全球领先的磁阻随机存取存储器（MRAM）持久内存解决方案开发商和制造商 Everspin Technologies, Inc.（纳斯达克股票代码：MRAM）今天宣布，其高可靠性（HR）PERSYST xSPI STT-MRAM 产品组合持续取得进展，包括完成其 64Mb MRAM 的全面生产认证，并将该系列产品扩展到新的 256Mb 密度。
HR 64Mb xSPI STT-MRAM 现已完成 AEC-Q100 一级规范的全面生产认证。该产品目前可接受客户订单，并支持大批量生产项目，可通过 Everspin 在全球的授权分销商处获得库存。
128Mb xSPI STT-MRAM 预计将于 2026 年 5 月完成生产认证，新的 256Mb 型号计划于 2026 年 7 月完成全面生产认证，预计将于 2026 年下半年实现批量供货。
Everspin Technologies 总裁兼首席执行官 Sanjeev Aggarwal 表示：“通过生产认证来推进我们的高可靠性产品系列并扩展密度选项，反映了我们按照技术路线图取得的稳步进展。设计长生命周期系统的客户需要经过验证、性能可预测的内存解决方案，我们正在扩展 PERSYST 平台，以在更广泛的密度范围内满足这些需求。”
新增的 256Mb 密度使得在相同的基于 xSPI 的架构中能够实现更高容量的持久内存设计。与 64Mb 和 128Mb xSPI STT-MRAM 产品一起，扩展后的高可靠性产品组合为需要在扩展温度范围和严苛可靠性环境中运行的应用提供了可扩展的选择。
Astro Digital 首席技术官 Billy Wahng 表示：“生产认证为进入长期部署阶段的太空和卫星项目提供了所需的信心水平。Everspin 对耐久性、数据完整性和抗辐射能力的关注，解决了在不可预测环境中运行的挑战。”
这些里程碑标志着 Everspin 持续执行其路线图，以扩大其面向航空航天、国防、汽车、工业和其他关键任务应用的高可靠性 MRAM 产品组合。
有关 Everspin MRAM 解决方案的更多信息，请访问 www.everspin.com。
关于 Everspin Technologies
Everspin Technologies, Inc.（纳斯达克股票代码：MRAM）是全球领先的磁阻 RAM（MRAM）提供商。Everspin MRAM 为工业、汽车、航空航天和其他数据持久性至关重要的关键任务应用提供强大、高性能的非易失性内存。Everspin 总部位于亚利桑那州钱德勒，为庞大而多样化的客户群提供商用的 MRAM 解决方案。
关于前瞻性陈述的谨慎声明
本新闻稿包含关于未来业绩的前瞻性陈述，这些陈述涉及风险和不确定性，可能导致实际结果或事件与前瞻性陈述中披露的预期存在重大差异。前瞻性陈述通过诸如“预计”或类似表达等词语来识别。实际结果可能因某些风险和不确定性与这些前瞻性陈述存在重大差异，包括但不限于 Everspin 于 2026 年 3 月 4 日向美国证券交易委员会（SEC）提交的截至 2025 年 12 月 31 日的 10-K 表年度报告中“风险因素”标题下列出的风险，以及其随后向 SEC 提交的文件中所述的风险。Everspin 在本新闻稿中发表的任何前瞻性陈述仅代表截至发表之日，后续事件可能导致这些预期发生变化。除非法律要求，否则 Everspin 不承担任何在未来更新或更改这些前瞻性陈述的义务，无论是由于新信息、未来事件还是其他原因。
