行业调研|MicroLED在CPO的应用交流纪要1、Micro LED光互联基础概述 ·发展背景与概念提出：此前行业对微软相关技术的预期集中在显示领域，具体覆盖大屏显示、AR/VR显示两大应用场景。光互联相关概念由微软研究院于2024年底-2025年初提出，为采用CPU架构的光互联方案。Micro LED芯片尺寸在50微米以下，制程可与完整的硅基CMOS技术相结合，与巨量转移技术路线存在明显差异，这一技术特性成为其切入光通信领域的核心基础，后续光通信领域的应用落地也需要与硅基CMOS技术相结合推进。 ·应用场景与传输边界：当前多数CPU光互联方案采用激光器作为发光来源，激光器属于相干光，需要通过谐振腔增强振幅、波峰与波谷以达到干涉效果，而Micro LED属于自发光体系，光源为非相干光，无需经过上述处理即可使用。从传输距离维度划分，不同光互联技术的适用场景存在明确边界： a. 10米以下的芯片间、板间传输场景是Micro LED的核心适用场景，未来有望替代铜缆连接方式； b. 10-50米传输场景目前无法通过Micro LED实现，需采用Waveguide或Lightguide激光方案落地； c. 50米以上、甚至2千米以上的长距离传输场景，采用主流的CPU封装模式，搭配081、1310波段的激光器实现。 2、Micro LED光互联方案优势 ·传输速度特性：当前主流高速传输速率覆盖800G、1.6T等档位，其中800G及以上速率通常采用100G×8通道或200G×4通道的技术方案实现。Micro LED的传输速率存在物理极限，主要由载流子和光子的复合寿命决定，其单通道最高传输速率业内普遍认为可达20GB，但当前实际量产水平通常仅为2-4GB。虽然单通道传输速率较低，但Micro LED可通过多通道扩容的技术路径提升总带宽，理论上通道数量没有上限，可根据需求扩展为400、800、1200甚至更多通道，具体配置主要取决于后续的规划设计以及配套处理芯片的应用场景。多通道方案能够避免单通道内的数据拥挤，同时在散热、综合成本方面有明显下降，是降本的绝佳方案。 ·功耗与散热优势：功耗方面，Micro LED的功耗仅为铜互联方案的85%，约为1-2pJ/比特，低于传统激光器芯片方案。其低功耗的核心原因主要有两点：一是单通道传输速率较低，二是Micro LED的发光单元尺寸小，所需的驱动电流、驱动电压极低，驱动电流仅为微安级，因此整体功耗显著低于传统方案。在散热与稳定性方面，传统激光器存在谐振腔、波长均一化等问题，对环境温度、散热及密封条件的要求更为严苛，维护难度较高。而Micro LED属于无机材料的单色光发光体，稳定性更高，对环境条件的要求远低于传统激光器方案，适配性更强。 3、Micro LED光互联产业化难点 ·芯片设计制造难点：Micro LED尚无法与主流长距离传输技术媲美，仅适用于10米以下的芯片间、板间近距离传输场景，无法满足当前长距离算力传输需求，核心制约来自芯片设计制造层面的难点。Micro LED当前主流应用集中在显示领域，显示应用仅需控制明暗程度，对器件性能要求较低，但若应用于光电传输场景，常规外延无法满足相关性能需求。两类应用对芯片参数要求存在明显差异：通信用Micro LED芯片尺寸需做到3微米，而AR、VR等显示场景所用的Micro LED芯片尺寸约为5微米。芯片尺寸从5微米缩减至3微米会带来多重致命问题，包括芯片良率急剧下降、侧壁处理难度提升、发光效率降低等。此外，光通信应用对Micro LED的可靠性要求远高于显示场景，芯片厂在外延设计、芯片制程能力上需要付出比VR、巨量转移领域更多的研发精力。