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（信息来源：微电子制造）
在半导体产业链向高端化、自主化迈进的进程中，电子特气作为芯片制造的“血液”，战略地位愈发凸显。其中，六氟化钨（WF₆）作为关键电子特气，已成为芯片先进制程及3D NAND、HBM等先进存储技术发展的核心支撑材料，其价格波动与供需格局变化，也深刻影响全球芯片产业走向。
近期，国家发改委价格监测中心发布《存储芯片价格持续上涨并向下游传导》公告，明确指出DRAM与NAND存储芯片价格持续攀升，已向下游终端传导。在成本端分析中，发改委首次将六氟化钨与硅片、金属并列，强调其价格上涨为存储芯片涨价提供了重要成本支撑，这也是国家层面明确上游化学材料在存储芯片涨价链条中的关键作用。
六氟化钨主要应用于化学气相沉积（CVD）工艺，用于形成高纯度钨金属薄膜，适配接触孔填充、互连层等核心环节，是先进逻辑芯片与存储芯片制造的关键前驱体。当前，全球3D NAND、HBM进入大规模扩产阶段，直接推动其需求激增，而替代方案进展缓慢。
供给端方面，海外钨矿开采受周期、投资、环保等制约，越南、缅甸等国开发程度低，短期难以形成有效供给；钨回收技术不成熟，回收率低且提纯成本高，加剧供需紧张。同时，六氟化钨合成工艺技术壁垒高，全球仅中、日、韩企业具备高纯度生产能力，新进入者难以短期打破供应格局。
依托丰富钨资源，我国在六氟化钨供应链中占据关键地位，据中国电子材料行业协会2024 年发布的《高纯电子气体产业发展白皮书》显示，国产化率已超58%。
其中，中船特气作为龙头，首创相关合成技术，六氟化钨产能达2200-2230 吨 / 年，稳定供应全球知名芯片企业；昊华科技子公司黎明院年产能600吨，服务半导体等领域；和远气体处于产能爬坡阶段，未来有望补充市场供给。
业内分析，国内六氟化钨已形成良好发展格局。随着国产企业技术完善与产能扩张，国产化替代率将持续提升，既能缓解核心材料进口依赖，也将为我国半导体材料突破海外垄断、保障产业链安全提供重要支撑。
