器需求强劲的势头将在2026 年持续。服务器内存和存储容量以及性能要求也在逐代提升。

<简评：美光预计AI服务器整体增长10%+，也是推导出工业富联确定性增长的逻辑，只是弹性上，比存储和光互联小一些。>

美光拥有差异化的高价值数据中心解决方案组合，可满足这些需求，其中包括我们的HBM、高容量服务器内存解决方案和数据中心固态硬盘。美光HBM4拥有业界领先的11Gbps以上速度，预计将于2026年第二季度实现高良率量产，与客户的产品量产计划相符。我们的HBM4在基础逻辑芯片和DRAM核心芯片上采用了先进的CMOS和金属化工艺技术，这些芯片均由我们自主设计和制造。凭借这些优势，以及我们独特的HBM设计、封装和测试能力，美光在性能和低功耗方面均处于业界领先地位。

<简评：这里补充一个技术视角的横向对比。如果说我们在光通信里看重的是单通道的 SerDes 速率来打通网络互联，那么在计算节点内部，HBM 就是那条极宽的“片内光纤”。英伟达从 Hopper 架构到 Blackwell，再到未来的 Vera Rubin，算力的翻倍必须依赖内存带宽的同步翻倍。美光HBM4跑到11Gbps，意味着单颗 HBM 带宽将突破惊人的1.5TB/s。这也是为什么台积电要把 CoWoS 产能死死绑定给HBM的原因：算力再强，喂不饱数据也是白搭。在这里，存储突破物理带宽的逻辑，和光模块向1.6T/3.2T 升级的产业地位是完全对等的>

美光率先在数据中心采用低功耗DRAM (LPDRAM)。美光的低功耗 DRAM 服务器模块功耗仅为 DDR DRAM 服务器模块的三分之一。基于这一领先地位，我们推出了 192 GB LP SOCAMM2 产品样品，该产品使单个模块的容量提升了 50%，机架级 LPDRAM 密度超过 50 TB。

<简评：LPDDR（低功耗内存）进入数据中心是关键的产业信号。现在AI 机柜面临的最大掣肘不仅是算力，更是“功耗墙”（Power Wall）。英伟达等巨头都在疯狂追求能效比。美光把原本用在手机上的低功耗技术魔改放进服务器，功耗直接降三分之二。这就解释了为什么 LPDDR 这种以往的“消费级”产品，在 AI 推理时代也能吃上数据中心的红利。这也意味着，国内具备低功耗存储技术积累的厂商，其产品的高端化切入点正在被拓宽>

我们数据中心NAND产品组合在第一财季的收入超过10亿美元，并且凭借我们领先的NAND技术，我们的数据中心SSD产品组合也呈现强劲的增长势头。在高性能SSD领域，美光推出了全球首款采用G9 NAND技术的PCIe Gen6 SSD。我们看到该产品的认证订单正在迅速增长，其中包括来自超大规模数据中心的订单。在主流存储领域，我们基于G9 NAND技术的SSD在2026年第一季度已经展现出强劲的需求。

<简评：智能体和推理需求爆发下，单HBM是不够用的，需要企业级SSD补充进去，即台湾省群联电子在推的Dram+Flash方案，这样才能让具身智能拥有足够的记忆，否则具身智能就成了“健忘症”患者，消费体验上会非常差。所以结构上，AI存储受益不仅仅是HBM，还有NAND>

在存储容量方面，我们基于QLC的122TB和245TB G9固态硬盘正在多家超大规模客户处进行认证。PC需求持续受到Windows 10生命周期结束和人工智能PC的推动。我们预测，2025年PC销量将实现接近两位数的百分比增长，高于上次财报电话会议中预测的中个位数增长。展望2026年，我们预计这些需求驱动因素将持续，但内存供应限制可能会影响部分PC的出货量。美光已完成多家OEM厂商对其16Gbps、1-gamma级DDR5内存和基于G9级PCIe Gen4 QLC固态硬盘的认证。

展望移动领域，预计2025年智能手机出货量将实现个位数百分比的低增长。人工智能正在推动内存容量的增长。第三季度，配备12GB DRAM的旗舰智能手机出货量占比提升至59%，是去年同期的两倍多。美光正在加速推进移动DRAM产品组合的创新。在第一财季，我们开始向领先的OEM厂商和生态系统合作伙伴提供突破性的1-gamma 16Gb LPDDR6产品的样品，这标志着下一代内存技术的一个重要里程碑。LPDDR6将为边缘AI提供强大动力，为旗舰智能手机和AI PC带来超过50%的性能提升和更高的能效。美光还提供了1-gamma LP5X 24Gb产品的样品，并开始向多家OEM厂商批量出货此前发布的1-gamma LP5x 16Gb产品。