若要实现800G、1.6T的传输替代，需要将400、800甚至1200个通道集成在硅基CMOS上，相关制备工艺与AR领域类似，需通过混合间隔方式将外延转移到硅基衬底上制备晶粒，芯片尺寸的急剧缩小也会进一步带来良率损失，相关技术难点直接制约了Micro LED光互联的产业化落地。 ·集成与配套难点：Micro LED光互联的产业化还面临集成与配套层面的诸多难点。首先是光学耦合效率短板，Micro LED发光角为120度到150度，发光方向四散，而传统激光器为保证相干性与均一性，光源纯净均匀，因此Micro LED的耦合几率更低，国内在该技术领域尚处空白，当前技术水平较差，仍有较大提升空间。其次是组件集成的经验与成本障碍，Micro LED与硅基CMOS、光探测器、光波导、光纤等组件的集成缺乏可借鉴的经验，属于全新应用领域。国内Micro LED芯片研发主要由芯片厂主导，硅基CMOS需要与芯片厂的产品严格匹配，中间涉及大量沟通环节与费用支出，当前主流厂商的相关CMOS产品基本委托中芯国际代工，研发周期长、费用高，这些因素共同阻碍了Micro LED在光通信、AR/VR显示应用领域的技术下沉。 4、Micro LED光互联产业进展 ·产业参与主体与进度：Micro LED光互联相关应用概念最先由微软研究院在2025年年初提出，当时推出的是Micro LED在光互联领域的应用方案，该方案以850波长为主，属于对现有主流应用产品的类VCSEL激光器替换路径，和当前产业主流推进的方案存在一定区别。产业参与梯队方面，国内Micro LED光通信领域的核心参与厂商为三安光电、华灿光电两家头部企业，其余芯片厂商尚未在该领域投入较多研发资源。当前产业链适配工作正稳步推进，相关厂商已和国内下游供应链伙伴开展多环节合作，包括与中芯国际开展CMOS代工开板相关工作、与长光华芯共同推进先进封装相关技术落地，同时也在向海外下游大厂推送相关产品样品，推进合作验证。产业化落地节奏方面，当前Micro LED光互联技术尚未进入规模化落地阶段，产业端判断该技术至少需要2-3年的发展周期，最快2027年年底会有正式量产产品推出，2028年左右有望实现批量化样品推出。从对现有产业格局的影响来看，3年以内该技术对现有主流的10系激光器方案以及CPO产业格局不会产生明显影响，现有成熟激光方案仍将是市场主流应用选择。 ·下游头部客户合作情况：Micro LED光互联相关技术的落地由上游设计厂商主导推动，联发科、微软、英伟达等头部厂商作为顶层设计方提出通道数量、传输距离、应用场景等具体需求，再由国内外芯片厂商配合开发对应的技术方案。当前已与谷歌、英伟达等下游头部客户开展实质性合作，2025年第二季度正式向该类客户推送相关样品，客户反馈周期通常为2-3个月，截至2026年3月距首次送样已过去9-12个月，期间已完成多轮互动与方案修正，相关MPD、像素点、MPE样品已经通过客户的相应验证。从方案迭代情况来看，Micro LED光互联的技术路线整体具备较高可行性，当前核心制约瓶颈是Micro LED芯片的生产良率不足，由于单颗Micro LED芯片对应一个传输通道，芯片良率不足会直接导致可用通道数量减少，当前良率问题主要来源于波长控制、缺陷控制等生产环节，产业端正在通过多串多并的通道设计方案改善该问题，即某条通道出现损失时可启用备用通道替代，该设计思路可复用大屏显示领域巨量转移的电路板设计经验，具备成熟的参考路径。产品可靠性方面，Micro LED光互联产品的寿命已经通过老化验证，不存在明显的寿命短板，技术原理、物理极限等层面的分析均验证了该技术应用于光互联场景的可行性。 ·未来技术应用定位：Micro LED光互联相比Micro LED在其他领域的应用具备显著的技术简化优势，其不需要像AR/VR应用那样支持全彩显示，仅需使用蓝绿光即可满足10米以下短距离传输需求，后续是否采用红光或850波长需根据实际应用场景确定，无需额外攻克全彩复合等难度较高的技术环节。