1、项目概述
项目名称：高纯硅材料研发基地项目
实施主体：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
项目投资额：20,388.05 万元
本项目拟通过建设研发基地，购置先进的研发及检测设备，并依托公司硅+高纯的技术特征,开展高纯硅基类电子特气及半导体级高纯硅基材料的研究开发工作。项目成功实施后有助于公司形成互补的多元化产品体系，实现协同效应，为公司业务的可持续发展赋能。
为系统提升我国在上述领域的材料保障能力，公司依托在“硅+高纯”领域的技术积累，正全面推进高纯硅材料、电子特气及高纯石英材料的能力建设：一方面提升超高阻与区熔用多晶硅的工程化水平，支撑先进逻辑芯片与高端功率器件的本土化制造；另一方面基于电子级多晶硅副产氯硅烷资源，开展深度提纯，加速高端电子特气的国产替代进程；同步布局高纯合成石英砂技术开发与产业化。项目的实施将显著增强我国半导体上游关键材料的自主可控能力，有效服务国家产业链供应链安全战略。
公司建设高纯硅材料研发基地，重点围绕电子特气提纯工艺与高纯合成石英砂制备技术开展系统性研发，构建从原料分析、工艺开发到产品验证的全链条创新能力，为半导体气体材料及先进石英制品的产业化提供关键技术支撑。依托上述布局，公司业务将由高纯硅材料向电子特气、高纯石英等关键配套材料延伸，形成覆盖硅基主体材料、工艺气体与核心耗材的多元化产品体系。
2、投资概算
本项目预计总投资 20,388.05 万元， 建筑工程费3,491.41 万元， 设备购置费 11,143.50万元， 安装工程费 688.59 万元，工程建设其他费用 682.82 万元， 基本预备费 960.38万元， 研发人员薪酬 1,368.00万元，材料费 2,053.35万元。
3、项目选址
项目建设地点位于：江苏省徐州经济技术开发区杨山路 66 号。
4、项目实施规划
本项目建设期为 24 个月。
5、涉及履行审批、核准或备案程序
2025 年 12 月 4 日，高纯硅基类电子特气研发项目已取得徐州经济技术开发区管委会下发的《江苏省投资项目备案证》（2512-320371-89-01-455234）；2026年 2 月 9 日，半导体级高纯硅材料研发基地项目已取得徐州经济技术开发区管委会下发的《江苏省投资项目备案证》（ 2602-320371-89-03-745251）。
6、项目环保情况
项目建成后生产过程中产生的主要污染物有少量的废水、废气、固体废物和噪声。项目实施过程中公司将采取相应措施对污染物进行环保处理并达到国家环保规定的排放标准，减少对环境造成的影响。
公司生产过程将采取有效的污染防治措施，经治理后实现达标排放，对环境无不良影响。高纯硅基类电子特气研发项目和半导体级高纯硅材料研发基地项目分别预计于 2026 年一季度和 2026 年二季度取得相关批复。
7、涉及土地或房产
本项目实施地点在原有公司厂区内，不涉及新增土地或房产。
8、主营业务情况
公司主要从事半导体产业用电子级多晶硅的研发、生产与销售。半导体制造产业链始于电子级多晶硅，至半导体硅片和晶圆制造，最终产出集成电路芯片用于终端产品。作为我国实现高水平科技自立自强的重要产业领域，半导体制造产业具有重大战略意义。公司生产的电子级多晶硅是支撑整个半导体制造产业的关键基础材料，直接应用于半导体硅片与半导体用硅部件生产。
目前半导体硅材料产业市场规模占半导体制造材料市场规模的 30%左右，是半导体制造中占比最高的主材料。普通工业硅纯度为 98%左右，而半导体制造对电子级多晶硅技术指标要求十分严苛，当硼、磷或其他金属元素作为杂质存在于多晶硅中时，制成的硅片产品质量难以控制，因此需要极高的多晶硅纯度，对纯度要求需达到 11N（即 99.999999999%）以上，施主杂质含量和受主杂质含量均需达到 ppta（万亿分之一原子比）级别，且需在万吨级大规模生产中维持技术指标的高度一致性。
自 20 世纪 80 年代以来，高纯电子级多晶硅作为行业基础原材料，技术被德国、美国、日本少数企业所垄断，全球具备成熟技术、能够大规模稳定供应的厂商在 5 家以内，国内市场化供应能力几乎为零，严重制约中国半导体产业的发展。为了解决国产化替代难题，公司自成立以来，坚持以科技创新为核心，致力于关键技术的研究和开发，先后建成徐州 5,000 吨/年（后扩产至 8,000吨/年）和内蒙 10,000 吨/年电子级多晶硅生产线，成功实现半导体产业用电子级多晶硅的大规模稳定生产，打破了国外在技术与市场上的双重垄断，填补了国内相关领域的空白。
公司电子级多晶硅各项关键指标已全面达到国际先进水平，顺利通过国内外主流客户验证，产品应用领域实现了从 12 英寸硅片、6-8 英寸硅片至小尺寸硅片及硅部件的全覆盖，保障国产硅片及硅部件产业的正常运行和发展。目前，公司正在继续加大投入以攻克超高纯电子级多晶硅技术。超高纯电子级多晶硅是电子级多晶硅中的全球前沿产品，包括超高阻电子级多晶硅和区熔用多晶硅，纯度可达到 13N 以上。
其中，超高阻电子级多晶硅较普通电子级多晶硅电阻率更高、杂质含量更低，是先进制程集成电路的核心基材，其超高纯度与极低杂质特性直接决定芯片性能与功耗水平，是 AI 芯片、硅光子芯片等尖端集成电路性能跃升的重要基础，为我国集成电路制造领域向先进制程和高端化发展提供关键支撑。区熔用多晶硅是电子级多晶硅中占比相对较小但不可或缺、技术难度更高的部分，在 IGBT 功率器件、高端射频器件、微电子机械系统以及各类高精度探测器、传感器等战略领域具有关键应用价值。公司目前在超高阻电子级多晶硅和区熔用多晶硅的产品技术研发及生产方面均已取得突破性进展，相关产品通过部分国内外主流客户验证，并实现小批量出货。
此外，基于多年电子级多晶硅研发生产所积累的高纯硅基产品技术，公司正在积极进行硅基电子特气和高纯石英砂等围绕高纯硅基材料的多元化产品研究开发工作。公司依托在电子级多晶硅领域的技术积累，积极承担国家及地方重大科技攻关任务。
公司是国家科技重大专项《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》（02专项）中《电子级多晶硅材料研发》的具体实施单位；公司承接的工业和信息化部“国家工业强基工程”项目，已顺利通过验收；同时，公司还承担了“江苏省工业和信息产业转型升级项目”“江苏省关键核心技术攻关项目”以及“江苏省重点研发计划项目”等多项省级重点科技专项。
此外，公司积极参与国家及行业标准体系建设，作为牵头单位完成了最新版《电子级多晶硅》（GB/T 12963-2022）国家标准的修订，并参与多项国家标准、行业标准的制定和修订工作。公司是国家级专精特新“小巨人”企业。
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