<简评：现在是DDR5\DDR6\DDR7，都逐步开始进入AI数据中心，同时边缘AI目前谈不上爆发，国内还没用上真正的智能体手机呢，未来AI端侧的需求会进一步带动立体化的需求。>

转向汽车、工业和嵌入式领域。在汽车领域，L2+ 和 L3 闪存的普及推动了强劲的需求，而我们客户的路线图也表明，全自动驾驶汽车的内存容量将显著提高。凭借差异化的产品组合和汽车市场的领先地位，美光拥有独特的增长优势。我们针对汽车和先进机器人技术优化的、符合 ASIL 标准的 LPDDR5X 和 UFS 4.1 NAND 产品，包含带宽增强功能，目前市场需求旺盛，并已斩获数十亿美元的设计订单。

在工业领域，受各种应用领域中自主系统日益普及的推动，市场需求持续强劲增长。工业应用领域（例如工厂自动化、航空航天与国防、人形机器人、边缘网络和视频监控）的内存和存储设备长期需求依然保持强劲。在汽车和工业市场，LPDDR4X 和 DDR4 的需求也十分旺盛，我们正在加大投资，以确保位于弗吉尼亚州马纳萨斯工厂的长期稳定供应。

现在我们来谈谈市场展望。过去几个月，客户的AI数据中心建设计划推动了内存和存储需求预测的急剧增长。我们认为，在可预见的未来，行业总供应量仍将远低于需求量。由于HBM与DDR5的交换比例为3:1，且随着HBM的迭代更新，这一交换比例还会进一步提高，因此HBM需求的急剧增长进一步加剧了供应压力。为了满足不断增长的需求，需要增加洁净室空间，而洁净室建设的周期在各地都在延长。

供需因素共同导致DRAM和NAND闪存行业供应紧张，我们预计这种紧张局面将持续到2026年及以后。我们对2025年DRAM和NAND闪存行业位需求增长的预期高于上次财报电话会议的预测。我们现在预计2025年DRAM位需求增长将达到20%左右，而此前的预期为10%以上。我们预计2025年NAND闪存位需求增长将达到10%以上，而此前的预期为10%左右。我们预计2026年DRAM和NAND闪存行业位出货量增长将受到行业供应的制约。我们预计2026年DRAM和NAND闪存行业位出货量将比2025年增长约20%。

在此期间，美光正努力满足客户的需求，预计2026年DRAM和NAND闪存的出货量将增长约20%。尽管我们付出了巨大的努力，但遗憾的是，我们仍然无法满足所有市场领域客户的需求。美光计划将2026财年的资本支出增加至约200亿美元，高于此前预估的180亿美元。此次增加的支出将主要用于提升2026年HBM和1-gamma闪存的供应能力。我们正在积极增加设备订单，并加快安装进度，以最大限度地提高产能。

美光科技正加大全球制造规模的投入，以增加产能，满足长期需求。我们看到客户对我们在美国的产能计划反响热烈。我们正在提前推进爱达荷州首座晶圆厂的建设，预计将于2027年年中实现首片晶圆的量产，比之前预期的2027年下半年提前。

今年早些时候，我们宣布了在爱达荷州建设第二座晶圆厂的计划，该厂将于2026年开工建设，并于2028年底投入运营。我们在纽约州厂址的必要许可审批方面进展顺利，并感谢纽约州政府和特朗普政府的合作。我们计划于2026年初在纽约州启动第一座晶圆厂的建设，预计该厂将为2030年及以后的供应提供保障。

在日本，在经济产业省的支持下，我们正在进行技术和制造方面的投资。我们正与位于博伊西的研发团队合作，推动未来DRAM技术的转型。此外，我们还在广岛的工厂增设洁净室空间，以支持这些先进节点，从而扩大生产规模并优化工厂经济效益。

在新加坡，我们的HBM先进封装工厂正按计划推进，预计将于2027年为我们的HBM供应做出重要贡献。随着HBM成为我们在新加坡生产布局的一部分，我们预计NAND和DRAM生产之间将出现协同效应。我们对位于印度的组装和测试工厂的进展感到满意，该工厂已启动试生产，并将于2026年实现量产。随着我们战略制造计划的推进，我们将继续密切关注市场环境，并严格执行资本支出计划。