从与现有成熟方案的关系来看，Micro LED光互联不会完全替代现有成熟的激光传输方案，二者将形成并行发展、互补应用的产业格局，其中Micro LED光互联适用于短距离的芯片间、板间互联场景，传统激光方案适用于10米以上的长距离传输场景，二者可搭配形成覆盖不同传输距离的完整传输解决方案。从产业推广节奏来看，由于当前算力中心的传输距离普遍要求在10米以上，Micro LED光互联在边缘计算等短距离应用场景的推广速度相对较慢，结合当前产业链各环节的参与度、技术成熟度等整体发展格局来看，该技术至少需要2-3年的时间才能实现规模化量产应用，真正产生大规模的市场价值。此前Micro LED在大屏显示、AR/VR等领域的应用发展进程较为缓慢，大屏显示自2018年具备落地能力后始终未实现集中放量，AR/VR应用直到2024年-2025年才迎来起量节点，且两类应用的市场规模均不足以支撑Micro LED产业的大规模量产需求，光互联场景的拓展将为Micro LED产业提供新的发展方向。 5、Micro LED光互联制造工艺 ·核心制备工艺路径：提及Micro LED时很多人首先想到巨量转移，但Micro LED在AR/VR显示、光互联场景下的应用并不采用巨量转移技术，该技术属于Micro OLED其他技术路线及对应应用场景的工艺。这类场景下Micro LED采用类似IC领域的混合键合工艺，将外延片与硅基CMOS直接键合，之后制成芯粒，再切割为0.13英寸等规格的微显示屏。晶圆制程方面，前期行业主流厂商以4寸晶圆为主，仅华灿、三安等少数厂商布局6寸工艺，2024年及之前曾采用将8寸IC切割为4寸晶圆的方式适配制程，目前已可实现8寸外延片生长、8寸IC直接键合的制程能力。针对Micro LED阵列与光电二极管（CIS，图像接收阵列）集成的相关问题，目前发射端与接收端采用分开制备的方案，尚未集成在同一CMOS上，远期最优发展方向是实现单片集成，将所有相关组件集成到同一封装体内，解决现有分立方案的集成痛点。 ·产线要求与良率影响：Micro LED单芯片边长主流为5微米，由于GPU、ASIC厂商有较强的芯片面积节省需求，行业存在持续缩小Micro LED芯片尺寸的动力，但尺寸缩小将抬升生产制造难度，良率管控压力也随之提升。若将芯片尺寸从5微米缩小至3微米，生产良率将下降5%，良率是当前Micro LED量产的核心制约因素之一。Micro LED产线与传统LED、Mini LED产线不可复用，传统LED产线生产的芯粒多为大几百微米甚至毫米级别，Micro LED所需的微米级小芯粒制程对光刻机、刻蚀机、镀膜工艺的精度要求大幅提升，产线升级需要完成全套关键设备的更新迭代，核心更换的设备包括光刻机、刻蚀机、蒸镀机、ALD（原子沉积）设备，其中ALD设备将替代传统产线使用的PECVD设备，满足微纳米级制程的工艺要求。此外，由于Micro LED芯片尺寸极小，仅为3微米级别，而单个灰尘的直径可达数十微米，因此Micro LED产线对车间洁净度的要求远高于传统LED产线，高洁净度是保障生产良率的核心基础条件之一。 6、Micro LED光互联供应链布局 ·核心环节供应商：Micro LED光互联产业链各环节供应商及技术发展现状如下，海内外供给格局清晰： a. Micro LED芯片环节，设计方案商Avicenna的相关产品由欧司朗供应Micro LED芯片。 b. 微透镜环节，Micro OLED发光形态为半球形，微透镜需要将出光进一步集中，同时保障出光均匀度，其设计原理与此前AR/VR产品应用的透镜差异较小，仅在出光效果的具体要求上有所调整——此前相关应用主要聚焦提升出光度，当前则更侧重出光的集中性与均匀性，目前国内微透镜的核心供应商为瑞羽光学。 