问：关于第四季度的闪存业务，预计芯片出货量将出现多大程度的下滑？另外，也请说明各应用领域芯片出货量及销售单价的设定前提。
答：受季节因素影响，第四季度芯片出货量历来有下滑趋势，本财年也预计出现下滑。公司第三季度库存水平下降，也对第四季度芯片出货量造成了影响。面向智能设备领域的出货量将有所减少，面向数据中心及企业级领域的出货量则预计呈增长态势。受供需紧张影响，预计所有应用领域的销售单价均将大幅上涨。
问：请介绍2026日历年与客户签订长期供货协议（LTA）的进展情况。若已签订相关协议，定价条件是否考虑了4月之后的价格上涨因素？
答：2026日历年的长期供货协议已基本达成。我们将延续既定模式，全年供货量达成年度合意，销售单价则按季度开展协商。
此外，部分高端客户已提出将2027/2028日历年纳入合作范围的协议提案，公司正积极推进相关磋商。
问：据悉2026日历年市场芯片增长率预计在19%左右，请问若无供应限制，市场需求的预期如何？另外，请介绍下财年及以后在设备投资方面的规划。
答：实际需求始终处于波动状态，因此暂不公布具体数值，但我们认为当前市场实际需求表现十分强劲。同时，目前对于NAND闪存市场中长期复合年增长率约20%的判断并未改变。公司计划增加2026财年的设备投资，且将秉持财务纪律，在与市场增长相匹配的范围内推进投资落地。
问：在竞争对手均面临供应限制的背景下，铠侠迎来了提升市场份额的机遇，请问公司在设备投资方面有何考量？
答：设备投资方面，公司将遵循财务纪律，匹配NAND闪存市场复合年增长率约20%的中期增长目标推进投资。若市场出现长期向好的变化，公司也将考虑扩大投资规模。
问：DRAM价格上涨是否会对SSD的利润空间造成实质性的压缩影响？
答：DRAM成本上涨的因素已纳入闪存业务的成本考量范围。公司将探讨成本转嫁的可行性，并通过成本削减举措（包括向第八代BiCS FLASH™闪存技术迁移），力争实现成本改善幅度覆盖并超过DRAM价格上涨带来的影响。
问：关于英伟达在2026年国际消费电子展（CES）发布的KV高速缓存产品，请问铠侠相关产品的开发进展如何，预计何时能为公司销售收入带来贡献？
答：目前公司正与英伟达就产品规格开展磋商，同时也在对市场需求等方面进行细致调研。预计2027日历年前后可实现量产，且公司认为依托搭载第八代BiCS FLASH™ TLC闪存的SSD产品，基本可满足该产品的应用需求。
问：关于合资公司的对价模式，2030日历年之后是否还会有新的对价收入？另外，北上工厂相关协议的对价应如何看待？
答：四日市工厂方面，本次已签订协议确定2034日历年之前的对价相关条款，截至目前，2034年之后的对价尚未敲定。北上工厂的合资协议将于2034年12月末到期，截至目前，协议延期等相关事宜尚未作出决定。但四日市工厂已实现对价模式的调整，未来公司将坚持依据自身创造的价值收取相应对价的原则。
问：在市场需求旺盛的背景下，客户的库存水平是否出现变化？这一变化对价格上涨的势头会产生何种影响？
答：当前市场需求大幅超过供应，客户难以储备充足的库存。在此背景下，市场价格易呈现上涨趋势。
问：关于AI推理领域的需求增长，请问增长的原因是什么？公司认为该需求是否具备可持续性？
答：在AI训练环节，虽然单台服务器对SSD的容量、性能要求极高，但其部署的地点和数量均存在一定限制。而在AI推理环节，用户会将预训练模型与以检索增强生成（RAG）为代表的自有数据相结合，这将推动服务器数量出现飞跃式增长，进而带动SSD整体需求实现持续性扩张，我们对此持明确判断。
问：关于搭载第八代BiCS FLASH™闪存技术的122TB、245TB大容量SSD产品，预计何时能为公司销售收入带来贡献？
答：目前相关产品已进入客户认证阶段，公司计划于2026日历年年内实现量产出货，其中部分容量规格的产品预计可在2026日历年上半年启动量产。
问：请介绍公司实现净现金目标后的资本配置方针。
答：目前公司正全力推进必要设备投资的精细化调研及数据优化工作。设备投资方面，将配合市场增长节奏，秉持纪律性开展投资，以维持公司在NAND闪存领域的技术领先地位。关于资本配置的具体方针，公司计划在6月举办的投资者关系日活动中正式公布。