接下来我将把发言权交给马克，请他介绍我们第一财季的财务业绩和展望。

马克·墨菲，执行副总裁兼首席财务官

谢谢Sanjay，大家下午好。美光科技第一财季业绩强劲，营收、毛利率和每股收益均超出预期上限。本季度，我们创造了创纪录的自由现金流，降低了债务，并恢复了净现金流。

第一财季总营收达136亿美元，环比增长21%，同比增长57%，连续第三个季度创下季度新高。所有业务部门的营收均实现环比增长。第一财季DRAM营收达108亿美元，创历史新高，同比增长69%，占总营收的79%。DRAM营收环比增长20%。受DRAM行业供应紧张、定价策略有效以及产品组合优化等因素影响，芯片出货量略有增长，价格上涨约20%。

美光第一财季NAND闪存营收创下27亿美元的历史新高，同比增长22%，占公司总营收的20%。环比来看，NAND闪存营收增长22%。受NAND闪存行业供应紧张、定价策略有效以及产品组合优势的推动，NAND闪存出货量实现了中高个位数百分比的增长，价格也实现了十几个百分点的增长。

第一财季合并毛利率为56.8%，环比增长11个百分点。这一增长主要得益于价格上涨、成本控制得当以及产品组合优化。

现在来看各业务部门的季度财务业绩。云存储业务部门（CMBU）营收创下53亿美元的历史新高，占公司总营收的39%。CMBU营收环比增长16%，主要得益于比特出货量增加和价格上涨。CMBU毛利率为66%，环比增长620个基点，这得益于成本控制和价格上涨。核心数据中心业务部门（CDBU）营收创下24亿美元的历史新高，占公司总营收的17%。CDBU营收环比增长51%，主要得益于强劲的比特出货量和价格上涨。CDBU毛利率为51%，环比增长990个基点，这得益于价格上涨和成本控制。

移动及客户端业务部门营收创下43亿美元的历史新高，占公司总营收的31%。移动及客户端业务部门营收环比增长13%，主要得益于产品定价上涨，但部分被芯片出货量下降所抵消。移动及客户端业务部门毛利率为54%，环比增长17个百分点，主要得益于产品定价上涨。汽车及嵌入式业务部门营收创下17亿美元的历史新高，占公司总营收的13%。汽车及嵌入式业务部门营收环比增长20%，主要得益于芯片出货量和产品定价的上涨。汽车及嵌入式业务部门毛利率为45%，环比增长14个百分点，主要得益于产品定价上涨。

第一财季的运营支出为13亿美元，环比增长1.2亿美元，符合预期范围。环比增长主要源于研发支出增加，以支持我们新型DRAM和NAND技术节点的技术和产品开发。

我们在第一财季实现了64 亿美元的营业收入，营业利润率为 47%，环比增长 12 个百分点，同比增长 20 个百分点。

第一财季税收为9.77亿美元，实际税率为15.1%。第一财季非GAAP稀释后每股收益为4.78美元，环比增长58%，同比增长167%。

接下来谈谈现金流和资本支出。在第一财季，经营活动产生的现金流为84亿美元，资本支出为45亿美元，由此产生的自由现金流为39亿美元。第一财季自由现金流创下季度新高，比2018财年第四季度的前期纪录高出20%以上。第一财季末存货为82亿美元，环比减少1.5亿美元，存货周转天数为126天。DRAM存货周转天数保持在较低水平，低于120天。资产负债表显示，截至季度末，我们持有现金和投资120亿美元，计入未动用的信贷额度后，流动资金为155亿美元。

在第一财季，我们根据CHIPS协议的条款回购了价值3亿美元的股票。该季度，我们还减少了27亿美元的债务，偿还了10亿美元的定期贷款余额并赎回了17亿美元的高级票据。季度末，我们的债务总额为118亿美元，净现金余额超过2.5亿美元。在本财年，随着自由现金流的增加，我们预计将进一步增强资产负债表的稳健性。

在展望未来之前，我想先分享一下美光在人工智能应用方面取得的进展。目前，超过80% 的专业员工都在积极使用 GenAI，总使用量比去年增长了十倍。在制造环节，将人工智能集成到良率和质量管理中，已将根本原因识别时间缩短了一半。我们的编码团队通过使用智能体人工智能，实现了30% 甚至更高的生产力提升。在研发环节，GenAI 通过缩短周期、优化设计验证、产品验证、问题分类和根本原因分析，加速了产品开发。在各个业务职能部门，GenAI 正在拓展自动化机遇，我们正在部署对话分析来加速和改进决策。我们预计，未来几年，美光在企业范围内应用人工智能将进一步增强我们的竞争力。