c. 光纤环节，当前Micro光互联的传输路径尚未形成统一清晰的技术路线，除成像光纤方案外，还存在光波导、传统光学仪器设计等不同技术方向的探索，其中成像光纤类似医疗内窥镜领域所用的光纤产品，高端供给目前以海外厂商为主，国内具备相关产品生产能力的厂商包括长飞光纤、天孚通信、世嘉光子，其中世嘉光子与三安光电存在绑定合作，整体来看目前Micro光互联的光纤应用还未进入大规模落地阶段，不同技术路线仍在并行推进。 d. 封装组装环节，晶圆厂完成混合键合工序后，后续的发射端与接收端集成封装、测试环节由长电科技、通富微电等主流封测厂承接，英伟达、AMD等企业也会选择这类封测厂商开展相关测试工作，目前封测环节的供给格局相对清晰。 ·成本与量产预期：当前Micro LED光互联行业整体处于发展早期，供应链尚未成熟，成本及量产预期明确： a. 成本现状方面，目前Micro LED光互联的成本较铜互联高出5-10倍，高成本的核心原因是尚未实现规模化量产，在缺乏产量规模支撑的情况下，现阶段无法准确评估单颗产品的具体成本及利润率水平，成本端的压力是制约当前行业落地的核心因素之一。 b. 产能测算逻辑方面，行业通用的8英寸晶圆直径约为20.32厘米，若采用主流的50微米规格显示单元，将像素点之间的间距设置为6微米，同时按照95%的行业常规良率水平测算，单片8英寸晶圆可产出的芯片数量规模极大，8英寸制程的产能储备空间充足，能够支撑后续规模化量产的需求。 c. 量产及替代预期方面，虽然当前成本处于高位，但随着未来技术成熟及产能爬坡，规模化量产后Micro LED光互联的成本可降至与铜互联持平的水平，具备对传统铜互联方案的替代潜力，长期来看商业化落地空间充足。 7、Micro LED行业格局与技术细节 ·全球产能与技术格局：欧司朗技术处于全球第一梯队，远超国内三安、华灿等厂商，其越南产线为苹果手表建设，可完全覆盖M2D生产，支持大屏Micro LED巨量转移、AR/VR显示、Micro LED光互联等应用，芯片已供应三星OLED电视、佳友手表等终端产品。国内Micro LED技术领先厂商为三安光电、华灿光电、乾照光电，三家可实现全彩Micro LED晶圆制备，其余厂商技术相对薄弱或重心不在该领域。产能方面，当前Micro LED整体市场规模较小，无法准确估算全行业产能。华灿光电珠海新建工厂为Marvell建设，产能规模极大，若完全释放可覆盖所有Micro LED应用场景，包括车载、AR/VR、大屏显示、ADB大灯、微屏、光互联等，当前由于下游显示应用需求未出现大幅增长，行业整体产能相对充裕。若第二梯队芯片厂商要切入Micro LED晶圆制备领域，需进行产线升级与设备更新，存在1-2年的时间差。 ·波长技术路线选择：针对Micro LED在互联场景的应用，IBC公司与三星、海力士等存储厂商存在投资关联，其技术适配10米以下传输场景，未来可探索用于存储与GPU之间的交互场景。Micro LED不同波长路线的适用场景与技术难度存在差异：蓝绿光路线实际仅适用于10米以内的传输场景，若要覆盖10米以上的长距离传输场景，需采用850nm左右的波长，该路线技术难度更高，但具备技术可行性，仅需调整波长与材料体系即可实现。当前行业优先选择蓝绿光路线的核心逻辑是其与硅基工艺相匹配，可实现低成本落地，无需采用850nm或红光路线。不过目前Micro LED仍属于新兴概念方向，要与3.2T以上的成熟互联产品竞争难度极大，产业推动难度较高，加之下游算力需求紧张，厂商不会给Micro LED留出太多试错空间。 ·混合键合工艺流程：当前业内主流采用混合键合工艺制备Micro LED晶圆，具体流程为： a. 