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半导体行业术语缩写词典总结-AB

日期：2026-03-10 00:33:30 来源：网络整理作者：本站编辑评论：0

半导体行业术语缩写词典总结-AB

作为半导体行业新人来说，最痛苦的莫过于各种缩写词术语了，有的缩写词一样但是会有不同的解释。

这里作者给大家整理了部分术语词典，后面会按照更新顺序一一分享出来。

废话不多说，直接开始，如有遗漏，欢迎大家在评论区或者私信补充，作者会在后面单开一篇来补充：

01

—

A-开头缩写

缩写	英文全称	中文解释	技术说明
AA	Active Area	有源区	STI隔离后定义的硅区域，用于形成晶体管沟道（需离子注入掺杂）
ADC	Automatic Defect Classification	自动缺陷分类	AI驱动缺陷识别（KLA工具），精度>99.5%，速度>100片/小时
ADI	After Developing Inspection	显影后检查	检测显影后图形缺陷（桥接/缺失），良率提升关键步骤
AEI	After Etching Inspection	蚀刻后检查	蚀刻后抽样检测，防止过蚀刻或残留
AFM	Atomic Force Microscopy	原子力显微镜	表面形貌与粗糙度分析，分辨率达原子级
ALE	Atomic Layer Etching	原子层刻蚀	各向异性刻蚀深宽比>50:1，侧壁粗糙度<0.3nm（用于FinFET/GAA）
ALD	Atomic Layer Deposition	原子层沉积	膜厚控制±0.01nm，用于High-k栅介质（HfO₂）及金属栅极（Ru/TiN）
AMC	Airborne Molecular Contamination	气载分子污染物	监测NH₃/SO₂浓度，洁净室需控制<1ppb
AMHS	Automated Material Handling System	自动化物料搬运系统	集成OHT空中走行车与Stocker仓储
APC	Advanced Process Control	先进过程控制	实时优化300+工艺参数，良率提升5%
APCVD	Atmospheric Pressure CVD	常压化学气相沉积	沉积温度>800℃，膜层致密度较低
ASH	Plasma Ashing	等离子去胶	O₂等离子体去除光刻胶（尤其离子注入后碳化胶层）
ATE	Automatic Test Equipment	自动测试设备	晶圆电性测试（CP）与成品测试（FT）
A-LEGO	Atomic Layer Epitaxy Growth Order	原子层外延有序生长	Si/Ge超晶格周期控制±0.01nm，界面粗糙度<0.2nm
AS-ALD	Area-Selective ALD	区域选择性原子层沉积	表面化学调控实现特定区域沉积，无需光刻掩模
APM	Atomic Probe Microscopy	原子探针显微术	3D原子重构（分辨率0.3nm），分析GAA纳米片掺杂分布
ATTO-SPM	Attosecond Scanning Probe Microscopy	阿秒扫描探针显微	时间分辨率<100as，空间分辨率<0.1nm（量子器件分析）
AEC	Atomic Edge Control	原子级边缘控制	光刻-刻蚀协同实现图形套刻偏差<0.1nm
ALE-3D	3D Atomic Layer Etching	三维原子层刻蚀	高深宽比刻蚀>50:1，侧壁垂直度>89°
AI-ECO	AI Energy Consumption Optimizer	AI能耗优化器	实时调度机台群，晶圆厂总能耗降15%
ACO	Advanced CMP Optimization	先进CMP优化	多变量控制压力/转速，晶圆内不均匀度<2%
APT-SDT	Atom Probe Tomography Circuit Edit	原子探针层析电路编辑	三维原子重构+离子束修整，精度±3原子层
AA-Si	Activated Amorphous Silicon	活化非晶硅	低温多晶硅制备关键材料，迁移率>100cm²/V·s

02

—

B-开头缩写

缩写	英文全称	中文解释	技术说明
BARC	Bottom Anti-Reflective Coating	底部抗反射层	SiON材料，减少基板反射光，提升曝光精度（反射率<0.5%）
BCD	Bipolar-CMOS-DMOS	双极-CMOS-DMOS集成	功率IC工艺，集成双极（模拟）、CMOS（逻辑）、DMOS（功率）器件
BF₂	Boron Difluoride	二氟化硼离子	P型掺杂剂，用于阈值电压调整（VT implant），抑制沟道效应
BGA	Ball Grid Array	球栅阵列封装	焊球间距<0.4mm，I/O密度>2000引脚
BIST	Built-In Self-Test	内建自测试	芯片内部集成测试电路，降低ATE依赖，故障覆盖率>95%
BIT	Built-In Test	内建测试	同BIST，用于良率管理模块
BOE	Buffered Oxide Etchant	缓冲氧化物刻蚀液	HF与NH₄F混合液（6:1），刻蚀SiO₂速率100nm/min，H⁺浓度稳定
BKM	Best Known Method	最佳实践方法	经量产验证的工艺优化方案（如EUV光刻胶旋涂参数）