现在我们来展望一下第二财季。DRAM 和 NAND 的行业需求均大于供应。我们预计价格上涨、成本下降以及有利的产品组合将有助于第二财季毛利率的提升。第二财季的运营支出预计约为13.8 亿美元。正如上个季度所述，由于本财年为 53 周，美光 2026 财年第四财季的运营支出也将反映出额外一周工作的影响。我们预计第二财季和 2026 财年的税率约为 15.5%。

美光科技正以审慎的态度在全球制造基地进行投资，以更好地满足市场需求。为应对2026年以后可能出现的供需紧张局面，我们预计2026财年的资本支出约为200亿美元，其中下半年支出占比更高。我们预计2026财年第二季度自由现金流将有所改善，并预计2026财年自由现金流将同比增长显著。任何潜在的新关税可能带来的影响均未包含在我们的业绩指引中。

综合考虑以上因素，我们对第二财季的非GAAP业绩指引如下：预计营收将达到创纪录的187亿美元，上下浮动4亿美元；毛利率预计在68%左右，上下浮动100个基点；运营费用约为13.8亿美元，上下浮动2000万美元。基于约11.5亿股的股本，我们预计每股收益将达到创纪录的8.42美元，上下浮动0.20美元。

现在我把收尾工作交给桑杰。

Sanjay Mehrotra 首席执行官、总裁兼董事长

谢谢马克。人工智能驱动的需求已经到来，并且正在加速增长，美光正凭借其史上最佳的竞争优势抓住这些机遇。这一成功建立在我们全球团队的强大实力之上，我要感谢我们全球团队成员的辛勤付出和奉献精神。我们正处于美光历史上最激动人心的时刻，而最好的还在后头。现在开始接受提问。

蒂莫西·阿库里瑞银投资银行研究部

Sanjay，我想问问你关于客户长期授权（LTA）的问题。我知道我们听说D5内存会和HBM闪存捆绑销售，有些情况下甚至会和NAND闪存捆绑销售。你能谈谈这些长期授权吗？我知道这些授权似乎会持续到2026年，有些甚至会持续到2027年。我还听说有些会持续到2028年。你能谈谈这些长期授权的具体情况吗？之后我还有一个后续问题。

Sanjay Mehrotra 首席执行官、总裁兼董事长

我们正在与几位重要客户洽谈多年期合同。这些合同当然涵盖DRAM和NAND闪存。至于条款，这些正在洽谈的合同与之前的长期协议（LTA）截然不同。它们包含具体的承诺，合同结构也更加严谨。目前，我无法透露更多细节。当然，未来如有必要，我们会分享更多细节。

蒂莫西·阿库里瑞银投资银行研究部

马克，我想问问你关于资本支出的问题。你把净资本支出提高到了200亿美元，但你似乎并没有预测2026财年的全部营收。所以我们还不清楚具体的资本密集度是多少，但看起来大概在25%到30%之间，略低于你通常设定的35%的指标。这是因为晶圆厂空间有限吗？你能否谈谈这种情况是否会延续到2027财年，届时资本支出是否会更接近35%的水平？

我听到了桑杰对第一个问题的回答，但我没有听到你对我关于资本支出和资本密集型问题的回答，马克。

马克·墨菲，执行副总裁兼首席财务官

好的，蒂姆。你说得对，蒂姆。我们没有提供全年营收预期。我们确实提到过，我们的资本支出将在2026财年增加。无论如何，这部分资本支出的大部分将用于支持DRAM，特别是HBM以及1-gamma和1-gamma的量产。我想说的是，从2025年到2026年，我们的计划是将实体设施建设方面的资本支出大致翻一番，目前我们预计2027年的资本支出也会增加——但我想强调的是，美光将继续控制资本支出的增长，以支持位需求和位供应，并且供应将与需求保持一致。

关于您提到的资本密集度问题，随着市场环境持续向好，我们的资本密集度自然在下降。当然，我们也在努力提高资本支出的效率。

我想，马克，关于之前提到的资本支出和相对增长的问题，在目前的形势下，你们的策略似乎非常保守。感觉你们好像没有洁净室空间，而且似乎也没有在实质性地扩建洁净室。你能谈谈你们的理念吗？从你的发言中，我理解到你们在扩建产能方面非常谨慎和保守。

马克·墨菲，执行副总裁兼首席财务官

嗯，我想说，我们已经连续几个季度指出供应问题，一直在努力降低库存，节点过渡将是2026财年供应增长的主要来源，而事实也正是如此。我们知道洁净室空间需要时间，而随着人工智能驱动的需求不断增长，人脑内存模块（HBM）的增长进一步加剧了供应压力。

