AI 驱动先进逻辑与存储扩产，制程升级推高单位投资强度，叠加外部制裁加码，国产设备迎来结构性周期。

一、AI 重构资本开支周期，设备进入新一轮上

报告指出，在 AI 算力需求爆发背景下，全球设备市场进入新一轮扩张周期：

• 2025 年全球半导体设备销售额预计达 1330 亿美元，创历史新高

• 2026 / 2027 年有望进一步提升至 1450 / 1560 亿美元

增长核心来自：

• 先进逻辑（FinFET → GAA/CFET）

• HBM 拉动 DRAM 升级

• 3D NAND 向 400 层以上堆叠

结论：这不是传统周期反弹，而是 AI 驱动的结构性资本开支上行。

二、技术主线：制程演进带来“单位产能投资倍数级提升”

报告强调一个关键逻辑：

技术节点越先进，单万片/月投资额越高。

在逻辑端：

• GAA、CFET、背面供电、EUV 等新结构叠加

• 图形化复杂度显著提升

在存储端：

• 3D NAND 层数向 4xx → 1000 层演进

• DRAM 从 6F² → 4F² → 3D DRAM

结果就是：

• 刻蚀价值占比 21%，薄膜沉积 23%，位居前三

• HAR、高选择比刻蚀、ALD 成为核心增量设备

也就是说：

制程升级不是线性提升，而是设备强度的“乘数放大”。

三、外部制裁倒逼自主替代加速

报告梳理了美、荷、日对先进制程设备的持续升级限制（14nm 以下为核心节点）

同时指出：

• 半导体设备国产化率已从 2017 年的 13% 提升至 2024 年的 20%

• 预计 2025 年达 22%，仍有巨大提升空间

而中国大陆：

• 已连续四年成为全球最大设备市场

• 占全球销售额超 40%（2024 年）

逻辑非常清晰：

需求最大 + 进口受限 + 政策支持 = 国产设备加速放量

四、扩产弹性主线：两存上市+逻辑扩产打开设备空间

报告特别强调两条增量引擎：

1️⃣ 逻辑端

• 中芯国际 2025 年资本开支维持 70–75 亿美元区间

• 产能利用率回升至 95.8%

2️⃣ 存储端

• 长鑫存储 IPO 募资 295 亿元扩产

• 2024 年资本开支达 712 亿元

• 2025H1 产能利用率 94.6%

这意味着：

存储不是周期修复，而是融资驱动下的扩产加速。

五、核心结论总结

第一层：需求驱动

AI 算力爆发 → 先进逻辑 & HBM 拉动 → 全球设备 CAPEX 再创新高

第二层：技术放大

GAA / 3D NAND / 4F² DRAM → 刻蚀 & ALD 强度提升 → 单位投资倍数增长

第三层：国产替代

外部制裁 + 本土扩产 + 政策扶持 → 国产设备份额进入加速期

六、结语

2026 年不是设备的周期修复年，而是“先进制程强度提升 × 国产替代加速”共振的一年。

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