以8英寸外延片与8英寸硅基CMOS为基础，采用氧化硅与铜的混合键合工艺：先在氧化硅开孔后电镀铜，经铜抛平、氧化后将二者键合为一体，此前探索的金属键合等其他方案均无法落地，类IC混合键合是当前主流技术路径； b. 键合完成后，采用LLO激光剥离技术去除厚度为500-600微米的原生蓝宝石衬底，再通过酸洗去除氮化镓、氧化镓等残留物，露出N面； c. 通过光刻方式刻蚀N面，进行ALD、PVD包覆后制备电极，再制作微透镜，N极普遍采用透明ITO导电层避免吸光，至此完成Micro LED晶圆制备。 Q&A Q: Micro LED在光互联中的应用方案是什么？ A: Micro LED原本用于显示，2024年底-2025年初微软研究院提出其光互联方案，核心在于其芯片大小50微米以下，可与硅基CMOS结合，这是切入光通信的关键。相比激光器，Micro LED是自发光体系。其光互联应用场景主要为10米以下的芯片间、板间传输，未来或替代铜连接；10-50米需通过Waveguide或Lightguide激光实现，50米以上则用主流CPU封装模式的激光器。 Q: 10米以下适用于柜间、芯片间、板间互联的场景下，Micro LED与铜/光方案相比，互联速度表现如何？Micro LED的功耗有何优势？ A: 主流800G及以上传输速度通常采用100G×8通道或200G×4通道技术实现。Micro LED传输距离受载流子与光子复合寿命限制，业内普遍认为最高约20GB，目前通常为2~4Gbps，传输速率较慢，但可通过多通道设计避免单通道数据拥挤，降低散热及成本，通道数量可根据后续规划及处理芯片应用场景调整。Micro LED功耗仅为铜板的85%左右，约1~2mW/bit，因单通道传输速率低、发光单元小，驱动电流仅几微安。此外，传统激光器因谐振腔、波长均一化问题，对环境温度、散热及密封条件要求更严苛；Micro LED作为单色光发光体及无机材料，稳定性更高。 Q: micro AG方案在功耗及互联速度达到当前CPU水平的情况下，其产业化实现的难度及两三年前已有讨论但目前无厂商实际应用的原因是什么？ A: micro LED方案仅适用于10米以下近距离芯片间、板间传输，无法满足长距离算力需求。其从显示转向数据传输是全新领域，显示仅需控制明暗，光电传输对芯片性能要求更高，常规外延无法满足需求。光通信芯片需从AR/VR显示的5微米缩小至3微米，导致良率急剧下降、发光效率降低，且可靠性要求更高，对芯片厂的外延设计与制程能力提出更高要求。此外，micro LED发光角达120-150度，光学耦合效率远低于激光器，国内该领域仍处于空白。与硅基CMOS、光探测器、光波导、光纤等集成无经验借鉴，且芯片厂与硅基CMOS厂商需严格匹配，主流厂商的CMOS多由中芯国际代工，存在沟通环节多、周期长、费用高的问题，这些是其产业化难度大及两三年前已有讨论但目前无厂商实际应用的主要原因。 Q: Micro LED光通信技术于25年年初提出，其提出方及主体类型是什么？目前下游配套适配方案的探索阶段及与下游客户或供应链的适配进展如何？ A: Micro LED光通信技术于25年年初由微软研究院提出，采用850nm波长，类似主流应用产品中威克斯激光器的机器替换。目前下游配套适配方案探索处于稳步推进阶段，国内已与中芯国际开展CMOS代工开板、与长光华芯推进先进封装等合作，同时向国外大厂推送样品；国内头部芯片厂商为三安和华灿，其他芯片大厂未在该领域投入较多资源。 Q: 公司给下游送样合作的开始时间及适配方案探索的周期如何？ A: 目前Micro光互联应用三年内对CPU无重大影响，产生规模化效应或量产需至少两到三年，预计28年左右有批量化样品推出；当前主流方案为10激光器的激光方案。 Q: 微软、谷歌、Amazon、英伟达等链主对Micro技术在光通信领域的应用看法如何？ A: Micro LED驱动单元主要由上游设计公司推动，联发科、微软、英伟达等作为顶层设计方会基于应用场景明确通道数量、传输距离等需求，再由国内外芯片厂配合开发相应技术方案。 Q: 公司与谷歌、英伟达是否有接触，及从供应链了解到的对方态度如何？ A: 公司与谷歌、英伟达有接触，并向其推送过相应样品；对方态度涉及Micro在光互联应用相关内容。 Q: 公司向谷歌与英伟达送样的时间及未来反馈的时间周期如何？ A: 向谷歌与英伟达送样推动时间为25年Q2左右，反馈周期约两三个月。 Q: 是否已与两个玩家进行过几轮互动及方案修正？ A: 已提供MPD、像素点及MPE的样品，且对方已通过相应验证。 Q: 方案过去9-12个月的迭代脉络如何？该环节存在哪些难以克服的问题？从该环节角度看可行性如何？ A: 看好Micro LED在光互联的应用，当前主要问题是良率低，因单颗Micro LED芯片对应一个通道，良率制约严重，自身问题包括特调、Party购控制及缺陷等；Micro LED在光互联应用比AR/VR简单，无需全彩，蓝绿光可满足10米内传输需求。 Q: 良率问题是指micro ID芯片生产中的良率还是方案测试中的寿命问题？ A: 主要是micro ID芯片生产中的良率。 Q: 产品的寿命情况如何？是否存在检测到寿命易损坏的问题？ A: 寿命问题中的老化部分基本可通过；目前主要仍是良率问题，已提出改善方案，包括多串多通道设计，这与之前大屏显示业务巨量转移的电路板设计逻辑相通。 Q: 产品或技术方案本身是否无重大瑕疵，主要问题是否为供应链配套及生态构建，且行业本身的寿命等角度是否不存在问题？ A: 技术路线层面应用于光互联具备可行性且前景广阔，尤其适用于金链与板间场景；但因概念较新，国内外推动主体多为小公司，三年以内无法完全替代800G、1.6T等成熟工艺。未来可能采用短距离与长距离传输方案并行的模式；算力中心要求传输距离大于10米，边缘计算推广速度较慢，基于当前产业链格局，至少需两到三年才能实现规模化量产。 Q: Micro LED在蓝宝石上生长氮化镓层后，是否转移至Synopsys晶圆？Micro OLED所用8寸蓝宝石是直接完全转移至硅基8寸晶圆还是部分转移？ A: 此前有两种方案，主流厂商以4寸为主，仅华灿与三安具备6寸能力；前两年需将8寸IC切割为4寸晶圆，目前已可实现8寸外延生长及8寸IC键合。 Q: 微软Mozak论文中的Micro LED Array和CIS的光电二极管Array是在同一个CMOS上，还是分开的？ A: 目前两者是分开的，因集成问题当前采用分开方式；最终需集成至同一封装体，单片集成是最优方案。 Q: micro LED单个2 gigabit通道边长约3微米，若集成20×20阵列，未来芯片尺寸是否会减小，以及是否会增加生产制造难度？ A: 主流micro LED芯片尺寸为5微米，若减小至3微米，良率约下降至5%。 Q: Micro LED产线因巨量转移技术未成熟无法量产，其与普通LED产线差异大不大？从资本开支角度是否需要完全新建产线？ A: AR/VR显示及光互联应用的Micro LED不涉及巨量转移，采用混合键合技术，将外延片与硅基CMOS建模后切割成微显示屏；巨量转移是Micro OLED的技术路线及应用场景。Micro LED与普通LED产线差异较大，需全套更新光刻机、刻蚀机、蒸镀机、ALD等关键设备，且车间洁净度要求远高于普通LED产线。 Q: 公司与全球头部micro OLED显示技术方案提供商Avicenna是否有接触？ A: 公司与Avicenna没有接触。 Q: 集成方案中的Micro Lens部分由谁生产，是否为大力光等公司？ A: 国内Micro Lens主要由瑞瑞羽光学生产；其设计原理与Micro OLED的AR/VR应用中使用的透镜相近，此前以提高出光度为主，当前更强调出光集中及均匀性。 