所以短期内没有解决办法。正如我们在事先准备好的发言稿中所说，我们预计整个行业都将面临供不应求的局面，我们也不例外。但我们正在迅速行动，尽最大努满足客户的供应需求。我们已经调集了生产工具，加快了在爱达荷州的建设进度。我们正在现有产能和近期产能扩张的范围内竭尽所能地保障供应。因此，我们给出的2026年增长预期是基于供应受限的。

我还要补充一点，当然，我们也在持续加大对现有业务领域技术转型方面的投资。正如我们之前强调的，1-γ节点将是2026年我们供应增长的主要驱动力。当然，您也看到了，我们不仅在技术转型方面进行投资，还在新建产能方面进行投资，同时还提升了我们在日本现有洁净室的技术生产能力，我们也在进行必要的投资。

当然，我们依然保持严谨的作风，但我们非常专注于提升当地的产能，并对我们在爱达荷州1号、爱达荷州2号以及纽约州的计划感到满意。当然，短期内，我们的重点是最大限度地提高生产效率，并尽可能扩大现有产能。的确，受人工智能的驱动，从数据中心到边缘计算，随着客户业务的拓展，市场需求强劲，但产能却严重不足。我认为，在中期内，我们只能满足几家主要客户约50%到三分之二的需求。因此，我们将继续全力以赴，努力提升产能，并进行必要的投资。

克里斯托弗·缪斯，坎托·菲茨杰拉德公司研究部

非常有帮助。接下来我想补充一点关于毛利率的问题。显然，这份指南非常出色。但我很好奇，在2026年，我们应该如何看待DRAM和NAND的成本下降问题？从3E过渡到4E时，我们是否应该注意或考虑一些因素，例如，在良率或其他方面，哪些因素可能会导致成本暂时上涨？

马克·墨菲，执行副总裁兼首席财务官

是的。所以，我们的成本控制——CJ，无论是DRAM还是NAND，都做得非常好。当然，我们利用了一定的销量杠杆，但支出控制也做得非常出色。良率也很高。我们确实有一些启动成本，用于新建晶圆厂和整个网络的建设。这些成本将从2026年下半年开始，并延续到2027年。但就目前的业务规模而言，这些成本对利润率的影响相对较小。我们不会提供今年剩余时间的成本指引，因为这取决于许多因素，包括产品组合。但回到我们之前的问题，我可以说，我们已经详细讨论了2026年1-gamma DRAM和G9 NAND的产能提升计划。这些产能提升计划进展顺利，随着这些制程节点的逐步提高，它们将成为我们降低成本的利好因素。

关于您提到的HBM3E和HBM4的问题，正如我们之前所说，我们将在第二季度开始根据客户需求逐步提高HBM4的产量。当然，我们的HBM4研发进展非常顺利。我们对这款产品非常满意，它是一款业界领先的产品，性能高达11Gbps以上。我的意思是，这是目前最高的性能。我们对它的整体良率提升非常满意，并且预计HBM4的良率提升速度将比HBM3E更快。

当然，我们在2026年HBM3E和HBM4的产能分配将很大程度上取决于客户的整体需求。这两款产品都将在2026年的营收中占据重要地位。

哈兰·苏尔，摩根大通公司研究部

季度执行工作做得非常出色。过去三四个月，我们一直在追踪不同的ASIC AI XPU项目。明年ASIC XPU的出货量预期已被大幅上调。你们有谷歌TPU、AWS Trainium等等，对吧？所有这些XPU都将继续使用HBM3E。你们团队是否已经从3E的订单中看到了这种短期利好趋势？考虑到你们2026年的订单已经全部订满，明年的预期又会如何变化？美光团队将如何应对3E需求的增长以及强劲的HBM4需求？

Sanjay Mehrotra首席执行官、总裁兼董事长

正如我之前提到的，Harlan，2026年我们将同时销售HBM3E和HBM4。我们之前也和大家分享过，我们与整个HBM客户生态系统中的众多客户保持着密切的联系，他们都将为我们2026年强劲的营收同比增长做出贡献。当然，这其中将包含HBM3E和HBM4。正如我所说，我们将继续根据客户需求来管理这两种产品的组合。我可以告诉大家，2026年HBM的供应将会非常紧张，非HBM DRAM的供应也会很紧张。正如我们在准备的发言稿中强调的那样，我们持续看到供应环境趋紧。当然，我们预计2026年HBM的营收将实现强劲的同比增长。今天，我们提高了对HBM的营收预期。我们强调，预计到 2028 年，市场规模将达到 1000 亿美元，比我们之前的预测提前了 2 年。

