美光 2026 财年第二季度业绩表现亮眼，营收、毛利率、每股收益及自由现金流均创下历史新高。本季度营收较去年同期近乎三倍增长，动态随机存取存储器（DRAM）、闪存（NAND）、高带宽存储器（HBM）各产品线及各业务单元营收均刷新纪录。公司 2026 财年第三季度单季营收指引，已超过美光 2024 财年及此前所有财年的全年营收。我们预计，2026 财年第三季度公司营收、毛利率、每股收益和自由现金流各项指标将再创历史佳绩。基于对公司业务持续强劲发展的信心，我很高兴宣布，公司董事会已批准将季度股息上调 30%。
公司业绩与业绩展望实现跨越式提升，核心得益于人工智能驱动下存储器需求激增、行业结构性供应短缺，以及美光全方面的出色运营表现。我们的存储与记忆解决方案是这场人工智能革命的核心所在。存储器让人工智能更智能、更强大，助力实现更长的上下文窗口、更深度的推理链以及多智能体协同调度。随着人工智能技术的不断演进，我们预计计算架构对存储器的依赖度将持续提升。正因如此，我们坚信，美光将成为
人工智能时代最大的受益者与赋能者之一。人工智能不仅推高了存储器的需求，更从根本上重新定义了存储器的价值，使其成为人工智能时代的核心战略资产。
我们正持续与客户洽谈战略合作协议（SCA），这类协议与以往的长期协议（LTA）有所不同，通过多年期的明确承诺，为公司商业模式提升了透明度与稳定性。同时，战略合作协议也让客户能更清晰地规划自身业务，并深化双方在全品类产品领域的长期合作。目前，我们已成功签署首份五年期战略合作协议，对此我们倍感振奋。
技术研发
公司在行业领先的 1γ 代 DRAM 和 9 代 NAND 工艺节点的产能爬坡上取得显著进展。
我们预计，1γ 代将成为美光历史上出货量最高的工艺节点。该节点不仅是美光实现良率稳定速度最快的工艺，产能爬坡速度也远超公司过往所有节点，按计划将于 2026 年年中成为美光 DRAM 芯片出货的主流工艺。针对 1δ 代 DRAM 工艺节点，我们计划采用最新一代极紫外光刻（EUV）设备，提升该技术的应用比例。这些更先进的极紫外光刻设备，将助力我们在 1δ 代及后续更先进工艺的研发中，优化洁净室空间利用率与光刻图案制程。
在 NAND 闪存领域，9 代工艺节点也将按计划于 2026 年年中成为公司芯片出货的主流工艺，本季度我们的四级单元（QLC）芯片出货占比也创下历史新高。
展望未来，我们计划将博伊西和新加坡研发中心与高产能制造基地进行一体化布局，加快前沿产品的上市速度。我们看到，存储器和存储解决方案在各市场领域赋能人工智能时代的机遇前所未有，因此计划在 2027 财年大幅增加研发投入。
美光的技术领先性、产品竞争力及制造运营能力，也体现在客户的质量评分中。我很高兴向大家汇报，绝大多数客户将美光评为质量第一的存储器供应商。
数据中心
2026 年，受人工智能需求驱动，数据中心领域 DRAM 和 NAND 芯片的总可寻址市场规模（TAM）占行业整体的比例将首次突破 50%。受智能体人工智能相关工作负载需求增加，以及服务器全面更新换代的双重推动，传统服务器市场需求同样表现强劲，人工智能服务器需求也持续走高。目前，人工智能服务器与传统服务器的市场需求，均因 DRAM 和 NAND 芯片供应不足受到制约。我们预计，2026 年服务器出货量将实现低双位数增长，人工智能服务器与传统服务器市场均将贡献增长动力。随着新平台的推出，2026 年服务器的 DRAM 搭载量将持续提升。
在英伟达 GPU 技术大会（GTC）上，美光宣布已于 2026 年第一季度开始量产出货适用于英伟达维拉・鲁宾平台的 36GB 12 层堆叠 HBM4 产品。目前，公司 HBM4 产品的产能爬坡与量产出货正有序推进，预计良率稳定的速度将远超 HBM3E。我们还推出了 16 层堆叠 HBM4 样品，每个存储芯粒的容量可达 48GB，相较 12 层堆叠 HBM4 提升 33%。
公司下一代 HBM 产品 HBM4E 的研发工作进展顺利，计划于 2027 年实现量产爬坡。HBM4E 将采用美光经量产验证的行业领先 1γ 代 DRAM 工艺，性能将实现跨越式提升，为全行业新一代人工智能计算平台提供支撑。此外，HBM4E 的定制化选项将为我们打造差异化竞争优势，并推动与客户开展更深度的研发合作。