BPD	Bulk Photovoltaic Device	体光伏器件	无PN结太阳能电池，量子效率>90%
BPSG	Borophosphosilicate Glass	硼磷硅玻璃	流动式层间介质，回流温度800-900℃，填充深宽比>5:1
BTI	Bias Temperature Instability	偏压温度不稳定性	栅极偏压下阈值电压漂移（PMOS：NBTI；NMOS：PBTI）
BSPDN	Backside Power Delivery Network	背面供电网络	电源线集成晶圆背面，电阻降低40%，用于A16节点
BPDU	Backside Power Distribution Unit	背面配电单元	3D封装供电模块，电流密度>10⁷ A/cm²
BSE	Backscattered Electron	背散射电子	SEM成像模式，用于材料成分分析（原子序数对比度）
BCDMOS	Bipolar-CMOS-DMOS	同BCD	高压功率集成技术（耐压>700V）
BEOL	Back End Of Line	后道工艺	金属互连层制造（Cu DD/ Low-k介质），包含CMP/刻蚀/沉积
BTS	Bias-Temperature Stress	偏压温度应力测试	评估器件可靠性（85℃/85%RH，偏压5V）
BMD	Bulk Micro Defect	体微缺陷	晶圆内部氧沉淀导致，密度<10⁵/cm³
BPS	Boron Phosphorous Silicon	硼磷硅预沉积层	预掺杂多晶硅沉积源，电阻率<1mΩ·cm
BCDL	Buried Channel Drain LDD	埋沟漏极轻掺杂	抗热载流子退化设计，用于0.13μm节点
BLC	Bit Line Contact	位线接触孔	DRAM阵列关键结构，深宽比>10:1，钨填充
BLR	Bit Line Resistance	位线电阻	3D NAND关键参数，要求<100Ω/cm
BPSA	Boron-doped Phosphosilicate Annealing	掺硼磷硅玻璃退火	流动填充后退火，温度750℃，防止裂纹
BCD-IGBT	Bipolar-CMOS-DMOS IGBT	IGBT集成工艺	1200V耐压，开关频率>20kHz
BCD-LED	Bipolar-CMOS-DMOS LED Driver	LED驱动集成工艺	恒流精度±1%，效率>90%
BCD-RF	Bipolar-CMOS-DMOS RF	射频功率集成	5G PA模块，频率3-6GHz，输出功率>10W
BCD-SOI	Bipolar-CMOS-DMOS SOI	SOI基BCD工艺	抗闩锁能力>100mA，隔离电压>600V
BCD-BiCMOS	Bipolar-CMOS-DMOS BiCMOS	双极与BCD集成	模拟精度>16bit，耐压>60V
BCD-HV	Bipolar-CMOS-DMOS High Voltage	高压BCD工艺	集成100V LDMOS，导通电阻<10mΩ·cm²
BCD-EEPROM	Bipolar-CMOS-DMOS EEPROM	嵌入式EEPROM集成	耐擦写>10⁶次，数据保持>20年
BCD-SMART	Bipolar-CMOS-DMOS SMART Power	智能功率集成	过流/过温保护响应时间<1μs
BCD-MEMS	Bipolar-CMOS-DMOS MEMS	MEMS集成工艺	加速度计噪声密度<1μg/√Hz
BCD-Auto	Bipolar-CMOS-DMOS Automotive	车规级BCD工艺	AEC-Q100 Grade 0认证（150℃）
BCD-IPM	Bipolar-CMOS-DMOS IPM Module	智能功率模块集成	内置驱动电路，死区时间<100ns
BCD-PFC	Bipolar-CMOS-DMOS PFC Controller	功率因数校正集成	效率>98%，THD<5%
BCD-DC/DC	Bipolar-CMOS-DMOS DC/DC Converter	DC/DC转换器集成	开关频率>2MHz，效率>95%
BCD-USB-PD	Bipolar-CMOS-DMOS USB PD Controller	USB供电控制集成	支持100W PD 3.1协议

原创声明：本文转载自公众号【芯域前沿】，二次转载请联系原作者授权。

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