所以，HBM的发展势头良好。我还可以告诉大家的是，随着客户架构和平台的不断演进，整个生态系统中的客户对HBM的需求也越来越高。我的意思是，内存对于提供AI功能、特性和性能至关重要，因此，各种AI平台都需要更多的HBM。

哈兰·苏尔，摩根大通公司研究部

桑杰，我明白了。在企业级SSD市场经历了2到3个季度的低迷期后，我相信团队看到了业务的强劲增长，对吗？根据一些第三方研究机构的估计，我认为你们的企业级SSD业务在最近一个季度环比增长了25%左右，对吗？所以你们在8到9家竞争对手中排名第三，对吗？市场份额非常强劲。考虑到目前需求不断增长，交货周期也在延长，美光团队是否也在与你们的eSSD客户签订长期供货协议？其次，我的意思是，SSD的需求是否更多地与推理工作负载的扩张相关，因为客户正在积极转向商业化？换句话说，推理工作负载的存储强度是否高于训练工作负载？

Sanjay Mehrotra 首席执行官、总裁兼董事长

因此，就企业级固态硬盘而言，我们为我们的工程和业务团队，当然还有销售团队感到非常自豪，他们在客户互动、强劲的增长势头以及企业级固态硬盘市场份额的提升方面都表现出色。当然，我们的企业级固态硬盘是我们数据中心强化产品组合的重要组成部分。DRAM在数据中心领域的占比也在持续增长，但数据中心固态硬盘仍然是我们整体收入结构中不可或缺的一部分。我们期待继续凭借我们强大的固态硬盘产品路线图、积极的客户互动以及为客户提供的卓越品质，进一步提升市场份额。

正如我刚才提到的，我们正在与几家重要客户洽谈多年期合同，其中也包括我们的固态硬盘（SSD）和数据中心固态硬盘。而且我要说明的是，这些多年期合同不仅仅针对数据中心客户，也涵盖我们各个细分市场的众多客户。

至于您提出的“推理和训练对固态硬盘的需求增长是增长还是增长”这个问题，我可以告诉您，在数据中心人工智能应用中，随着生成式人工智能越来越多地应用于视频领域，这自然也会推动我们对固态硬盘的需求增长。也就是说，人工智能从训练到推理的快速发展，以及人工智能模型和应用的快速演进，都在推动企业级固态硬盘需求的增长，而生成式人工智能正是这一增长的主要驱动力。

<简评：这里前面阐述过，DRAM和NAND都会深度受益于AI数据中心的需求，消费级、工业级市场的存储产能不足的局面，将会持续较长的时间。>

Thomas O'Malley，巴克莱银行有限公司，研究部

Sanjay，你之前在谈到美光HBM的产能扩张以及整个市场的增长方面提供了很多有用的信息。你对HBM的最新进展做了一些补充说明，指出其市场规模已达350亿美元，年复合增长率高达40%。但具体到美光，我很好奇你能否从金额的角度，谈谈目前HBM在DRAM业务中所占的百分比。展望明年，显然有一家大型竞争对手正寻求在3E芯片上提升竞争力。我们目前还没有听到关于4E芯片的消息。你如何看待明年自身的竞争地位？你认为未来几个月内，随着内存产品的公开认证，你会根据这些认证结果做出哪些不同的战略决策？

Sanjay Mehrotra 首席执行官、总裁兼董事长

我们对自己目前的竞争地位感到非常满意。我们对我们的产品，尤其是我们重点宣传的HBM4产品，拥有业界领先的性能，传输速度超过11Gbps，这是我们产品性能方面业内最佳的规格。当然，我们也对我们产品的功耗感到非常满意。过去，我们曾向您介绍过，我们的HBM3E比业内任何竞争对手的功耗都低30%，我们将继续保持低功耗的优势，您也知道，这在数据中心应用中至关重要。

因此，我们在功率方面保持了强劲的业绩，当然，我们强大的产能也得益于HBM4路线图。我们对自身的竞争地位、路线图以及未来几年（包括2026年以后）的HBM4路线图都感到非常满意。我们为团队在过去几个季度成功提升HBM3E产能的能力感到非常自豪。我们之前已经提到，在第三季度，我们的HBM3E份额已经与我们的HBM份额（即DRAM份额）保持一致。我们一直强调，在达到这一份额之后，尤其是在供应紧张的环境下，我们将合理配置HBM和非HBM产品的组合，因为所有这些产品都需求旺盛。HBM和非HBM产品都具有很高的盈利能力。