美光是数据中心低功耗 DRAM 的开创者，其功耗仅为 DDR DRAM 服务器模组的三分之一。依托这一领先优势，我们推出了行业首款基于 1γ 代工艺的 256GB 低功耗 SOCAMM2 产品，每颗中央处理器（CPU）可支持高达 2TB 的存储容量，相较一年前提升三倍。我们预计，未来低功耗 DRAM 在数据中心领域的应用将持续拓展，公司也将继续在该市场保持行业领先的产品创新路线图。
人工智能推理需求的快速增长，推动了针对特定工作负载代币经济优化的新型架构诞生。美光丰富的产品组合，包括 HBM、低功耗 DRAM、DDR DRAM 及固态硬盘（SSD），是这些新型架构落地的关键支撑。在本次英伟达 GPU 技术大会上，英伟达发布的 Groq 3 LPX 产品在机架级架构中搭载了最高 12TB 的 DDR5 内存，正是基于美光的产品方案。
受向量数据库、键值缓存卸载等人工智能应用，以及固态硬盘在大容量存储层市场份额持续提升的影响，数据中心领域的 NAND 芯片需求正加速增长。依托技术领先性与垂直整合优势，美光的数据中心固态硬盘产品组合实现了从极致性能到超大容量的全面覆盖。目前，公司基于 9 代 NAND 工艺的 PCIe 第 6 代高性能数据中心固态硬盘已实现高产能量产。122TB 超大容量固态硬盘市场认可度颇高，其每瓦顺序读取吞吐量是同容量机械硬盘（HDD）的 16 倍。公司的战略布局与运营执行已初见成效：2025 年，美光数据中心固态硬盘的市场份额连续第四个日历年实现增长，创下历史新高；2026 财年第二季度，数据中心领域 NAND 营收环比翻倍，再创新高，我们预计下一季度该业务将继续增长。美光的数据中心固态硬盘产品组合处于行业领先水平，已在客户群体中斩获大量设计订单。在可预见的未来，NAND 芯片的市场需求将大幅超过公司当前的供应能力。
个人电脑与移动终端
2026 年，受 DRAM 和 NAND 芯片供应短缺等多重因素影响，个人电脑与智能手机的出货量或出现低双位数下滑。但长期来看，终端侧人工智能的商业价值将推动个人电脑与智能手机的存储器搭载量实现强劲增长。
个人电脑领域近期创新成果频出，OpenClaw 等智能体人工智能应用相继落地，这类应用可在本地电脑端独立完成任务，也可向云端发起工作负载。搭载终端侧智能体人工智能功能的个人电脑，建议存储器配置至少为 32GB，是普通电脑的两倍。此外，个人人工智能工作站这一新兴品类增长迅猛，英伟达 DGX Spark、AMD 锐龙 AI Halo 等产品均配备 128GB 存储器，非常适合在本地运行大语言模型。
移动终端领域同样如此，三星 Galaxy S26、谷歌 Pixel 10 等新款旗舰智能手机已由厂商正式发布，其移动操作系统均集成了智能体人工智能功能。2025 年第四季度，搭载 12GB 及以上 DRAM 的旗舰智能手机出货占比已接近 80%，而一年前这一比例尚不足 20%。
依托行业领先的产品组合，美光已做好充分准备，把握个人电脑与移动终端市场的增长机遇。在个人电脑领域，美光已完成某头部厂商低功耗 CAMM2 产品的认证工作；在国际消费电子展（CES）上，我们发布了行业首款基于 9 代 NAND 工艺的第五代消费级 QLC 固态硬盘。美光的 LPDDR5X 产品已被多款主流个人人工智能工作站采用，公司的目标市场得以拓展，目前已向核心客户实现高产能出货。在智能手机领域，基于 1γ 代工艺的 LPDDR6 样品已获得终端厂商及生态合作伙伴的高度关注与积极反馈；同时，10.7 Gbps 1γ 代 LPDDR5X 16Gb 产品的认证工作持续推进，并已实现量产，市场势头不断提升。
汽车、工业与嵌入式领域
汽车、工业与嵌入式市场的产品定价持续改善，汽车与嵌入式业务单元（AEBU）总营收创下历史新高，本季度汽车与工业业务合计营收突破 20 亿美元。