Q: 集成方案中使用成像光纤而非传统光纤的光纤组件，主要厂商有哪些？ A: 高端成像光纤组件主要由国外厂商提供，国内长飞光纤、天孚通信可生产用于Micro二级光互联的光纤。当前Micro光互联的光纤应用尚不明显，技术路线未明确，存在光波导设计、成熟光学仪器设计等不同方案，显示应用的衍射光波导等也无准确概念。 Q: 具体光纤路径尚未确定，目前国内有能力做的是否为常规光纤？ A: 国内有能力做常规光纤的企业包括长飞光纤、天孚通信、中天，以及与三安光电绑定的世嘉光子。 Q: 将集成方案的内容集成后，最终组装环节倾向选择哪种类型公司代工？ A: 从产业环节来看，系统架构设计由阿维三、联发哥等提供方案，新店长提供Micro LED光源，组装环节倾向由封装厂负责，核心原因是封装体的制备是中间最重要的环节。 Q: 封装体的制备指的是混合键合部分，还是晶圆厂完成混合键合后对接收与发射部分进行封装？ A: 接收与发射的集成中，发射部分由芯片厂商设计完成，最后的封装由长电科技、通富微电等主流封装厂负责，涵盖封测及测试阶段。 Q: 供应链及行业较新的背景下，未来Micro LED晶圆的价值量情况如何，例如一片目前8英寸的Micro LED晶圆按50微米一颗、10×10大小、5微米area计算，可产出数量及每颗价值约为多少？ A: 8英寸晶圆直径20.32厘米，需折算为微米计算面积；以50微米显示单元、6微米间距计算，单片产出数量极大，按95%良率计算则产能更大。目前因未量产，成本较同互联高5-10倍；规模化量产后成本可降至与同互联持平，具备替代潜力，暂无法评估单颗成本及利润率。 Q: 海外与国内Micro LED产能格局如何？欧司朗的Micro LED产能、技术水平及良率情况怎样？国内头部企业的相关情况如何？ A: 欧司朗越南产线原为苹果手表建设，覆盖M2D生产，可用于大屏Micro LED巨量转移、AR/VR显示及光互联领域；其技术处于第一梯队，远领先于国内三安光电、华灿等厂商。因当前Micro LED量小，产能无法准确估算，且价格较高导致需求有限。国内方面，三安光电、华灿、干照为Micro LED技术领先企业，可实现全彩Micro LED晶圆制备，其他厂商技术较薄弱或重心不在此领域。 Q: Micro LED相关芯片厂的月产能情况如何？ A: 华灿在珠海新建给Marvell的工厂产能很大，若释放可完全覆盖所有Micro 2D应用；目前因显示应用增幅较小，产能相对充裕。后期若Micro LED产能急剧爆发，第二梯队芯片厂可通过产线升级及设备更新进入，针对micro晶圆制备存在1-2年时间差。 Q: 当前片间互联采用ICP和ICGO，未来GPU与高带宽存储之间的互联是否可以向Recur LED方向探索？ A: 传输距离是Micro LED的最大制约，蓝绿光Micro LED应用传输距离约10米以内；长距离传输需850左右波长，技术难度更高但可行。当前倾向蓝绿光是因其低成本，无需选850或红光。Micro LED作为新概念，与3.2T以上等成熟产业链产品竞争难度大，且算力紧张下行业无试错时间。 Q: Micro LED与CMOS键合后，LED衬底是否需要垂直方向通孔？电流如何传输至LED？ A: 以8英寸晶圆与8英寸CMOS为例，二者通过业内主流的混合键合方式结合。键合完成后，通过LLO激光剥离法去除500-600微米厚的蓝宝石原生衬底，经酸洗清理氮化镓生成物及残留物后露出N面。键合时已在接触面做好P欧姆接触结构，后续通过刻蚀N面、ALD/PV包覆、制作P电极及透镜完成Micro LED晶圆制备。N极采用透明ITO作为导电层实现电流传输，此为当前主流大厂采用的制备方式，此前探索的金属键合等其他方式均未奏效。