因此，考虑到我们的战略客户关系、整体盈利目标和增长目标，我们将继续管理HBM和非HBM产品的组合。当然，HBM正在增长，我们已强调预计到2028年，其市场规模将达到1000亿美元，比我们之前的预测提前了几年。当然，我们也会继续增长HBM业务，预计2026年HBM业务将实现强劲的同比增长。正如我之前提到的，目前供应环境紧张，包括HBM在内的所有DRAM产品供需缺口都达到了前所未有的高度，我之前也对此进行了量化分析。因此，在这种环境下，我们将继续与客户紧密合作，管理我们的产品组合，同时致力于持续增加供应，以更好地满足客户的需求。

Thomas O'Malley，巴克莱银行有限公司，研究部

好的。还有一个后续问题，您之前提到过历史平均年化收入约为80亿美元。如果看一下11月和2月的数据，您已经占据了总TAM，但能否具体说明一下HBM在11月季度的贡献，以及您在业绩指南中对此有何预期？

Sanjay Mehrotra 首席执行官、总裁兼董事长

我们这里不打算提供具体的细分数据。我的意思是，我们强调过，第一财季我们的HBM收入创下了历史新高，这一点我们已经重点提及。除此之外，我们不会提供具体的收入数据。我再次强调，2026年我们的HBM收入将实现强劲的同比增长。而且，我们的产品定位非常有利。所以，就整体业务组合而言，我们处于非常有利的位置。

Sreekrishnan Sankarnarayanan

TD Cowen，研究部

祝贺你们取得如此卓越的业绩和指导。我的第一个问题是问马克的。我知道你谈到了明年业绩的可持续性。我很好奇，在二月份之后，比如五月份，毛利率会继续提高还是维持在目前的水平？应该如何看待毛利率？另外，我还有一些问题要问桑杰。

马克·墨菲，执行副总裁兼首席财务官

谢谢，Krish。我们不会预测第二季度之后的毛利率。正如您所知，我们预测第二季度毛利率将创下历史新高，达到68%，环比增长11个百分点，比之前的最高纪录高出7个百分点。我们也表示，我们的业务将在全年持续走强。因此，我们相信毛利率能够提升。我们相信DRAM和NAND的毛利率都会提升。但请记住，在如此高的毛利率水平下，从数学角度来看，同样的价格上涨幅度，毛利率的提升幅度就会相应降低。所以，我们预计毛利率会在第二财季之后继续增长，但增长速度会比过去几个季度或第一季度和第二季度的预期更为缓慢。

马克·墨菲，执行副总裁兼首席财务官

克里什，最后一点。我们今年已经表明，我们之所以能够保持强劲势头，是因为我们相信这种积极的市场环境将持续到年底。同时，我们在成本控制方面也做得非常出色。正如桑杰之前提到的，我们将资源投入到市场中最有价值的部分，以及我们能够为客户提供最佳服务的领域。

Sreekrishnan Sankarnarayanan TD Cowen，研究部

明白了。马克，你真是帮了大忙。还有桑杰，我再补充一下之前的问题。我知道你不想设定什么限制条件，但一年前你预测HBM的市场份额会接近DRAM（DDR）的市场份额，当时你的预测完全正确。所以，当你提到2028年复合年增长率达到40%，市场规模达到1000亿美元时，你觉得美光的HBM市场份额在这个范围内会是多少？我们应该假设它会在20%左右，还是会更低？

Sanjay Mehrotra 首席执行官、总裁兼董事长

所以，Krish，我们再次重申，我们不会具体说明占比。正如我们之前所说，我们会合理安排HBM和非HBM业务的组合。就像我们产品组合中的其他产品一样，当我们拥有清晰的产品路线图时，我们当然会根据战略考量和客户关系来管理产品组合的组合。所以，Krish，我们不会对此进行详细分析。我只想说，在当前的行业环境下，我们认为在可预见的未来，行业基本面将保持稳定。凭借我们产品组合的诸多优势，以及内存价值的全面提升（当然也包括数据中心和其他市场中的HBM和非HBM），我们处于非常有利的地位。我们将继续专注于管理业务组合，力求在中期内取得最佳业绩，同时也要着眼于长远发展。

克里斯托弗·丹尼利，花旗集团研究部

所以我想深入了解一下你们正在谈判的这些长期客户合同。你们能否透露一下预计何时能够签署这些合同，以及目前阻碍合同签署的原因是什么？仅仅是因为合同期限或规模空前吗？鉴于人工智能公司占用了你们如此多的产能，你们能否让他们或多或少地为新建晶圆厂做出贡献？