汽车领域，整车厂商正加速在全系车型中部署 L2 + 级高级驾驶辅助系统（ADAS）。目前，市面上主流车型的驾驶辅助系统尚未达到 L2 级，每辆车的 DRAM 搭载量约为 16GB；而具备 L4 级自动驾驶能力的车辆，DRAM 搭载量需超过 300GB。随着更高级别驾驶辅助系统与智能座舱的普及，我们预计汽车存储器市场需求将迎来长期强劲增长。美光推出了行业首款车规级 1γ 代 LPDDR5 DRAM 样品，同时也是业内首家推出基于 9 代工艺的车规级 UFS 4.1 NAND 解决方案的企业，进一步巩固了在汽车存储器市场的技术领先地位。
人工智能技术的飞速发展，大幅提升了机器人的性能。我们认为，机器人行业即将迎来长达 20 年的增长周期，有望成为科技领域规模最大的产品品类之一。人形机器人将搭载人工智能技术，其计算平台的性能可与高端 L4 级自动驾驶汽车相媲美，因此需要配备大容量的存储器与存储设备。我们预计，这一极具潜力的新兴增长品类，将进一步夯实存储器行业长期向好的发展格局。依托行业领先的技术、产品解决方案与运营能力，美光将与客户紧密合作，充分把握这一市场机遇。
市场展望
接下来介绍市场展望。
我们预计，2026 年全球 DRAM 和 NAND 芯片的行业需求将受供应端制约，且这种供需紧张的格局在 2026 年后仍将持续。
我们预计，2026 年全球 DRAM 芯片行业出货量将实现 20% 出头的增长，略高于此前的预期。DRAM 芯片供应增长受限，主要原因包括：洁净室产能不足且建设周期长、HBM 产品贸易换算比提升、HBM 产品需求增速加快，以及工艺节点迭代带来的每片晶圆芯片产出量增长放缓。
我们预计，2026 年全球 NAND 芯片行业出货量将增长约 20%。部分行业厂商将洁净室产能转向 DRAM 芯片生产，叠加整体洁净室产能短缺，成为制约 NAND 芯片供应增长的主要因素。
美光预计，2026 年公司 DRAM 和 NAND 芯片的供应增长将与行业平均水平基本持平。
产能扩充举措
为应对存储器市场前所未有的供需缺口，美光正积极采取各项措施，本季度公司在拓展全球制造布局方面取得了多项重要里程碑式进展。
在 DRAM 领域，本周早些时候，美光宣布已提前完成对力晶科技铜锣厂区的收购。我们预计，该厂区现有的晶圆厂将于 2028 财年开始实现可观的产品出货。除现有产线外，公司计划于 2026 财年末在该厂区开工建设一座规模相当的第二座洁净室。
爱达荷州首座晶圆厂按计划将于 2027 年年中实现首批晶圆产出，目前第二座晶圆厂的场地平整工作已启动；纽约州首座晶圆厂已正式动工，场地平整等前期工作进度超预期；日本广岛厂区的洁净室扩建项目场地准备工作进展顺利，该扩建将为公司未来的工艺节点迭代提供支撑。
在 NAND 领域，基于市场需求预期上调，以及研发洁净室与制造晶圆厂一体化布局的战略决策，美光决定在新加坡厂区开工建设一座新的 NAND 晶圆厂，预计将于 2028 年下半年实现首批晶圆产出。
在封装测试领域，美光印度新工厂已正式实现商业出货，该工厂是全球最大的单层封装测试洁净室之一；新加坡先进 HBM 封装工厂按计划将于 2027 年为公司 HBM 产品供应提供重要支撑。
公司预计 2026 财年资本支出将超过 250 亿美元，相较上一次财报电话会议的预估，支出增长主要来自洁净室相关建设投入，其中铜锣厂区收购项目占比最大，美国晶圆厂建设成本增加次之。我们预计 2027 财年资本支出将大幅提升，以支撑 HBM 和 DRAM 相关的投资需求。2027 财年，为布局全球制造基地以把握长期市场需求机遇，公司建设相关资本支出将同比增加超 100 亿美元，设备采购支出也将同比增长。在进行上述投资的同时，公司将持续关注市场环境与客户需求，合理调整供应计划。
接下来，由马克为大家介绍公司 2026 财年第二季度的财务业绩与业绩展望。
首席财务官马克・墨菲
开篇
美光 2026 财年第二季度财务业绩表现强劲，营收、毛利率及每股收益均超出业绩指引上限。本季度公司自由现金流创下历史新高，债务规模进一步缩减，期末净现金余额刷新历史纪录。
营收
2026 财年第二季度总营收达 239 亿美元，环比增长 75%，同比增长 196%，连续第四个季度创下营收纪录，102 亿美元的环比较增幅也为公司历史最高。
DRAM 业务