Sanjay Mehrotra 首席执行官、总裁兼董事长

因此，我们不会深入探讨与客户合同谈判的具体细节。但我再次强调，客户非常关注在当前环境下长期获得充足内存的几个重要因素。为此，我们正与多家重要客户以及我们在多个市场开展建设性对话，讨论他们的供应情况以及与这些长期协议相关的其他重要承诺。

我不想赘述细节，但正如我刚才强调的，我们正在讨论的合同结构与以往截然不同。这些合同结构更加稳固，包含明确的承诺。当然，与以往合同不同的是，以往的合同通常是一年期的，而这些合同是多年期的。在与客户进行讨论时，我们当然要考虑整体供应情况。我之前提到过，在中期内，我们只能满足几个主要客户需求的二分之一到三分之二。因此，在管理客户关系并牢记战略目标的同时，所有这些因素都必须纳入合同讨论的考量范围。但这里就不赘述细节了。

克里斯托弗·丹尼利，花旗集团研究部

桑杰，这仍然很有帮助。我还有一个后续问题，关于HBM和定价。鉴于需求如此强劲，我记得你说过2026年的货已经售罄了。你们的价格是固定的吗？还是像DDR5那样，考虑到需求如此旺盛，价格可以有一定的浮动空间？

Sanjay Mehrotra 首席执行官、总裁兼董事长

我们对自身的产品定位以及与客户的合作能力感到非常满意。正如我们在准备的发言稿中所强调的，我们2026年HBM产品的订单已全部售罄，并且我们已与客户就2026年全年的订单数量和价格完成了谈判。我们一直强调，HBM产品盈利能力强劲。当然，我们也非常注重投资回报率，而我们的非HBM业务也同样盈利良好，这体现在我们公布的业绩以及我们在此提供的指引中。

Vivek Arya，美国银行证券研究部

Sanjay，我很好奇，内存价格上涨会在什么情况下影响电子产品的需求？如果撇开数据中心和人工智能市场不谈，你认为内存价格的弹性如何？展望2026年，你认为内存价格上涨会对更多消费产品和传统企业产品的需求产生什么影响？这又将如何影响明年内存价格的走势？

Sanjay Mehrotra 首席执行官、总裁兼董事长

我们在事先准备好的发言稿中强调，鉴于半导体和存储器的价格，部分消费市场（例如智能手机和个人电脑市场）的单位需求可能会受到影响。

<简评：华尔街的担心，之前笔者文章也阐述过，存储的这种挤压大概率会影响低端消费级手机、PC的出货量，因为售价被迫提高了嘛。但实际上头部厂商是有能力消化存储涨价的，比如降低其他配件的规格，从而让综合成本保持稳定。>

当然，部分客户（例如智能手机和个人电脑用户）也可能需要调整其产品组合，以应对当前的供应情况。但这些因素都已纳入我们的预测。也就是说，单位需求和客户组合变化可能受到的影响已在我们的预测中得到考虑。即便如此，我们仍然看到供需之间存在巨大缺口，供应环境非常紧张。

然而，我要强调的是，从数据中心到边缘，包括智能手机、PC 等边缘设备在内，人工智能体验对内存的需求至关重要。如果内存不足，边缘设备的人工智能体验、功能和性能都会受到影响。因此，关键在于，从数据中心到边缘，人工智能的全面发展正在推动内容增长，并随着客户未来发展规划的推进，对内存的需求也在不断增加。正因如此，客户才会与我们合作，确保其多年长期计划所需的内存供应。

谢谢大家。问答环节和今天的电话会议到此结束。现在，我宣布今天的电话会议结束。感谢各位的参与。大家现在可以断开连接了。

【综述】

简言之，存储的超级周期正在路上，美股和A股的表现以及核心公司的一季报财务数据，也会逐步验证其高景气的基本面；

AI上存储“皇冠上的明珠”HBM，美光已经给了指引，26-28年GAGR40%+，同时，随着推理侧需求结构的不同，记忆容量也愈发开始变得重要，所以企业级SSD也会进入AI受益的大家庭；

除了HBM，LPDDR5\DDR6\DDR7也会逐步被应用到训练和推理芯片中，AI领域产品毛利率明显高于消费级、汽车及工业级，那么至少2027年前，三大原厂没有动力、产能、资本投入到低毛利产品的产能扩张中，这就给了长鑫及兆易这些厂商以机会；

随着今年下半年后，智能体手机的逐步问世，AI手机的换机潮会逐步展开，那么消费级存储的需求预计也会逐步体现出来；

Q2随着存储公司优秀的一季报，以及长鑫的上市，预计从现在到一季报，存储赛道的投资都具有较好的确定性。