DRAM 业务营收创下 188 亿美元的历史新高，同比增长 207%，占公司总营收的 79%，环比增长 74%。芯片出货量实现中个位数增长；受行业供需紧张格局推动，叠加产品结构优化，产品均价实现 60% 出头的增长。
NAND 业务
NAND 业务营收达 50 亿美元，同样创下历史新高，同比增长 169%，占公司总营收的 21%，环比增长 82%。芯片出货量实现低个位数增长；受行业供需紧张影响，叠加产品结构优化，产品均价实现 70% 以上的增长。
毛利率
公司 2026 财年第二季度综合毛利率达 75%，环比提升 18 个百分点，这一改善主要得益于产品提价，同时也受益于产品结构优化与成本管控成效。本季度毛利率较去年同期近乎翻倍，创下公司历史纪录。
各业务单元财务表现
接下来介绍各业务单元的季度财务表现。
云存储业务单元（CMBU）营收创下 77 亿美元历史新高，占公司总营收的 32%，受产品提价与结构优化推动，营收环比增长 47%；毛利率达 74%，环比提升 9 个百分点，增长动力来自产品提价与成本管控。
核心数据中心业务单元（CDBU）营收达 57 亿美元，创历史新高，占公司总营收的 24%，受产品提价与出货量增长推动，营收环比大增 139%；毛利率达 74%，环比提升 23 个百分点，主要得益于产品提价与结构优化。
移动与消费业务单元（MCBU）营收 77 亿美元，创历史新高，占公司总营收的 32%，营收环比增长 81%，增长动力为产品提价，出货量下滑部分抵消了这一增长；毛利率达 79%，环比提升 25 个百分点，主要得益于产品提价与结构优化。
汽车与嵌入式业务单元（AEBU）营收 27 亿美元，创历史新高，占公司总营收的 11%，营收环比增长 57%，增长动力为产品提价，出货量下滑部分抵消了这一增长；毛利率达 68%，环比提升 23 个百分点，增长主要来自产品提价。
经营业绩
运营费用
2026 财年第二季度运营费用为 14 亿美元，环比增加 8700 万美元，费用增长主要源于研发投入增加。
经营利润
本季度公司实现经营利润 165 亿美元，经营利润率达 69.0%，环比提升 22 个百分点，同比提升 44 个百分点。
税费
2026 财年第二季度税费支出 25 亿美元，有效税率为 15.1%。
每股收益
非公认会计原则下的摊薄每股收益达 12.20 美元，环比增长 155%，同比激增 682%。
现金流与资本支出
现金流与资本支出方面，2026 财年第二季度经营活动现金流为 119 亿美元，资本支出为 50 亿美元，实现自由现金流 69 亿美元，创下公司季度纪录，较 2026 财年第一季度的历史纪录增长 77%。
库存
2026 财年第二季度期末库存为 83 亿美元，环比增加 6200 万美元，库存周转天数为 123 天；其中 DRAM 库存周转天数尤为紧张，低于 120 天。
现金与债务总额
截至本季度末，公司现金及投资规模达 167 亿美元，创历史新高；若计入未动用的信贷额度，公司流动性超 200 亿美元。本季度，根据《芯片与科学法案》相关条款，公司回购了 3.5 亿美元的股票；同时偿还了 16 亿美元债务，包括赎回 2029 年和 2030 年到期的优先票据。公司未偿债务的加权平均到期日为 2034 年 8 月，期末债务总额为 101 亿美元，净现金余额达 65 亿美元。
股息
公司资本配置的首要任务，是将资金重新投入业务的盈利增长，包括研发、资本支出及其他战略投资。我们致力于维持稳健的资产负债表，过去三个季度已偿还超 50 亿美元债务，目前净现金余额处于历史最高水平。基于公司技术领先地位的持续巩固与现金流的强劲创造能力，正如桑杰所言，董事会已批准将季度股息上调 30%，至每股 0.15 美元。
业绩指引
我们预计 2026 财年第三季度营收将达 335 亿美元，上下浮动 7.5 亿美元；综合毛利率约为 81.0%；运营费用约为 14.0 亿美元。基于约 11.5 亿股的流通股数量，预计非公认会计原则摊薄每股收益达 19.15 美元，上下浮动 0.40 美元，各项指标均将创历史新高。
我们预计，产品提价、成本下降与结构优化将共同推动第三季度毛利率进一步提升。
